张硕
- 作品数：3 被引量：15H指数：2
- 供职机构：华中理工大学电子科学与技术系更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- VDMOS功率器件的优化设计与研制
- 1993年
- 讨论了VDMOS功率器件的外延层结构,结终端技术,芯片背面多层金属化的优化设计理论与器件制造工艺技术;导出了BV_(DS)≥500V,I_(DS)≥IA的VDMOS外延层结构参数和终端结构模型与参数,给出了芯片背面多层金属化的工艺条件和制造VDMOS芯片的集成电路平面工艺流程.
- 于军吴正元刘三清张硕
- 关键词：半导体器件芯片集成电路
- 高压金属场限环的研究被引量：2
- 1993年
- 平面功率器件由于终端pp结的曲率效应,其高压阻断能力受到限制,为了提高高压阻断能力,本文研究了金属场限环的工作机理,进行了金属场限环结构参数的设计,阐述了其制造工艺和实验结果;并和扩散场限环进行了比较,证实了金属场限环是一种工艺简单、对工艺要求低的高压终端技术。
- 张硕吴正元
- 关键词：终端技术功率器件
- 高压VDMOS场板终端技术的研究被引量：13
- 1999年
- 采用ＭＩＳ模型进行ＶＤＭＯＳ器件多级场板终端结构的设计并通过二维数值计算对ＭＩＳ模型进行了修正，在工艺上首次引入聚酰亚胺／ＳｉＯ２复合介质层进行多层布线，形成阶梯形场板，使ＶＤＭＯＳ器件的终端耐压量ＢＶ≥７００Ｖ．
- 吴正元张硕董晓敏于军
- 关键词：VDMOS终端结构
