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吴丹丹

作品数：4 被引量：9H指数：1
供职机构：华中理工大学电子科学与技术系更多>>
发文基金：“上海－应用材料研究与发展”基金更多>>
相关领域：理学一般工业技术电气工程化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇中文期刊文章

领域

  • 3篇理学
  • 1篇化学工程
  • 1篇电气工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 2篇膜厚
  • 2篇矫顽力
  • 2篇FE
  • 2篇磁阻
  • 2篇磁阻效应
  • 1篇多层膜
  • 1篇氧化镍
  • 1篇双层膜
  • 1篇铁合金
  • 1篇镍铁
  • 1篇镍铁合金
  • 1篇自旋
  • 1篇自旋阀
  • 1篇巨磁电阻
  • 1篇巨磁电阻效应
  • 1篇夹层
  • 1篇交换耦合
  • 1篇薄膜厚度
  • 1篇NIFE
  • 1篇钴

机构

  • 4篇华中理工大学
  • 4篇中国科学院上...
  • 1篇电子部

作者

  • 4篇李佐宜
  • 4篇邱进军
  • 4篇卢志红
  • 4篇吴丹丹
  • 2篇沈德芳
  • 1篇彭子龙
  • 1篇熊锐
  • 1篇郑远开
  • 1篇荀坤
  • 1篇周健
  • 1篇姚新华

传媒

  • 1篇功能材料
  • 1篇功能材料与器...
  • 1篇华中理工大学...
  • 1篇磁记录材料

年份

  • 3篇1999
  • 1篇1998
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
膜厚对NiO/NiFe/Cu/NiFe磁阻效应的影响
1999年
用射频磁控溅射方法制备多层膜，研究了双层膜ＮｉＯ／ＮｉＦｅ的矫顽力Ｈｃ和交换耦合场Ｈｅｘ与反铁磁层ＮｉＯ、铁磁层ＮｉＦｅ厚度的关系，结果表明：ＮｉＯ厚度为７０ｎｍ时，Ｈｅｘ最大；Ｈｃ随ＮｉＯ厚度增大而增大．当ＮｉＦｅ厚度增加时，Ｈｅｘ近似线性减小；而Ｈｃ则随ＮｉＦｅ厚度增大开始有缓慢增加，然后才减小．对于ＮｉＯ（７０ｎｍ）／ＮｉＦｅ（ｔ１）／Ｃｕ（２．２ｎｍ）／ＮｉＦｅ（ｔ２）自旋阀多层膜材料（括号内的量表示厚度），研究了ＮｉＦｅ膜厚度对磁阻效应的影响，结果表明：被钉扎层ＮｉＦｅ的厚度为３ｎｍ，自由层ＮｉＦｅ的厚度为５ｎｍ时，ＭＲ值最大，约为１．６％．
吴丹丹李佐宜邱进军卢志红
关键词：磁阻效应膜厚多层膜氧化镍镍铁合金
NiO/NiFe双层膜的制备及其交换耦合作用研究被引量：1
1998年
用直流磁控反应溅射制备ＮｉＯ／ＮｉＦｅ双层膜。在保持ＮｉＦｅ层的厚度２０ｎｍ不变的条件下，发现尽管没有用外加磁场引导单向各向异性，由于底盘旋转等因素的影响，ＮｉＯ（７０ｎｍ）／ＮｉＦｅ（２０ｎｍ）双层结构仍显示较好的单向各向异性，交换耦合场可达３０Ｏｅ以上。通过改变ＮｉＯ层的厚度、溅射气体Ａｒ分压以及溅射气体与反应气体的比例Ａｒ／Ｏ２，研究了反铁磁层厚度以及溅射条件对交换耦合场的影响。
卢志红邱进军荀坤吴丹丹姚新华熊锐周健李佐宜沈德芳
关键词：双层膜
薄膜厚度对NiO/NiFe/Cu/NiFe自旋阀多层膜的磁阻效应的影响
1999年
用射频磁控溅射方法制备多层膜，研究了双层膜NiO／NiFe的矫顽力Hc和交换耦合场Hex与反铁磁层NiO、铁磁层NiFe厚度的关系。结果表明：NiO厚度为70nm时，Hex最大；Hc随NiO厚度增大而增大。当NiFe厚度增加时，Hex近似线性减小；而矫顽力则随NiFe厚度增大开始有缓慢增加，然后才减小。对于NiO（70nm）／NiFe（t1nm）／Cu（2．2nm）／NiFe（t2nm）自旋阀多层膜材料，研究了NiFe膜厚度对磁阻效应的影响。结果表明：被钉扎层NiFe的厚度为3nm时，自由层NiFe的厚度为5nm时，MR值分别最大，约为1．6％。
吴丹丹李佐宜邱进军卢志红
关键词：磁阻效应矫顽力磁头
NiFe/Co/Cu/Co结构自旋阀GMR效应及Co夹层的影响研究被引量：8
1999年
用射频磁控溅射发射法成功制备ＮｉＦｅ／Ｃｕ／Ｃｏ自旋阀多层膜材料，改变Ｃｕ层的厚度，研究材料的ＧＭＲ效应与Ｃｕ层厚度的关系，结果表明Ｃｕ为２．５ｎｍ时样品的ＭＲ值最大，其磁电阻效应ＭＲ可达１．６％。在ＮｉＦｅ和Ｃｕ之间插入一Ｃｏ薄夹层，通过对不同厚度Ｃｏ夹层的样品的ＭＲ曲线及磁滞回线的研究，讨论了Ｃｏ夹层对样品磁电阻的影响并分析了原因。结果表明插入适当的Ｃｏ层将提高材料的磁电阻效应，可达２．５％。
邱进军卢志红梁建郑远开彭子龙彭子龙林更琪吴丹丹李佐宜
关键词：巨磁电阻效应矫顽力自旋阀
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