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胡小会

作品数:7 被引量:10H指数:2
供职机构:东南大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划教育部“新世纪优秀人才支持计划”更多>>
相关领域:一般工业技术电子电信更多>>

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 2篇专利
  • 1篇学位论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 4篇一般工业技术
  • 2篇电子电信

主题

  • 4篇纳米
  • 2篇电学
  • 2篇纳米线
  • 2篇光催化
  • 2篇光催化特性
  • 2篇复合结构
  • 2篇催化
  • 1篇导电
  • 1篇导电玻璃
  • 1篇电磁学
  • 1篇电学特性
  • 1篇电学性能
  • 1篇电子器件
  • 1篇调制
  • 1篇原子
  • 1篇制法
  • 1篇石墨烯纳米带
  • 1篇水溶液
  • 1篇水溶液体系
  • 1篇密度泛函

机构

  • 7篇东南大学

作者

  • 7篇胡小会
  • 6篇孙立涛
  • 3篇万能
  • 3篇徐峰
  • 3篇尹奎波
  • 3篇毕恒昌
  • 2篇董方洲
  • 2篇雷双瑛
  • 2篇孙俊
  • 2篇许俊敏
  • 1篇徐涛
  • 1篇贺龙兵
  • 1篇徐春祥
  • 1篇谢骁
  • 1篇石增良
  • 1篇张振江

传媒

  • 3篇物理学报

年份

  • 1篇2015
  • 1篇2014
  • 1篇2013
  • 2篇2012
  • 2篇2011
7 条 记 录,以下是 1-7
排序方式:
具有光催化特性的ZnO纳米片/纳米线复合结构及制法
具有光催化特性的ZnO纳米片/纳米线复合结构及制法,包括导电载体、ZnO纳米片和ZnO纳米线。该方法是基于水溶液体系的两步合成法,首先以硝酸锌和氯化钾水溶液为电解液,采用标准三电极体系直接在导电玻璃上电沉积ZnO纳米片阵...
徐峰孙立涛董方洲孙俊毕恒昌尹奎波万能雷双瑛胡小会
文献传递
具有光催化特性的ZnO纳米片/纳米线复合结构
具有光催化特性的ZnO纳米片/纳米线复合结构,包括导电载体、ZnO纳米片和ZnO纳米线。与传统的单一纳米结构ZnO薄膜相比,本实用新型的ZnO纳米片/纳米线复合结构薄膜拥有更大的比表面积和更多的表面氧缺陷,对甲基橙表现出...
徐峰孙立涛董方洲孙俊毕恒昌尹奎波万能雷双瑛胡小会
文献传递
金掺杂锯齿型石墨烯纳米带的电磁学特性研究被引量:7
2012年
本文采用基于密度泛函理论的第一性原理计算了金原子填充锯齿型石墨烯纳米带(ZGNRs)中双空位结构的电磁学特性.计算结果表明:边缘位置是金原子的最稳定掺杂位置,杂质原子的引入导致掺杂边缘的磁性被抑制,不过掺杂率足够大时,掺杂边缘的磁性反而恢复了.金掺杂纳米带的能带结构对掺杂率敏感:随着掺杂率的增大,掺杂纳米带分别表现半导体特性、半金属特性以及金属特性.本文的计算表明金原子掺杂可以调制ZGNR的磁性以及能带特性,为后续实验起指导作用,有利于推动石墨烯材料在自旋电子学方面的应用.
胡小会许俊敏孙立涛
关键词:金原子掺杂半金属
石墨烯纳米带电学特性的调制
石墨烯具有的丰富而奇特的物理性质及其在纳米器件方面的潜在应用吸引了人们极大的关注。但是,石墨烯是零带隙的半导体,这很大地限制了石墨烯在纳米器件方面的应用。研究表明石墨烯的能带结构可以通过把二维的石墨烯切割成一维的石墨烯纳...
胡小会
关键词:密度泛函理论石墨烯纳米带电学特性
文献传递
单空位缺陷诱导的扶手椅型石墨烯纳米带电学性能的转变被引量:2
2013年
本文基于密度泛函理论的第一性原理计算了单空位缺陷对扶手椅型石墨烯纳米带电学特性的影响.计算结果表明:当单空位位于纳米带边缘位置时,系统结构最稳定.不同位置上单空位缺陷的引入都会使得原本为半导体的本征扶手椅型石墨烯纳米带变成金属性;随着单空位浓度的减小,其对纳米带能带结构的影响逐渐减弱;随着纳米带宽度的增大,表征其金属性的特征值表现出震荡性的减弱.单空位缺陷诱导的扶手椅型纳米带的半导体特性到金属特性的转变为石墨烯在电子器件中的应用提供了理论指导.
张振江胡小会孙立涛
关键词:电学性能
纳米半导体材料物性与结构相关性研究
孙立涛徐春祥徐峰尹奎波贺龙兵万能石增良谢骁毕恒昌徐涛胡小会
纳米半导体材料是未来信息领域的重要基础支撑。全面深入地开展纳米半导体材料的基础前沿研究有利于中国在下一代微/纳电子器件和相关领域研究占有优势地位,为未来中国在信息领域的发展提供强有力的硬件基础和相关技术支持。然而,面对如...
关键词:
关键词:纳米半导体材料纳米材料电子器件
铂掺杂扶手椅型石墨烯纳米带的电学特性研究被引量:4
2012年
本文采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理计算了铂原子填充扶手椅型石墨烯纳米带(AGNR)中双空位结构的电学性能.计算结果表明:通过控制铂原子的掺杂位置,可以实现纳米带循环经历小带隙半导体一金属一大带隙半导体的相变过程;纳米带边缘位置是铂原子掺杂的最稳定位置,边缘掺杂纳米带的带隙值随宽度的变化与本征AGNR一样可用三簇曲线表示,但在较大宽度时简并成两条曲线,一定程度上抑制了带隙值的振荡;并且铂原子边缘掺杂导致宽度系数Na=3p和3p+1(p是一个整数)的几个较窄纳米带的带隙中出现杂质能级,有效地降低了其过大的带隙值.此外,铂掺杂.AGNR的能带结构对掺杂浓度不是很敏感,从而降低了对实验精度的挑战.本文的计算有利于推动石墨烯纳米带在纳米电子学方面的应用.
许俊敏胡小会孙立涛
关键词:
共1页<1>
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