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詹文山

作品数:101 被引量:186H指数:6
供职机构:中国科学院物理研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家杰出青年科学基金更多>>
相关领域:理学一般工业技术金属学及工艺电气工程更多>>

文献类型

  • 41篇专利
  • 33篇期刊文章
  • 24篇会议论文
  • 2篇科技成果

领域

  • 34篇理学
  • 17篇一般工业技术
  • 9篇金属学及工艺
  • 5篇电气工程
  • 3篇电子电信
  • 3篇自动化与计算...
  • 2篇经济管理
  • 2篇生物学
  • 1篇文化科学

主题

  • 31篇隧道结
  • 24篇磁性
  • 18篇磁电
  • 18篇存储器
  • 17篇自旋
  • 15篇磁性隧道结
  • 14篇随机存取
  • 14篇随机存取存储...
  • 14篇合金
  • 14篇磁电阻
  • 14篇存取
  • 12篇磁随机存取存...
  • 11篇铁磁
  • 10篇多层膜
  • 10篇磁隧道结
  • 9篇势垒
  • 8篇元件
  • 8篇感器
  • 8篇FE
  • 8篇传感

机构

  • 96篇中国科学院
  • 5篇河北工业大学
  • 3篇北京师范学院
  • 1篇北京大学
  • 1篇哈尔滨工业大...
  • 1篇聊城大学
  • 1篇北京工业大学
  • 1篇云南大学
  • 1篇首都师范大学
  • 1篇烟台大学
  • 1篇美国橡树岭国...
  • 1篇北京航空学院

作者

  • 100篇詹文山
  • 51篇韩秀峰
  • 24篇沈保根
  • 19篇彭子龙
  • 19篇魏红祥
  • 17篇赵见高
  • 16篇曾中明
  • 14篇朱涛
  • 10篇姜丽仙
  • 10篇李飞飞
  • 10篇王伟宁
  • 10篇丰家峰
  • 9篇吴光恒
  • 8篇杜关祥
  • 7篇赵素芬
  • 7篇郭慧群
  • 7篇孔麟书
  • 6篇李养贤
  • 6篇唐成春
  • 6篇马明

传媒

  • 19篇物理学报
  • 7篇第1届全国磁...
  • 5篇第十届全国磁...
  • 3篇物理
  • 3篇第十一届全国...
  • 1篇稀有金属材料...
  • 1篇金属学报
  • 1篇物理学进展
  • 1篇波谱学杂志
  • 1篇物理教学
  • 1篇材料研究学报
  • 1篇中国科学院院...
  • 1篇应用科学学报
  • 1篇金属功能材料
  • 1篇北京师范学院...
  • 1篇中国材料进展
  • 1篇第二届全国金...
  • 1篇第六届国内外...
  • 1篇第三届全国磁...
  • 1篇第四届全国磁...

年份

  • 1篇2018
  • 1篇2017
  • 3篇2014
  • 1篇2013
  • 2篇2012
  • 1篇2011
  • 2篇2010
  • 6篇2009
  • 5篇2008
  • 8篇2007
  • 7篇2006
  • 13篇2005
  • 7篇2004
  • 2篇2003
  • 3篇2002
  • 4篇2001
  • 1篇2000
  • 15篇1999
  • 3篇1998
  • 1篇1997
101 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
磁随机存取存储器
本实用新型公开了一种磁随机存取存储器(MRAM),MRAM单元中的位线BL和写字线WWL位于其中磁性薄膜存储单元的相同一侧,磁性薄膜存储单元通过接触孔与晶体管ATR的漏极相连接,并且MRAM单元中的地线GND与写字线WW...
彭子龙王伟宁韩秀峰朱涛詹文山
文献传递
基于双势垒隧道结共振隧穿效应的晶体管
本发明涉及基于双势垒隧道结共振隧穿效应的晶体管包括:衬底、发射极、基极、集电极和第一和第二隧道势垒层;其中第一隧道势垒层设置在发射极和基极之间,第二隧道势垒层在基极与集电极之间;并且发射极与基极间和基极与集电极间形成的隧...
曾中明韩秀峰杜关祥魏红祥李飞飞詹文山
文献传递
新型磁性隧道结材料及其隧穿磁电阻效应被引量:14
2013年
典型的磁性隧道结是"三明治"结构,即由上下两个铁磁电极以及中间厚度为1 nm量级的绝缘势垒层构成。当外加磁场使两铁磁电极的磁矩由平行态向反平行态翻转时,隧穿电阻会发生低电阻态向高电阻态的转变。自从1995年发现室温隧穿磁电阻(TMR)以来,非晶势垒的AlOx磁性隧道结在磁性随机存储器(MRAM)和磁硬盘磁读头(Read Head)中得到了广泛的应用,2007年室温下其磁电阻比值可达到80%。下一代高速、低功耗、高性能的自旋电子学器件的发展,迫切需要更高的室温TMR比值和新型的调制结构。2001年通过第一性原理计算发现:由于MgO(001)势垒对不同对称性的自旋极化电子具有自旋过滤(Spin Filter)效应,单晶外延的Fe(001)/MgO(001)/Fe(001)磁性隧道结的TMR比值可超过1 000%,随后2004年在单晶或多晶的MgO磁性隧道结中获得室温约200%的TMR比值,2008年更是在赝自旋阀结构CoFeB/MgO/CoFeB磁性隧道结中获得高达604%的室温TMR比值。伴随着新势垒材料的不断发现和各种磁性隧道结结构的优化,共振隧穿和自旋依赖的库仑阻塞磁电阻等新效应以及磁性传感器、磁性随机存储器和自旋纳米振荡器及微波检测器等新器件逐渐成为科学和工业界所关注的研究与应用热点。对磁性隧道结(MTJ)材料及其器件应用研究和进展进行了简要介绍。
韩秀峰刘厚方张佳师大伟刘东屏丰家峰魏红祥王守国詹文山
关键词:巨磁电阻效应磁性隧道结磁随机存储器
利用光刻法制备高磁电阻磁性隧道结
通过优化制备磁性隧道结的实验和光刻工艺条件,制备出具有室温高磁电阻和低电阻的高质量磁性隧道结,300℃退火前后其室温磁电阻比值、结电阻、结电阻和结面积的积矢及自由层的偏转场分别达到22﹪和50﹪、31和41Ω、3100和...
韩秀峰李飞飞张爱国赵素芬王伟宁詹文山
关键词:光刻法磁性隧道结磁电阻
文献传递
Cr/Ru/PtCo/Ru/PtCo/Ru磁记录结构性质的研究
本文讨论了Cr/Ru/PtCo/Ru/PtCo/Ru结构的矫顽力与交换场随Ru底层与反铁磁耦合Ru层厚度变化的规律。其矫顽力(H)与交换场(H)随Ru底层厚度增加而增大,这是由Ru层hcp结构引起的。矫顽力与交换场在0....
张爱国王荫君韩秀峰詹文山
文献传递
Cr/Ru/PtCo/Ru/PtCo/Ru介质中底层Ru厚度对磁记录特性影响的研究被引量:3
2005年
讨论了Cr Ru(1) PtCo(稳定层 ) Ru(2 ) PtCo(记录层 ) Ru(3)结构的矫顽力Hc 与层间反铁磁耦合交换场Hex随Ru(1)与Ru(2 )厚度变化的规律 .研究发现 ,样品的矫顽力及交换场随Ru(1)厚度增加而增大 ,这可能是由Ru(1)hcp结构引起的 .矫顽力及交换场在Ru(2 )厚度为 0 8nm处有峰值 .
张爱国王荫君韩秀峰詹文山
关键词:矫顽力反铁磁耦合薄膜物理学
4英寸热氧化硅衬底上磁性隧道结的微制备被引量:13
2004年
就如何在 4英寸热氧化硅衬底上沉积高质量的磁性隧道结纳米多层薄膜材料和如何利用光刻方法微加工制备均匀性较好的磁性隧道结方面做了初步研究 ,并对磁性隧道结的磁电性质及其工作特性进行了初步测量和讨论 .利用现有的光刻设备和工艺条件在 4英寸热氧化硅衬底上直接制备出的磁性隧道结 ,其结电阻与面积的积矢的绝对误差在 10 %以内 ,隧穿磁电阻的绝对误差在 7%以内 ,样品的磁性隧道结性质具有较好的均匀性和一致性 。
王天兴魏红祥李飞飞张爱国曾中明詹文山韩秀峰
关键词:磁性隧道结隧穿磁电阻电性质硅衬底磁随机存储器热氧化
磁隧道结中隧穿过程的体效应
通过测量磁隧道结Py/CoFe(t)/Al<,2>O<,3>/Py的TMR随CoFe楔型薄膜厚度的变化关系,观察到TMR随CoFe厚度增加而缓慢趋近饱和,也就是发现至少10层CoFe对磁隧穿有贡献而不是一般认为的第一层,...
朱涛X.H.XiangJohn Q.Xiao詹文山
关键词:磁隧道结体效应铁磁电极
文献传递
间隙碳原子对(Er_(1-x)Sm_x)_2Fe_(17)C_y化合物形成、结构与磁性的影响
1993年
用快淬方法制备了单相(Er_(1-x)Sm_x)_2Fe_(17)C_y(x=0.2,<3.0;x=0.5,y<2.0)化合物,研究了它们的形成、结构、稳定性及内禀磁性结果表明,它们在高温是稳定的,随碳含量的增加,晶体结构由六角的Th_2Ni_(17)型向菱方的Th_2Zn_(17)型转变间隙碳原子的引入导致了单胞体积的膨胀、室温饱和磁化强度和Curie温度的增加当y>1.0时,(Er_(1-x)Sm_x)_2Fe_(17)
沈保根孔麟书曹蕾王芳卫詹文山郭慧群赵见高
关键词:碳化物原子磁性
钙钛矿类氧化物薄膜复合器件
本发明涉及一系列钙钛矿类氧化物薄膜复合器件,是在任意一种现有的衬底上,利用常规的薄膜制备方法和相应的微加工工艺制备而成。其核心结构均包括:一钙钛矿类氧化物层,所述的钙钛矿类氧化物为R<Sub>E1-x</Sub>T<Su...
丰家峰赵昆赵见高吕惠宾韩秀峰詹文山
文献传递
共10页<12345678910>
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