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张永平

作品数:5 被引量:16H指数:3
供职机构:大叶大学更多>>
相关领域:一般工业技术化学工程更多>>

文献类型

  • 5篇中文期刊文章

领域

  • 4篇一般工业技术
  • 1篇化学工程

主题

  • 4篇英文
  • 4篇碳纳米管
  • 4篇纳米
  • 4篇纳米管
  • 4篇场发射
  • 2篇场发射特性
  • 1篇多晶金刚石
  • 1篇退火
  • 1篇气相沉积
  • 1篇硝酸
  • 1篇纳米丝
  • 1篇金刚石
  • 1篇混合液
  • 1篇铬酸
  • 1篇后处理
  • 1篇刚石
  • 1篇NI催化剂
  • 1篇
  • 1篇BEN
  • 1篇MPECVD

机构

  • 5篇大叶大学
  • 1篇国立台湾科技...
  • 1篇国立云林科技...
  • 1篇建国科技大学

作者

  • 5篇张永平
  • 5篇李世鸿
  • 4篇李丽英
  • 1篇黄柏仁

传媒

  • 4篇新型炭材料
  • 1篇物理化学学报

年份

  • 1篇2011
  • 1篇2009
  • 3篇2008
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
Ni催化剂在N_2O/N_2/NH_3中退火对碳纳米管表面结构及场发射特性的影响(英文)被引量:3
2008年
研究在N2O/N2/NH3氛围中对Ni催化剂进行退火处理,旨在探讨退火处理对所生成碳纳米管的表面结构及其发射特性的影响。从表面结构及表面元素分析结果发现:Ni催化剂在N2O/N2/NH3氛围中退火处理之后,Ni催化剂的颗粒大小及催化剂的化学成分发生改变,进而影响所合成的碳纳米管的表面结构及场发射特性。扫描电镜显示:经过N2O退火前处理后,催化金属薄膜在成核时较易形成均匀性的金属颗粒,且金属颗粒较小。比较经N2O/N2/NH3氛围退火处理之后所合成的碳纳米管结果,经过N2O前处理可以有效抑制非晶质碳的成长,使所成长出的碳纳米管数量最多、场发射电流最大。原因主要是因为N2O对催化剂镍膜金属前处理过程中分解出的氮原子及氧原子会活化及氧化催化剂Ni金属,并使所形成的Ni金属颗粒较小且更为均匀,造成表面型态上的显著改变,有助于使合成的碳纳米管场发射电流变大。
李世鸿张永平李丽英
关键词:退火碳纳米管场发射
热化学气相沉积法在硅纳米丝上合成碳纳米管(英文)被引量:6
2011年
利用热化学气相沉积法在负载不同厚度催化剂的硅纳米丝(SiNW)表面生长碳纳米管(CNTs),探讨了生长条件对所合成SiNW-CNT的结构和场发射特性的影响。这种类似树状的三维结构具有较高碳纳米管表面密度及降低的电场筛除效应等潜在优势。使用拉曼光谱(Raman)、电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)、能量扩散分光仪(EDS)分析了碳纳米管的结构性质,并在高真空下施加电场测得碳纳米管的场发射特性。结果表明:随硅纳米丝上负载催化剂镍膜厚度的变化,所合成碳纳米管的表面特性、结晶结构及功函数改变,导致电子发射难易程度的改变,进一步影响碳纳米管的场发射特性。
李世鸿张永平李丽英
关键词:碳纳米管场发射
两段成长法改善微波电浆辅助化学气相沉积多晶金刚石之品质(英文)被引量:1
2009年
以化学气相沉积法成长多晶金刚石薄膜时,薄膜的品质会受到成长时间、成长压力、反应气体比例、偏压与否及成核的机制等因素影响。研究采用微波电浆辅助化学气相沉积(MPECVD)法,以甲烷(CH4)和氢气(H2)作为反应气体原料,在p型(111)硅基板沉积多晶金刚石薄膜。典型沉积多晶金刚石薄膜的制程可分为四个阶段:抛蚀表面阶段、渗碳阶段、偏压增强成核(BEN)阶段及成长阶段。研究将成长阶段划分为两个阶段,第一阶段压力较低(成长I阶段),第二阶段压力较高(成长II阶段)。结果表明:第一阶段可大大改善金刚石薄膜的品质,所获多晶金刚石薄膜的晶粒具有明确的颗粒边界、较低的碳化物或缺陷,电导率急剧降低,显现出本徵金刚石半绝缘的性质。可以认为金刚石薄膜品质的改善完全为低压成长所致。实验发现在成长I阶段或成长II阶段施加偏压时,只会降低多晶金刚石薄膜的品质。
李世鸿叶忠信张永平汪岛军黄柏仁
铬酸溶液后处理增强碳纳米管的场发射特性(英文)被引量:4
2008年
采用铬酸溶液对碳纳米管进行后处理,旨在修饰碳纳米管的表面形态及改变碳纳米管的表面结构,进一步增强碳纳米管的场发射特性。铬酸溶液后处理与传统以硝酸后处理的方法不同之处在于,铬酸溶液可以更有效率地与非晶质碳及碳纳米管发生化学反应。可以预期碳纳米管经过铬酸溶液处理后,碳纳米管的表面形态、化学组成及场发射特性会产生很大的变化。场发射的数据显示,经铬酸溶液处理20min的碳纳米管场发射电流比未经过铬酸溶液处理的场发射电流有明显的增加。然而,长时间的铬酸溶液处理也会降低碳纳米管场发射特性。经铬酸溶液处理20min的碳纳米管场发射电流增强原因主要为适度的铬酸溶液处理可以改变碳纳米管的表面形态,使碳管的表面密度增大、场发射功函数降低。但过长时间的铬酸溶液后处理,又会造成碳纳米管数目减少及表面结构受到损害,导致碳纳米管场发射特性变差。
李世鸿张永平李丽英
关键词:碳纳米管场发射
铬酸及硝酸混合液处理以增强碳纳米管场发射(英文)被引量:3
2008年
为了修饰碳纳米管(CNTs)的表面型态及改变碳纳米管的表面结构,进一步增强碳纳米管的场发射特性,使用铬酸及硝酸的混合溶液对碳纳米管进行后处理.采用SEM、TEM、Raman和EDS测试手段对样品的形貌、表面成份组成和微观结构特征进行了表征.场发射(FE)的数据显示,经过铬酸及硝酸的混合溶液处理20min的碳纳米管场发射电流比未经任何处理的碳纳米管场发射电流明显增加一个数量级以上,场发射电流增强的主要原因为样品上的碳纳米管的表面型态的改变,造成碳纳米管场发射增强因子β的增大.与单独使用硝酸溶液后处理比较,使用铬酸及硝酸的混合溶液对碳纳米管进行后处理可以得到较高的场发射电流及较低的起始电场.铬酸及硝酸的混合溶液处理方法能经济且有效增强碳纳米管的场发射特性.
李世鸿张永平李丽英
关键词:铬酸硝酸碳纳米管场发射
共1页<1>
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