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杨永民
作品数:
1
被引量:3
H指数:1
供职机构:
西北工业大学
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发文基金:
国防科技技术预先研究基金
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相关领域:
电子电信
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合作作者
张玉明
西安电子科技大学微电子学院微电...
张义门
西安电子科技大学微电子学院微电...
杨林安
西安电子科技大学微电子学院微电...
于春利
西安电子科技大学微电子学院微电...
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电子电信
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碳化硅
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场效应晶体管
机构
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西北工业大学
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西安电子科技...
作者
1篇
于春利
1篇
杨林安
1篇
张义门
1篇
张玉明
1篇
杨永民
传媒
1篇
计算物理
年份
1篇
2003
共
1
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相关度排序
被引量排序
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表面态对碳化硅功率金-半场效应管特性的影响
被引量:3
2003年
分析了4H-SiC射频功率MESFET栅源和栅漏区域内的表面态形成,建立了包含表面态影响的非线性解析模型,理论描述了对器件输出特性的稳态、瞬态响应.本模型具有计算简单、物理概念清晰的特点.
杨林安
张义门
于春利
杨永民
张玉明
关键词:
表面态
稳态响应
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