付淑芳
- 作品数：30 被引量：12H指数：2
- 供职机构：哈尔滨师范大学物理与电子工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金黑龙江省教育厅科学技术研究项目黑龙江教育厅科学技术研究项目更多>>
- 相关领域：理学自动化与计算机技术文化科学机械工程更多>>
- 一种具有AgO纳米颗粒-纳米棒复合结构的抗菌钛板的制备方法
- 一种具有AgO纳米颗粒‑纳米棒复合结构的抗菌钛板的制备方法，本发明涉及一种具有AgO纳米颗粒‑纳米棒复合结构的抗菌钛板的制备方法。本发明的目的是为了解决现有湿化学合成方法制备的抗菌钛板存在Ag纳米颗粒易于团聚，均一性差的...
- 尹永琦王梦琪刘潇白丽娜付淑芳周胜张强
- 文献传递
- Matlab在模拟晶面势能分布中的应用
- 2010年
- 晶格结构性质是固体物理教学中重点内容之一。晶格内部电势分布规律也是人们感兴趣的研究方向，可用于讨论电子在晶格中的运动规律等。晶格内部电势是由构成晶格的各个原子的电势叠加而成的，但多原子体系的电势比较抽象不利于学生学习。本文利用Matlab描绘了不同晶格中某一晶面的势能分布，可帮助学生理解和掌握晶面势能分布的规律。
- 张宇亮张强周胜白晶付淑芳李华
- 关键词：计算机辅助教学MATLAB
- 超表面吸收特性的研究进展被引量：1
- 2017年
- 超表面是对电磁波调控的周期性亚波长二维超材料.高吸收超表面是一种新型的吸波材料具有广泛的应用前景,其在光学隐身技术,热光伏电池,热发射器和其他光电子器件中有重要的应用.介绍了超表面概念和分类,简述了吸收超表面发展历程,并对目前面临的问题及发展趋势进行了探讨.
- 于宏岩张强付淑芳袁悦周胜
- 关键词：电磁特性透射
- Voigt位型下穿孔金属/反铁磁结构光透射非倒易性研究
- 2016年
- 在穿孔金属/反铁磁(PMA)结构,利用线性传递矩阵方法研究结构Voigt位型下光透射非倒易性.发现外加静磁场和穿孔金属孔几何尺寸对结构的透射光谱产生影响,出现了光透射非倒易性现象.光透射非倒易性频率区域在反铁磁共振区,此区间正处于太赫兹(THz)波段,随着入射角度的增加,透射非倒易性的效果越明显,研究穿孔金属/反铁磁结构的光透射非倒易性可为反铁磁器件的设计加工提供理论基础.
- 王相光张强付淑芳周胜
- 关键词：反铁磁
- 反铁磁薄膜磁极化子的色散性质
- 2009年
- 研究当外场平行于反铁磁薄膜(d=500um)的各向异性轴时,其体极化子和表面极化子的色散性质.在外场的作用下体极化子由原来的两个窗口分裂成三个窗口;表面极化子也由原来的一个窗口分裂成两个窗口并且仍然满足互易性.
- 吕丹高欣华付淑芳王选章
- 关键词：表面极化子
- Voigt位型下反铁磁/电介质/穿孔金属三明治结构二次谐波生成
- 2016年
- 在反铁磁/电介质/穿孔金属三明治结构中,利用传输矩阵的方法研究Voigt位型下二次谐波的生成,发现泵浦波的频率和穿孔金属孔大小、间距对二次谐波的生成有很大影响.当泵浦波垂直入射时,由于穿孔金属介电函数特殊性质,使三明治结构中的磁性介质中光局域化效果增强,二次谐波输出能流密度对比反铁磁单层膜有了很大提高.该研究为二次谐波转换器件、反铁磁器件的小型化提供了理论依据.
- 胡景莹张强付淑芳王相光郭鹏杨瑞王启宇刘林峰周胜
- 关键词：二次谐波传输矩阵
- 增强一维电介质/石墨烯/反铁磁结构的法拉第效应理论分析被引量：1
- 2016年
- 通过理论分析和数值模拟的方法研究了在一维空间中Faraday位型下石墨烯/反铁磁模型和电介质/石墨烯/反铁磁/电介质模型的线性效应.
- 马静付淑芳
- 关键词：反铁磁石墨烯电介质太赫兹
- 制造业信息化综合集成技术的开发与应用被引量：2
- 2010年
- 以北京石油机械厂(以下简称北石厂)信息化综合集成平台建设为例,阐述了制造业信息化集成系统的目标以及实施方案,重点介绍了实现PDM与ERP系统集成以及实现PDM与DNC系统的集成的技术开发与应用效果。实现了基于集成的管理创新和设计创新,消除了企业在异构信息系统下的信息孤岛问题,以及业务流、数据流无法协同的瓶颈问题。解决了以小批量多品种生产为主要特征的生产企业实现数字化和网络化制造所需要的信息集成问题,初步实现PLM与ERP系统互操作的协同。
- 沈克郭彪刘延辉张洪威付淑芳谷月
- 关键词：制造业PDMERPDNC信息系统
- 太赫兹频域内反铁磁体薄膜中的和频生成
- 在反铁磁体的超晶格结构下,和频的反射率光谱和透射率光谱将会被讨论。被应用在一些几何学中,其各项异性轴和外部静电场与薄膜表面积和正常入射都平行。结果表明反射光谱和透射光谱取决于入射角和反铁磁体的厚度。
- 张玉琦付淑芳
- 关键词：和频透射超晶格
- 文献传递
- 磁场作用下的高分子液晶流的相变过程
- 2008年
- 利用Doi理论研究在磁场和剪切流同时作用下的高分子液晶的分子动力学问题。由于系统受到磁场的影响,在低剪切率范围内出现一种新型的稳定状态(new aligning)。并且这一领域随磁场强度的增加不断地扩大,进而导致了不稳定状态(tumbling)领域的逐渐减小,直至消失。因此,系统在这一领域的有序度可以被大幅度的提高。另一方面,在通常意义下的稳定状态(normal aligning)领域内,剪切率产生的力矩大于磁场产生的力矩,因而系统的有序度提高的幅度很小。
- 徐威付淑芳白晶张喜田
- 关键词：磁场剪切流有序度
