沈文忠
- 作品数：16 被引量：7H指数：1
- 供职机构：中国科学院上海技术物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学机械工程更多>>
- 应变单量子阱InGaAs／GaAs的光谱研究
- 1994年
- 应变单量子阱ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ的光谱研究沈文忠，唐文国，沈学础（中国科学院上海技术物理研究所，红外物理国家重点实验室，上海２０００８３）近来，人们对ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ／ＧａＡｓ应变超晶格和量子阱结构产生了浓厚的兴趣是基于高速器件设计的需要。随着...
- 沈文忠唐文国沈学础
- 关键词：INGAAS/GAAS光谱研究
- δ掺杂的赝配HEMTAlGaAs／InGaAs／GaAs结构的光电流谱
- 1995年
- 本文首次报道了δ掺杂的赝配高电子迁移率晶体管结构（ＨＥＭＴＳ）Ａｌ０．３０Ｇａ０．７０Ａｓ／Ｉｎ０．１５Ｇａ０．８５Ａｓ／ＧａＡｓ的光电流谱研究．实验观察到了ｎ＝１重空穴子带到ｎ＝１电子子带和ｎ＝２电子子带的激子吸收峰以及ＧａＡｓ本征吸收相位变化所引起的光电流结构，并对光电流谱随温度和偏压变化的行为进行了讨论．
- 沈文忠黄醒良唐文国李自元沈学础
- 关键词：HEMT光电流谱AIGAASINGAAS砷化镓
- Fe掺杂Hg_(1-x)Cd_xTe材料的光谱与电学研究被引量：1
- 1997年
- 利用红外光谱、光致发光光谱与Hall测量等手段，对Fe掺杂Hg1-xCdxTe体单晶样品进行实验，研究了Fe在Hg1-xCdxTe中的杂质行为，发现Fe掺杂在Hg1－xCdxTe中引入一个位于导带底下方约80meV的施主能级，并且发现掺杂HgCdTe中的Fe元素在低于180K温度下基本上不表现出电活性，但它能够起非辐射复合中心的作用，影响材料的非平衡载流子寿命，在积分光致发光强度的温度变化关系中明显地反映出来．
- 常勇褚君浩唐文国沈文忠汤定元叶润清
- 关键词：红外探测器光谱掺杂半导体材料
- δ掺杂的赝形高电子迁移率晶体管AIGaAs/InGaAs/GaAs结构中的费密边奇异性研究
- 1995年
- 报道了δ掺杂赝形高电子迁移率晶体管结构Al_(0.30)Ga_(0.70)As/In_(0.15)Ga_(0.85)As/GaAs的光致发光光谱研究的实验结果,除了观察到n=1电子子带到n=1重空穴子带,n=2电子子带到n=1重空穴子带间的强发光峰,还观察到了n=1电子子带到n=1轻空穴子带的弱发光峰,通过变化掺杂浓度来改变费密能级的位置,在这种δ掺杂的HEMTs系统中观察到了费密边奇异性,并把它归结为费密海与费密边附近未占据的第二电子子带之间的近共振散射作用所致。
- 沈文忠唐文国沈学础A.DIMOULAS
- 关键词：ALGAAS砷化镓晶体管
- δ掺杂的赝形高电子迁移率晶体管AlGaAs/InGaAs/GaAs结构的光谱研究被引量：1
- 1995年
- 报道δ掺杂赝形高电子迁移率晶体管结构Al(?)Ga(?)As/In(?)Ga(?),As/GaAs的综合光谱研究结果。采用光致发光光谱,平面光电流谱和光致发光激发光谱方法,并与理论计算相对比,确认了光致发光谱上n=1电子子带n=2电子子带到n=1重空穴子带间的强发光峰,对弱峰C的研究表明它是n=1电子子带到n=1轻空穴子带复合跃迁的发光峰。由于费密能级高于第二电子子带,没有发现文献中曾报道过的属于费密边的发光峰;平面光电流谱和光致发光激发光谱观察到n=1重空穴子带到n=1,2,3电子子带的三个激子跃迁峰。与调制掺杂AlGaAs/InGaAs/GaAs系统相比,δ掺杂高电子迁移率晶体管系统载流子转移效串明显提高,但面载流子浓度对InGaAs阱的重整化效应和有效带隙的影响并不十分强烈。
- 沈文忠唐文国沈学础A.DIMOULAS
- 关键词：电子迁移率INGAAS砷化镓晶体管
- Hg_（1－x）Cd_xTe的扫描光致发光研究
- 1996年
- 用傅里叶变换红外扫描光致发光方法研究了Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ体单晶样品，该方法可直接得到ＨｇＣｄＴｅ晶片组分的二维平面分布，并可得到辐射复合在复合机制中所占比重的平面分布。
- 常勇褚君浩唐文国沈文忠茅文英汤定元
- 关键词：光致发光汞镉碲晶体
- 新型同质结构远红外探测器(英文)被引量：1
- 2000年
- 从理论和实验两方面简要评述了 p- Ga As和 Si同质结界面功函数内光发射 (HIWIP)远红外 (>40μm)探测器的最新发展 .重点讨论了此探测器的光响应机制和探测器性能 .结果表明 ,p- Ga As和 Si的
- 沈文忠
- 关键词：探测器
- GaAs／AlGaAs多量子阱红外探测器的光电流谱
- 1994年
- 测量了ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ多量子阱红外探测器在零偏压、小偏流和大偏压等条件下的光电流谱，并结合理论计算的光跃迁能量讨论了光电流谱的多峰结构和异常增强特性。
- 黄醒良沈文忠陆卫穆耀明沈学础
- 关键词：多量子阱红外探测器光电流谱
- 应变量子阱结构的光谱研究
- 沈文忠
- 关键词：应变量子阱量子阱材料半导体材料
- Sb掺杂Hg_(1-x)Cd_xTe的光致发光
- 1997年
- 对不同Ｓｂ掺杂浓度Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ（ｘ≈０３８）样品在３９—１１５Ｋ的温度范围内进行了光致发光实验测量，观察到与局域激子、带到带和施主受主对有关的辐射复合过程．
- 常勇褚君浩唐文国沈文忠汤定元
- 关键词：HGCDTE铅光致发光红外材料
