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孙亚宾

作品数：36 被引量：2H指数：1
供职机构：华东师范大学更多>>
发文基金：上海市科学技术委员会资助项目国家自然科学基金国家科技重大专项更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 30篇专利
  • 6篇期刊文章

领域

  • 18篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 17篇晶体管
  • 12篇场效应
  • 10篇沟道
  • 10篇场效应晶体管
  • 7篇可重构
  • 6篇寄生电容
  • 5篇电流
  • 5篇阈值电压
  • 5篇纳米
  • 4篇电容
  • 4篇栅极
  • 4篇双极型
  • 4篇双极型晶体管
  • 4篇隧穿
  • 4篇基极
  • 4篇基极电流
  • 4篇辐射环境
  • 3篇电路
  • 3篇堆叠
  • 3篇载流子

机构

  • 36篇华东师范大学
  • 5篇上海华力微电...
  • 2篇捷捷微电(上...
  • 1篇华南理工大学
  • 1篇上海空间电源...

作者

  • 36篇孙亚宾
  • 29篇石艳玲
  • 27篇李小进
  • 6篇刘赟
  • 5篇郑芳林
  • 4篇孙立杰
  • 2篇汪超
  • 2篇任佳琪
  • 2篇曾严
  • 1篇卓康
  • 1篇陈波

传媒

  • 5篇微电子学
  • 1篇半导体技术

年份

  • 5篇2024
  • 6篇2023
  • 7篇2022
  • 5篇2021
  • 5篇2020
  • 4篇2019
  • 1篇2018
  • 1篇2017
  • 2篇2016
共 36 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
新型独立三栅FinFET单粒子瞬态效应TCAD分析被引量：1
2020年
针对独立三栅FinFET器件及其反相器的单粒子瞬态效应展开了深入研究。首先分析了N型独立三栅器件中最敏感区域的位置以及不同工作电压对器件敏感性的影响。然后,基于独立三栅器件独特的电流控制方式搭建五种不同工作模式的反相器单元,对重离子撞击NMOS下拉管最敏感区域的单粒子瞬态效应(SET)敏感性进行了比较。三维数值TCAD仿真结果表明,脉冲峰值电流与重离子在沟道中的路径体积成正比,且最敏感区域为漏与沟道之间的空间电荷区,工作电压会影响沟道势垒,从而影响器件的SET。另外,不同工作模式的反相器对改善抗辐照能力具有参考意义。
韩燕燕孙亚宾李小进石艳玲
关键词：重离子辐射反相器
一种非对称双栅结构的纳米管隧穿晶体管
本发明公开了一种非对称双栅结构的纳米管隧穿晶体管，包括内部栅极、内部高介电常数栅极氧化物、沟道重叠区、源极一侧沟道非重叠区、漏极一侧沟道非重叠区、外部高介电常数栅极氧化物、外部栅极、源极、漏极、内部漏极介质隔离层、外部漏...
王雪珂石艳玲孙亚宾李小进刘赟
一种源漏双掺杂可重构场效应晶体管
本发明公开了一种源漏双掺杂可重构场效应晶体管，包括鳍型沟道，设于鳍型沟道两端具有三层结构的源端和漏端，设于鳍型沟道左右两侧对称分布的边墙，与边墙接触、三面包裹鳍型沟道且对称分布于鳍型沟道左右两侧的栅极氧化物，三面包裹栅极...
孙亚宾张芮石艳玲刘赟李小进
纳米片环栅场效应晶体管金属功函数波动电路仿真方法
本发明公开了一种纳米片环栅场效应晶体管金属功函数波动电路仿真方法，属于微电子器件领域。该电路仿真方法首先基于BSIM‑CMG模型对纳米片环栅场效应晶体管的IV以及CV数据对其进行全局模型提取，再利用计算公式得到金属功函数...
徐思逸孙亚宾石艳玲李小进
一种多层堆叠的环栅场效应晶体管沟道温度预测的方法
本发明公开了一种多层堆叠的环栅场效应晶体管沟道温度预测的方法，包括：步骤一：获取多层堆叠的环栅场效应晶体管的结构参数和热学参数；步骤二：基于有限元仿真工具，搭建第一类去嵌入结构；步骤三：提取各层沟道的结构热阻；步骤四：基...
刘人华李小进孙亚宾石艳玲
文献传递
一种用于存储的三栅可重构场效应晶体管
本发明公开了一种用于存储的三栅可重构场效应晶体管（RFET），设于沟道左右两侧对称分布的边墙，沟道中间区域由锗硅环绕，与边墙接触、环绕沟道的栅极氧化物，两个极性栅极对称分布两侧并环绕于栅极氧化物，控制栅极环绕在锗硅上的栅...
孙亚宾邹欣宇石艳玲李小进
一种基于分段式优化神经网络的通用器件建模方法
本发明公开了一种基于分段式优化神经网络的通用器件建模方法，属于半导体器件建模领域。本发明将输入数据划分为多个不同电压工作区域，然后分别建立损失函数加权相加，从而实现神经网络对不同电压工作区域灵活高效训练。通过调节不同区域...
孙亚宾卓康石艳玲李小进
一种具有齿状侧墙的可重构场效应晶体管
本发明公开了一种具有齿状侧墙的可重构场效应晶体管，包括水平排列的鳍式沟道或水平排列的纳米片沟道或纳米线沟道，在沟道两端、每条沟道伸入其中约1/14沟道长度的源、漏，包裹沟道的栅极氧化物，包裹栅极氧化物的控制栅极和极性栅极...
孙亚宾汪超石艳玲李小进
一种功率器件漏源寄生电容子电路模型及其建模方法
本发明公开了一种功率器件漏源寄生电容子电路模型及其建模方法，在本发明中，采用在漏端节点和源端节点之间加入可变电容的方法来对漏源电容Cds建模。首先结合流片器件的漏源电容电压的实测数据，利用Origin数据处理软件处理数据...
孙亚宾谢沛东刘赟石艳玲李小进顾昀浦刘静
文献传递
低频交流应力模式下NBTI退化预测的解析方法及系统
本发明提出了一种低频交流应力模式下NBTI退化预测的解析方法，包括以下步骤：步骤一：获取p‑MOSFET器件的NBTI退化反应‑扩散模型参数；步骤二：基于基础反应‑扩散理论和H<Sub>2</Sub>的锁定效应，得出描述...
李小进张珀菁曾严孙亚宾石艳玲
文献传递
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