王鹏
- 作品数：8 被引量：4H指数：1
- 供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所更多>>
- 相关领域：电子电信文化科学更多>>
- 应用于柔性电子的超薄硅基芯片研究进展
- 2023年
- 柔性电子技术在近些年得到了快速发展,越来越多的柔性电子系统需要柔性、高性能的集成电路来实现数据处理和通信。通过减薄硅基芯片可以获得高性能的柔性集成电路,但是硅基芯片减薄之后的性能有可能发生变化,并且在制备、转移、封装的过程中极易产生缺陷或者破碎,导致芯片性能退化甚至失效。因此,超薄硅基芯片的制备工艺和柔性封装技术对于制备高可靠性的柔性硅基芯片十分关键。在此背景下,文章综述了柔性硅基芯片的力学和电学特性研究进展,介绍了几种超薄硅基芯片的减薄工艺和柔性封装前沿技术,并对超薄硅基芯片在柔性电子领域的应用和发展进行了总结和展望,为柔性硅基芯片技术的进一步研究提供参考。
- 唐新悦洪敏罗婷陈仙张静张静张培健王鹏
- 一种锗硅异质结双极晶体管及其制造方法
- 本发明提供一种锗硅异质结双极晶体管及其制造方法，本发明采用赝埋层、基极接触面呈楔形和镍硅工艺，在衬底中形成赝埋层，在衬底的正面形成基极，基极的第一基区和第二基区接触面为楔形，在第一基区上形成楔形介电结构为侧面的沟槽，以楔...
- 张培健易孝辉陈仙洪敏魏佳男唐新悦朱坤峰谭开州罗婷张静徐学良付晓君王鹏
- 深槽隔离双极晶体管及其制造方法
- 本发明提供一种深槽隔离双极晶体管及其制造方法，通过设置在第一杂质类型衬底内的第一杂质类型重掺杂区，在过剩载流子向集电区‑衬底PN结输运的路径上引入了高复合率区域，减少了被集电区收集的过剩载流子数量，能够有效降低瞬时光电流...
- 罗婷魏佳男张培健付晓君王鹏陈仙易孝辉
- 一种基于时间域的4倍插值高能效Flash ADC
- 2022年
- 采用65 nm CMOS工艺,基于时间域4倍插值技术,设计了一款6位3.4 GS/s Flash ADC。该插值技术可以将N位Flash ADC的比较器数量从传统的2^(N)-1减少到2^(N-2)。与传统插值技术不同,该技术利用简单的SR锁存器有效地实现了4倍插值因子,而无需额外的时钟和校准硬件开销,在插值阶段只需要校准2^(N-2)个比较器的失调电压。在不同的工艺角、电源电压和温度(PVT)下,SR锁存器中的失调电压不超过±0.5 LSB。该ADC的采样频率达到3.4 GS/s,其在Nyquist输入时的ENOB达到5.4位,在1V电源下消耗12.6 mW的功耗,其Walden FoM值为89 fJ/(conv·step)。
- 刘建伟姜俊逸叶雅倩杨曼琳王鹏王鹏王育新付晓君
- 功率半导体器件及其制造方法
- 本发明提供了一种功率半导体器件及其制造方法，在外延层的终端区中设置多个沿第一方向贯穿外延层延伸至衬底中的第二电阻场板结构，且多个第二电阻场板结构在第一平面内呈放射状设置，从靠近元胞区的一侧延伸至远离元胞区的一侧，多个紧耦...
- 谭开洲肖添张嘉浩杨永晖蒋和全李儒章张培健钟怡王鹏王育新付晓君唐昭焕
- 文献传递
- 一种抗辐射高压MOSFET驱动器的设计被引量：4
- 2016年
- 在航天和核物理技术中对抗辐射高压功率电路的需求也越来越强烈。介绍了一种抗辐射高压金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)驱动器的设计,该电路基于0.5μm双极-互补金属氧化物半导体-双重扩散金属氧化物半导体(BCD)工艺研制,采用特殊的线路结构,并通过版图设计对闩锁效应、场区和电参数进行抗辐射加固,抗总剂量辐射效应可达到300 krad(Si)。同时,该电路工作电压可达40 V,兼容逻辑门电路(TTL)/互补金属氧化物半导体(CMOS)输入,输出峰值电流1.5 A,可广泛用于航天、核物理实验装备等功率驱动部位。
- 王鹏徐青杭丽付晓君
- 关键词：抗辐射加固
- 电阻场板非对称栅场效应器件及其制备方法
- 本发明提供一种电阻场板非对称栅场效应器件及其制备方法，该电阻场板非对称栅场效应器件的最小可重复单元中设置有两个不对称的深槽型电阻场板结构，第一个电阻场板结构的顶端设有MOSFET结构且其与MOSFET结构的源极电极连接，...
- 谭开洲肖添张嘉浩杨永晖蒋和全李儒章张培健钟怡李孝权王鹏飞王鹏王育新唐昭焕裴颖李光波
- 一种带漏电流消除技术的低导通电阻平坦度模拟开关
- 本发明涉及一种带漏电流消除技术的低导通电阻平坦度模拟开关，属于半导体技术领域。包括：第一PMOS晶体管、第一NMOS晶体管；第一PMOS晶体管的源极和漏极分别与第一NMOS晶体管的源极和漏极相连接，并作为模拟开关的输入端...
- 张盼盼徐青孟华群杭丽王鹏甘明富高兴国赵思源
- 文献传递
