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李明

作品数：13 被引量：1H指数：1
供职机构：中国电子科技集团第二十研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 10篇专利
  • 3篇期刊文章

领域

  • 4篇电子电信

主题

  • 10篇天线
  • 4篇极化
  • 3篇圆极化
  • 3篇馈电
  • 2篇带宽
  • 2篇电路
  • 2篇多晶
  • 2篇圆极化天线
  • 2篇天线带宽
  • 2篇天线单元
  • 2篇天线阵
  • 2篇耦合馈电
  • 2篇卫星
  • 2篇线阵
  • 2篇小型宽带
  • 2篇抗干扰
  • 2篇刻蚀
  • 2篇宽带
  • 2篇互连
  • 2篇互连线

机构

  • 13篇中国电子科技...

作者

  • 13篇李明
  • 9篇张海光
  • 8篇郭卫展
  • 8篇尤浩
  • 8篇张佳
  • 7篇张骅
  • 6篇梁西铭
  • 4篇赵晶
  • 2篇舒钰
  • 2篇胡霄
  • 1篇李斌
  • 1篇刘海燕
  • 1篇魏敬法

传媒

  • 3篇现代导航

年份

  • 1篇2021
  • 1篇2020
  • 2篇2019
  • 2篇2018
  • 4篇2017
  • 3篇2016
共 13 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
全向宽带多极化天线的设计
2020年
针对军民两用机场对不同极化方式电台天线的新需求,本文介绍了一种全向宽带多极化天线,该天线由多个倾斜天线阵元组成,具备宽频带、多极化及全向辐射等特点。文中分析了不同倾斜角度对天线H面水平极化增益与垂直极化增益的影响。仿真结果表明,天线在不同极化增益配比下具备良好的全向辐射特性。
李明高世阳
关键词：宽带多极化全向
一种小型宽带圆极化天线
本发明提供了一种小型宽带圆极化天线，包括依次贴合的耦合辐射介质板、粘接层、支撑介质板和馈电板，馈电板位于支撑介质板下方，且通过短路探针和馈电探针连接。耦合辐射介质板、支撑介质板和馈电板之间通过耦合馈电有效展宽天线带宽，短...
张佳张海光许奎尤浩梁西铭张骅赵晶郭卫展李明
一种弹载阵列天线的设计被引量：1
2017年
本文介绍了一种弹载共形阵列天线,该阵列由三个单频天线及一个双频天线组成,具备耐高温、宽波束等特点。从仿真结果看该阵列天线增益达到了2d B,天线的轴向轴比小于3d B,波束宽度达到了95°,能够在旋转过程中稳定有效的接收信号。
李明姚懿玲
关键词：共形耐高温
一种小型宽带圆极化天线
本发明提供了一种小型宽带圆极化天线，包括依次贴合的耦合辐射介质板、粘接层、支撑介质板和馈电板，馈电板位于支撑介质板下方，且通过短路探针和馈电探针连接。耦合辐射介质板、支撑介质板和馈电板之间通过耦合馈电有效展宽天线带宽，短...
张佳张海光许奎尤浩梁西铭张骅赵晶郭卫展李明
文献传递
一种利用辅助结构制备多晶SiGe栅的PMOS控制电路方法
本发明提供了一种利用辅助结构制备多晶SiGe栅的PMOS控制电路方法，首先制造出N阱，并在N阱上生长Poly-SiGe/SiO<Sub>2</Sub>/Poly-Si多层结构；将Poly-Si刻蚀成窗口，再淀积一层SiN...
张海光舒钰张佳胡霄郭卫展李明许奎尤浩
文献传递
一种甚低频近场发射系统
本发明提供了一种甚低频近场发射系统，发射天线包括环形辐射体、阻抗匹配器和N型射频线缆；环形辐射体由紫铜片形成一个下部缺口的非闭合环；阻抗匹配器在屏蔽壳体内采用漆包线均匀绕铁氧体磁环，铜棒从铁氧体磁环中心圆孔穿过，两端分别...
张海光尤浩许奎梁西铭张佳李明张骅赵晶郭卫展
文献传递
一种高隔离度双极化去耦抗干扰天线阵列
本发明提供了一种高隔离度双极化去耦抗干扰天线阵列，下层介质基板双面覆铜，下层馈电网络由180°功分移相网络和零相位馈线组成，输入端分别和射频线缆连接；上层介质基板单面覆铜，上表面为上层辐射贴片；馈电探针一端焊接在下层介质...
张海光师彬李明张骅魏敬法赵晶
文献传递
一种超短波通信天线阵
本发明提供了一种超短波通信天线阵，包括轴向天线阵、天线内部接地杆和玻璃钢支架，所述的轴向天线阵包括等间距串接的三个完全相同的天线单元；所述玻璃钢支架为中空圆柱，同轴固连在相邻两个天线单元之间；所述天线内部接地杆同轴贯穿三...
张海光梁西铭张佳许奎郭卫展张骅尤浩李明
文献传递
一种多系统天线嵌套环形阵
本发明提供了一种多系统天线嵌套环形阵，包括阵列底板和若干不同系统的天线单元，所有不同系统的天线单元均分布在矩形的阵列底板上，且各个天线单元不重叠，其中，每个系统均有一个天线单元作为参考单元位于阵列底板的中心位置，每个系统...
刘海燕李明尤浩张海光张佳许奎梁西铭张骅郭卫展
文献传递
利用辅助结构制备多晶SiGe栅的纳米级PMOS控制电路方法
本发明提供了一种利用辅助结构制备多晶SiGe栅的纳米级PMOS控制电路方法，首先制造出N阱，并在N阱上生长Poly-SiGe/SiN/Poly-Si多层结构；将Poly-Si刻蚀成窗口，再淀积SiN；刻蚀掉表面的SiN层...
张佳舒钰张海光胡霄郭卫展李明许奎尤浩
文献传递
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共2页<12>
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