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王影

作品数：9 被引量：18H指数：3
供职机构：电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室更多>>
发文基金：国家自然科学基金中央高校基本科研业务费专项资金教育部“新世纪优秀人才支持计划”更多>>
相关领域：电子电信电气工程理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 7篇期刊文章
  • 2篇会议论文

领域

  • 4篇电子电信
  • 2篇电气工程
  • 2篇理学

主题

  • 4篇电池
  • 3篇离子
  • 3篇离子电池
  • 3篇负极
  • 2篇低噪
  • 2篇低噪声
  • 2篇锂离子
  • 2篇锂离子电池
  • 2篇滤波器
  • 2篇负极材料
  • 2篇CIGS
  • 1篇带隙基准
  • 1篇带隙基准源
  • 1篇低功耗
  • 1篇低静态电流
  • 1篇低通
  • 1篇低通滤波
  • 1篇低通滤波器
  • 1篇低温度系数
  • 1篇低压差

机构

  • 9篇电子科技大学
  • 1篇四川大学
  • 1篇浙江大学

作者

  • 9篇王影
  • 5篇李晶泽
  • 4篇张国俊
  • 4篇陈远龙
  • 4篇张涛
  • 3篇周爱军
  • 2篇戴新义
  • 1篇徐晓辉
  • 1篇黄宗令
  • 1篇高涛
  • 1篇邹崴
  • 1篇杜敬芳
  • 1篇张海全
  • 1篇赵林娜

传媒

  • 2篇电子元件与材...
  • 1篇稀有金属材料...
  • 1篇电子技术（上...
  • 1篇微电子学与计...
  • 1篇西南民族大学...
  • 1篇中国科学：化...

年份

  • 4篇2016
  • 3篇2014
  • 2篇2012
共 9 条 记 录，以下是 1-9
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排序方式：
丝网印刷工艺制备铜铟镓硒(CIGS)薄膜被引量：1
2012年
通过球磨CuIn0.75Ga0.25Se2颗粒获得纳米粉末,采用丝网印刷工艺制备CIGS薄膜,研究了硒化温度和不同高温后处理方式对CIGS薄膜表面形貌及晶体结构的影响.结果表明,采用丝网印刷工艺可以制备出均匀致密单一相的CIGS薄膜.硒化的温度越高,薄膜的结晶性越好.在600℃下,采用硫化锑(Sb2S3)代替硒源可以有效地改善CIGS薄膜的结晶性.
赵林娜王影周爱军李晶泽高涛
关键词：丝网印刷工艺铜铟镓硒
一种高电源抑制比低噪声的带隙基准源被引量：2
2016年
基于SMIC 0.18μm CMOS工艺,设计了一种高电源抑制比低噪声的带隙基准源。此电路在3.3V电源电压下具有较好的温度系数,-40℃~125℃范围内的温度系数为8.6 ppm/℃,带隙基准电路输出电压约为1.195V。通过在基准中运放加入电源抑制比增强级电路提高中低频范围PSRR性能,在电路输出端再引入低通滤波器电路以提高中高频范围PSRR性能,并且低通滤波器有助于降低整个电路的噪声。采用Spectre软件进行仿真,结果显示,电源抑制比为-130.4@dc,-77.6@100KHz,输出噪声为24.8n V@100KHz。该带隙基准源电路非常适合于应用在高电源电压抑制比、低噪声的LDO电路中。
张涛陈远龙王影张国俊
关键词：带隙基准低噪声低通滤波器
金属预置层后硒化法制备CIGS薄膜的研究进展被引量：1
2014年
系统综述了国内外采用金属预置层后硒化法制备Cu(In,Ga)Se2(CIGS)薄膜的研究进展,重点从预置层制备过程中靶材的选择、叠层方式以及后硒化过程中硒源种类和硒化方式的选择等几个方面对各种工艺的优点、存在的问题和可能的解决方案进行讨论,并对金属预置层后硒化法的发展前景和趋势进行了展望。
王影周爱军戴新义冯利东徐晓辉杜敬芳李晶泽
关键词：CIGS薄膜太阳电池
降压型DC-DC转换器的二次斜坡补偿电路设计被引量：3
2016年
考虑到传统线性斜坡补偿对开关电源系统带载能力和瞬态响应的影响,利用与频率成正比的充放电电流形成一次斜坡电流,再利用其一次特性与双极性晶体管的输入、输出特性实现了一种工作频率可变的,斜坡峰值电流随占空比变化的二次特性的斜坡补偿,使斜坡补偿所带来的不足有效减小.最后利用HHNEC 0.35μm的BCD工艺,及Hspice仿真软件对电路进行了仿真验证.
陈远龙张涛王影张国俊
关键词：瞬态响应
一种低功耗亚阈值全MOS管基准电压源的设计被引量：7
2016年
分析了工作在亚阈值区、线性区和饱和区的MOS晶体管不同电流特性,设计了一种低功耗全MOS基准电压源电路。使用工作在线性区的MOS晶体管代替普通常规电阻,使整个电路实现全MOS基准源的特性,同时有效减小电路芯片面积,并且输出基准电压为线性区MOS管提供偏压以进一步降低功耗。基于SMIC 0.18μm CMOS工艺设计电路。仿真结果表明此电路在1.8 V电源电压下,–50^+150℃的温度系数为22.6×10–6/℃,基准电压源输出电压约为992 m V,25℃时静态电流为327.3 n A,电路总静态功耗为0.59μW,10 k Hz时的电源抑制比为–25.36 d B。
张涛陈远龙王影曾敬源张国俊
关键词：基准电压源亚阈值低功耗低温度系数
锂离子电池负极材料钛酸锂电极片包覆ZnO对电化学性能的影响
作为零应变材料,钛酸锂被广泛认为是最有潜力的高能锂电池负极材料之一。目前主要是对粉体材料进行掺杂、包覆、复合、纳米化及形貌控制等来提高材料的电化学性能。近来,雷[1]及王[2]等人的研究结果表明:随着放电窗口的扩展,Li...
王影冯利东戴新义李晶泽
关键词：氧化锌钛酸锂磁控溅射技术锂离子电池
文献传递
Li4Ti5O12负极在储能锂离子电池中的应用
王影张海全周爱军李晶泽
低噪声快速建立的全片内LDO设计被引量：3
2016年
提出了一种集成于射频芯片的低噪声、快速建立的低压差线性稳压器(LDO)。分析了传统LDO的主要噪声源,在综合考虑芯片的噪声、静态电流和面积后,采用超低频低通滤波器,对LDO的输出噪声进行优化。基于SMIC 0.18μm工艺,采用Cadence软件对电路进行仿真。结果表明,10 Hz到100 k Hz之间的输出积分噪声电压为17μV,建立时间小于18μs,总静态电流为24μA,满足LDO的应用要求。
陈远龙张涛王影张国俊
关键词：低压差线性稳压器低噪声低静态电流
溶胶-凝胶前驱体喷雾干燥法制备钠离子电池Na_2Ti_3O_7@MWCNTs负极材料被引量：1
2014年
本文采用溶胶-凝胶前驱体喷雾干燥法制备了Na2Ti3O7@MWCNTs(多壁碳纳米管)复合材料,用于钠离子电池的负极.这种方法得到的Na2Ti3O7球形壳层包裹纳米Na2Ti3O7@MWCNTs复合材料的结构与用固相烧结法、简单溶胶-凝胶法制备的Na2Ti3O7-MWCNTs复合材料在电化学性能上相比,具有倍率性能好、小电流下50次循环后比容量衰减小等优势.
邹崴王影黄宗令李晶泽
关键词：钠离子电池溶胶-凝胶
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