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牛旭博

作品数:4 被引量:8H指数:2
供职机构:电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:电气工程一般工业技术电子电信更多>>

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇电气工程
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇电子电信

主题

  • 2篇隔离器
  • 2篇CU掺杂
  • 2篇掺杂
  • 1篇电性能
  • 1篇电压驻波比
  • 1篇电阻
  • 1篇电阻器
  • 1篇电阻温度系数
  • 1篇旋磁
  • 1篇铁氧体
  • 1篇驻波
  • 1篇驻波比
  • 1篇微波功率
  • 1篇微波集成
  • 1篇微波系统
  • 1篇环形器
  • 1篇基片
  • 1篇光刻
  • 1篇光刻工艺
  • 1篇方阻

机构

  • 4篇电子科技大学

作者

  • 4篇牛旭博
  • 3篇张怀武

传媒

  • 2篇压电与声光
  • 1篇电子元件与材...

年份

  • 2篇2014
  • 1篇2013
  • 1篇2012
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
微波集成隔离器的仿真与设计被引量:5
2013年
通过在旋磁基片上集成结环行器和TaN功率薄膜负载,设计出了小型化的微波隔离器。利用电磁场仿真软件HFSS对设计进行建模、分析和改进,得到在8~9GHz内,隔离度大于20dB,插入损耗小于0.5dB,电压驻波比小于1.25的集成化隔离器。设计所得的微波隔离器达到了应用的指标,且符合微波通信器件小型化和集成化的发展要求。
计量张怀武牛旭博
关键词:HFSS电压驻波比
Cu掺杂对TaN薄膜的电性能影响研究被引量:2
2014年
采用反应直流磁控溅射法在镍锌铁氧体基片上制备Cu掺杂的TaN薄膜。通过调节氮流量,研究了不同氮流量下Cu掺杂对TaN薄膜电性能的影响。由XRD结果可见,TaN薄膜中掺杂Cu可在2θ=54°出现Cu3N相,在2θ=57°出现CuN6相。氮流量的增加造成的结果:Cu掺杂的TaN薄膜厚度逐渐减小,薄膜的方阻和电阻温度系数(TCR)绝对值均增加。与无Cu掺杂的TaN薄膜的方阻和TCR作了比较,发现TaN薄膜掺杂Cu可有效改善薄膜的方阻和TCR。
牛旭博张怀武黄子宽
关键词:CU掺杂方阻
旋磁基片DC-10GHz微波功率电阻器设计制作被引量:1
2012年
基于旋磁基片设计并通过光刻工艺制作DC-10 GHz微波电阻器。通过HFSS仿真设计制作DC-10 GHz电阻器,采用磁控反应溅射制作TaN薄膜,电压驻波比VSWR均小于1.25。旋磁基片微波电阻器相对于应用广泛的氧化铝基片微波电阻器,可直接集成于同样以旋磁为基片的结环行器中,从而能制作出更加小型化的微波隔离器,有效减小器件体积,符合现代通信产品小型化、集成化的发展要求。
计量张怀武牛旭博
关键词:薄膜电阻器光刻工艺
铁氧体基上TaN微波功率薄膜负载及隔离器研究
所有的微波系统均是由众多作用不同的微波元件和微波器件共同构成的。微波器件的小型化和集成化又是目前应用领域发展的热点问题。微波功率负载作为微波器件和微波系统中的一类通用元件,在通讯、雷达、探测等领域的应用是广泛的。本论文在...
牛旭博
关键词:铁氧体隔离器CU掺杂微波系统
文献传递
共1页<1>
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