孙杰杰
- 作品数：22 被引量：2H指数：1
- 供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术电气工程更多>>
- 一种用于反熔丝FPGA中隔离电路的闭环控制结构
- 本发明公开一种用于反熔丝FPGA中隔离电路的闭环控制结构，属于集成电路领域。本发明采用1#电荷泵来控制NMOS晶体管HVN1开关通断，通过芯片电源将隔离电路的栅电容电压充电到芯片电源电压值附近，解决了2#电荷泵在输出负载...
- 马金龙赵桂林代志双曹靓蔺旭辉杨霄垒孙杰杰
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- 一种用于反熔丝FPGA中的电平转换电路
- 本发明公开一种用于反熔丝FPGA中的电平转换电路，属于集成电路领域。本发明在常规的四管电平转换结构中，增加4颗高压MOS晶体管，引入中间电压，使每颗MOS管在电平转换工作时都不会超出限定的源漏电压值来有效抑制热载流子效应...
- 马金龙赵桂林张长胜曹靓蔺旭辉杨霄垒孙杰杰
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- 一种适用于MTM反熔丝PROM的编程器
- 本发明涉及一种适用于MTM反熔丝PROM的编程器，包括对PROM电路基本的空检、读出、编程及校验功能，还增加了对MTM反熔丝PROM的冗余反熔丝单元的测试功能。此编程器正常模式下的功能可以满足使用者对PROM电路的基本操...
- 于跃孙杰杰胡小琴徐睿
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- 一种MTM反熔丝FPGA的编程方法
- 本发明公开一种MTM反熔丝FPGA的编程方法，属于可编程反熔丝技术领域。对于每一个反熔丝的编程，先施加正向编程脉冲，然后再施加反向编程脉冲；其中，对选定编程的反熔丝施加每一个编程脉冲之前，对布线轨线进行预充电；对选定编程...
- 马金龙赵桂林吴素贞隽扬封晴杨霄垒孙杰杰曹靓
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- 一种适用于MTM反熔丝PROM的编程方法
- 本发明涉及一种适用于MTM反熔丝PROM的编程方法，包括：对欲编程的反熔丝施加每一个编程脉冲之前先进行编程预充电；上一个编程脉冲完成后，施加下一个编程脉冲之前先给PROM电路一定的热弛豫时间；将编程脉冲进行分组，两个一组...
- 马金龙孙杰杰封晴吴素贞于跃王栋徐睿
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- 应用于STT-MRAM存储器的高可靠灵敏放大器设计
- 2023年
- 自旋转移矩磁性随机存储器(STT-MRAM)以其非易失性、速度快、数据保持时间长等优势被认为是最有潜力的新型存储技术之一。然而,由于磁性隧道结(MTJ)的温度相关性,其隧穿磁阻率(TMR)在高温下会变低,对高可靠灵敏放大器的设计提出了更高的要求。基于2T-2MTJ存储单元,设计了一款可以工作在宽温度范围内的高灵敏度放大器。在-40~125℃的温度范围内,该灵敏放大器在TMR为50%时仍具有较高的灵敏度,保证了STT-MRAM的读可靠性。
- 李嘉威吴楚彬王超孙杰杰杨霄垒赵桂林
- 关键词：灵敏放大器
- 一种用于反熔丝FPGA中隔离电路的控制结构
- 本发明公开一种用于反熔丝FPGA中隔离电路的控制结构，属于集成电路领域，包括控制逻辑模块、振荡器、电荷泵、反相器、零伏电路、NMOS晶体管HVN1和稳压电路；反熔丝FPGA编程过程中，使用零伏电路关闭隔离电路，实现对编程...
- 马金龙赵桂林曹靓蔺旭辉杨霄垒孙杰杰
- 用于反熔丝电路中的隔离保护电路结构
- 本发明公开一种反熔丝电路中的隔离保护电路结构，属于微电子领域，包括PMOS管P3和P4、NMOS管N2和N3、反相器INV2；反相器INV2的输入端输入控制信号，输出端连接PMOS管P4和NMOS管N3的控制栅；PMOS...
- 马金龙赵桂林曹靓蔺旭辉隽扬杨霄垒孙杰杰
- 面向SOT-MRAM的磁屏蔽仿真设计与优化
- 2024年
- 磁随机存储器由于其高读写速度、接近无限次的读写次数和低功耗等优异特性受到越来越多的关注。磁随机存储器采用磁场方向来操作存储位,外部磁场很容易对磁结产生干扰导致读写错误的发生。因此采用磁屏蔽封装结构来减小外部磁场对存储器的影响具有重要意义。本文针对第四代自旋轨道矩磁随机存储器的磁屏蔽优化设计进行研究,根据自旋轨道矩磁随机存储器的面内磁场敏感特性,采用平行式磁屏蔽封装形式,建立了磁屏蔽有限元模型,分析了磁屏蔽结构因素(间距,面积和厚度)和磁饱和现象对磁屏蔽效果的影响,为磁存储器磁屏蔽设计提供了新思路。
- 高宏高宏王超孙杰杰
- 关键词：磁屏蔽有限元
- 一种对一次可编程存储器芯片进行筛选的方法
- 本发明公开一种对一次可编程存储器芯片进行筛选的方法，属于CMOS集成电路技术领域。通过编程器对一次可编程存储器芯片的冗余行进行编程并校验，剔除校验失败的芯片；对一次可编程存储器芯片进行空片检查，剔除检查失败的芯片；通过编...
- 孙杰杰于跃赵桂林杨霄垒曹靓
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