王全
- 作品数：2 被引量：2H指数：1
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- 绿色激光退火对多晶锗硅薄膜特性的影响
- 2016年
- 随着板上系统技术的发展,在较低温度下制备具有高空穴迁移率的多晶锗硅(Si Ge)薄膜具有重要的研究意义。使用波长为532 nm的绿色脉冲式激光器对多晶Si Ge薄膜进行了退火处理,并对薄膜的特性变化进行了表征。经过优化,在单脉冲激光能量为0.5 m J和10 mm/s的扫描速度下,薄膜的特性有了较大的提高。与未经过处理的薄膜相比,退火后薄膜的晶粒尺寸增大了3倍,空穴霍尔迁移率提高了4.75倍,载流子浓度提高了24.6倍,从而使薄膜的电阻率减小了两个数量级。同时,薄膜的表面形貌也有改善,表面粗糙度的均方根值从11.54 nm降低至4.75 nm。结果表明,激光退火过程中薄膜"熔化-再结晶"的过程可以显著减小晶粒中的缺陷和晶界的数量,进而改善薄膜的电学特性。因此,绿色激光退火技术在高性能多晶Si Ge薄膜晶体管制备中具有潜在的应用价值。
- 刘立滨张伟周伟王全许军梁仁荣
- 关键词：激光退火再结晶薄膜晶体管
- 熔性/亚熔性激光退火工艺过程数值分析被引量：2
- 2015年
- 熔性/亚熔性激光退火在IGBT类电力电子器件制造中有着重要的作用。该工艺涉及瞬间、局部、高强度的能量馈入冲击,材料在升温段涉及固态至亚熔或局部熔化状态的相变,在随后降温段的退火,还有离子注入杂质在此短暂过程中的激活和扩散再分布等复杂的物理过程。为了从机理上比较好地处理和揭示这样的工艺步骤,在大量激光退火实验的基础上,进行了工艺过程的全数值分析。首先,利用瞬态热场分析技术计算出激光作用下的硅材料浅表层中,不同时刻和不同位置处沿硅晶圆深度方向各点的温度-时间变化曲线,之后将菲克第二定律推广到方程式中相关量为时变的情况,利用数值积分计算出最终的杂质再扩散量,并与实验结果相比较验证。该工作初步建立起了熔性/亚熔性激光退火工艺步骤的可量化的物理模型。
- 王浩王浩严利人周伟孙德明王全
- 关键词：激光退火
