您的位置： 专家智库 > >

刘保元

作品数：15 被引量：13H指数：1
供职机构：电子科技大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电气工程一般工业技术电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 9篇专利
  • 3篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 8篇电气工程
  • 7篇一般工业技术
  • 2篇电子电信

主题

  • 6篇铁氧体
  • 5篇陶瓷
  • 5篇陶瓷材料
  • 4篇电子陶瓷
  • 4篇电子陶瓷材料
  • 4篇主晶相
  • 4篇晶相
  • 4篇磁导
  • 4篇磁导率
  • 3篇噪声
  • 3篇高磁导率
  • 2篇单斜晶系
  • 2篇低损耗
  • 2篇电极
  • 2篇抑制器
  • 2篇噪声干扰
  • 2篇四方相
  • 2篇铁氧体材料
  • 2篇偶极子
  • 2篇频率可调

机构

  • 15篇电子科技大学

作者

  • 15篇刘保元
  • 13篇张怀武
  • 11篇荆玉兰
  • 10篇苏桦
  • 8篇唐晓莉
  • 4篇张硕
  • 4篇李元勋
  • 2篇文岐业
  • 2篇刘颖力
  • 2篇周振华
  • 2篇陈华文
  • 2篇沈洁
  • 2篇杨红星
  • 1篇戴玉琴
  • 1篇李智华
  • 1篇兰中文
  • 1篇杨青慧
  • 1篇钟慧
  • 1篇张中能
  • 1篇徐磊

传媒

  • 2篇压电与声光
  • 1篇无机材料学报

年份

  • 3篇2018
  • 3篇2016
  • 1篇2015
  • 1篇2014
  • 1篇2010
  • 3篇2007
  • 2篇2006
  • 1篇2005
共 15 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
一种非易失性频率可调的噪声干扰抑制器及其制备方法
本发明属于电子器件技术领域，具体涉及一种非易失性频率可调的噪声干扰抑制器及其制备方法。其结构包括PZT基片、镀在其两面的上下电极和制备于上电极上的铁氧体膜片。PZT基片含有缺陷偶极子，厚度为0.25mm～1mm；下电极厚...
苏桦沈洁张硕唐晓莉张怀武荆玉兰刘保元
文献传递
Bi_2O_3对烧结LiZn铁氧体性能的影响被引量：13
2007年
采用氧化物陶瓷工艺制备了掺Bi_2O_3的Li_(0.4)Zn_(0.2)Fe_(2.4)O_4铁氧体.用XRD、SEM、密度测试和磁性能表征,研究了Bi_2O_3对LiZn铁氧体性能的影响.结果表明:Bi_2O_3能有效抑制烧结过程中的锂挥发,促进固相反应,降低烧结温度,但过多的Bi_2O_3会阻止晶粒生长;适量掺杂Bi_2O_3可以提高LiZn铁氧体的饱和磁感应强度和矩形比,降低铁氧体的矫顽力.
余忠陈代中兰中文蒋晓娜刘保元
关键词：LIZN铁氧体晶粒生长
宽频双性抗电磁干扰材料
石玉刘保元荆玉兰戴玉琴杨青慧张怀武钟慧刘颖力张中能
随着信息的发展，许多有源网络向小型化和高频化方向发展，伴随出现的电磁干扰也就成了一个不容忽视的问题。通信及家电领域的噪声抑制，军事系统的抗“软杀伤”都需要大量的无源抗电磁干扰(EMI)滤波器以及膜状固态电路抗EMI滤波器...
关键词：
关键词：噪声抑制滤波器铁氧体材料陶瓷材料
低成本低介低损耗LTCC微波陶瓷材料及其制备方法
本发明提供一种以(Zn<Sub>1-x</Sub>Co<Sub>x</Sub>)<Sub>2</Sub>SiO<Sub>4</Sub>，0.05≤x≤0.1为主晶相组成的低成本低介低损耗LTCC微波陶瓷材料及其制备方法。...
苏桦陈华文唐晓莉张怀武荆玉兰李元勋刘保元
文献传递
线性自旋阀磁头的材料性能及结构参数优化
2006年
优化材料性能参数和自旋阀巨磁阻磁头的结构参数是微磁器件实用化的关键．本文基于建立的物理计算模型，首先利用传输线方法和微磁学理论对铁磁自由层中信号场和磁化强度分布进行了计算，优化了材料性能参数；其次讨论了磁头结构尺寸和磁参数对信号场和饱和磁感应强度的影响；最后将自旋阀巨磁阻磁头传感单元作为有源磁电阻放人前端放大电路，对输出电压。二次谐波及线性区间进行模拟，发现在缝宽g1＋g2≤0．7。线性偏电流10～50mA范围内，自旋阀磁头相对记录介质有线性信号输出。
荆玉兰刘保元文岐业张怀武
关键词：自旋阀巨磁阻记录介质
薄膜变压器与电感器研究
随着信息技术(IT)的快速发展，电子系统向高集成度、高复杂度方向发展，必然要求在更小的基片上集成更多的元器件。除了依靠高密度集成技术的发展外，从器件本身出发，只有研制小型化、薄膜化的器件，以减小系统的整体体积、重量，才能...
刘保元
关键词：薄膜变压器薄膜电感器人工神经网络
一种非易失性频率可调的噪声干扰抑制器及其制备方法
本发明属于电子器件技术领域，具体涉及一种非易失性频率可调的噪声干扰抑制器及其制备方法。其结构包括PZT基片、镀在其两面的上下电极和制备于上电极上的铁氧体膜片。PZT基片含有缺陷偶极子，厚度为0.25mm～1mm；下电极厚...
苏桦沈洁张硕唐晓莉张怀武荆玉兰刘保元
一种微波介电LTCC材料及其制备方法
本发明属于电子陶瓷材料及其制造领域，具体涉及一种微波介电LTCC材料及其制备方法。本发明提供的CaWO<Sub>4</Sub>体系微波介电LTCC材料，包含CaWO<Sub>4</Sub>和Li<Sub>2</Sub>T...
苏桦张硕唐晓莉张怀武荆玉兰李元勋刘保元
文献传递
NiFe/Ag/NiFe纳米结自旋晶体管研究
2007年
利用直流磁控溅射工艺和掩膜技术研制出新型NiFe/Ag/NiFe全金属自旋晶体管试样。该薄膜磁阻系数ΔR/R≥9%,全金属自旋晶体管试样集电极电流变化MC>587%(常温),且其性能随基极Ag层厚度减小而增强。全金属自旋晶体管具有电流放大、存贮及逻辑电路等功能,,有望替代现有的晶体管而应用于半导体大规模集成电路。
刘保元荆玉兰文岐业张怀武
关键词：自旋晶体管半导体
低成本低介低损耗LTCC微波陶瓷材料及其制备方法
本发明提供一种以(Zn<Sub>1-x</Sub>Co<Sub>x</Sub>)<Sub>2</Sub>SiO<Sub>4</Sub>，0.05≤x≤0.1为主晶相组成的低成本低介低损耗LTCC微波陶瓷材料及其制备方法。...
苏桦陈华文唐晓莉张怀武荆玉兰李元勋刘保元
文献传递
全选 清除 导出
共2页<12>
聚类工具0