黄贵军
- 作品数：5 被引量：17H指数：2
- 供职机构：湘潭大学材料与光电物理学院低维材料及其应用技术教育部重点实验室更多>>
- 发文基金：湖南省自然科学基金湖南省教育厅科研基金教育部重点实验室开放基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术更多>>
- 锰掺杂ZnO稀磁半导体的制备及铁磁性能被引量：8
- 2007年
- 用溶胶-凝胶法,在超声波辅助条件下制备了Mn掺杂ZnO(Zn1-xMnxO,x≤0.05)稀磁半导体(DMS)纳米晶粉末样品。用透射电子显微镜(TEM)、X射线衍射(XRD)仪、超导量子干涉(SQUID)测磁仪分别对样品形貌、结构和磁性能进行了表征。较低的掺杂浓度下样品很好地保持ZnO的纤锌矿结构,随着掺杂浓度x的增加,样品的晶格常数近似线性增大,没有观察到杂质相。样品Zn0.98Mn0.02O显示了很好的铁磁性,居里温度在350K以上。
- 黄贵军王金斌钟向丽周功程
- 关键词：铁磁性溶胶-凝胶法
- 纳米ZnO的制备及Raman光谱分析被引量：1
- 2007年
- 研究利用Raman光谱详细表征了液相法制备的纳米ZnO粉末的晶格振动情况,研究了退火温度等实验制备参数对纳米ZnO的结晶情况的影响.分析表明,退火温度对制备纳米ZnO粉末非常重要,当退火温度为550℃时可以制备高纯度、结晶情况良好的纳米ZnO粉末.
- 双丹王金斌黄贵军
- 关键词：纳米ZNO退火温度
- 生长温度对Mn掺杂ZnO纳米棒铁磁性的影响被引量：6
- 2008年
- 用化学气相沉积法(CVD),在生长温度为600、650和700℃条件下,未采用任何催化剂制备了Mn掺杂ZnO纳米棒。研究发现,随着生长温度的升高,样品中O空位的浓度逐渐增加。低浓度的O空位可以增强Mn掺杂ZnO纳米棒的铁磁性,但O空位浓度过高时,Mn掺杂ZnO纳米棒表现出超顺磁性或反铁磁性。在3个样品中,650℃的样品具有最好的室温铁磁性,其饱和磁化强度为0.85μB/Mn,矫顽力为50Oe。
- 闫海龙钟向丽王金斌黄贵军丁书龙周功程
- ZnO稀磁半导体的制备和磁、光性能研究
- 近年来，基于对电子自旋态的产生、输运、控制等的研究，由此而导致了一门新的学科——自旋电子学的诞生。由于自旋电子器件能同时利用电子的电荷属性和自旋属性，它有可能成为电子科学与技术的新革命。稀磁半导体作为自旋电子学的重要基础...
- 黄贵军
- 关键词：锰掺杂镍掺杂磁性能发光性能
- 文献传递
- 一种制备具有室温铁磁性氧化锌基稀磁半导体薄膜的方法
- 一种制备具有室温铁磁性氧化锌基稀磁半导体薄膜的方法，以水溶性锌盐为前驱物，以水溶性过渡金属盐为掺杂剂，乙酸做稳定剂，将混有掺杂剂的前驱物溶于蒸馏水或去离子水中，然后将溶液雾化成气溶胶，利用载气输运到单晶硅衬底表面热解反应...
- 王金斌黄贵军钟向丽张艳杰郑学军周益春
- 文献传递
