贺川
- 作品数：5 被引量：3H指数：1
- 供职机构：郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室更多>>
- 发文基金：教育部科学技术研究重点项目河南省科技攻关计划河南省教育厅自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电气工程更多>>
- 氮化镓/硅纳米孔柱阵列异质结构黄绿光、近红外光发光二极管及其制备方法
- 本发明公开了一种氮化镓/硅纳米孔柱阵列异质结构黄绿光、近红外光发光二极管，包括上、下接触电极，还包括透明导电薄膜、氮化镓、p型硅纳米孔柱阵列、p型单晶硅层以及金属导电薄膜层，其中p型硅纳米孔柱阵列覆盖在p型单晶硅层顶面，...
- 李新建韩昌报贺川王伶俐常立红王晓霞
- 文献传递
- 基于III-V族化合物半导体/硅纳米孔柱阵列的太阳能电池及其制备方法
- 本发明公开了一种基于III-V族化合物半导体/硅纳米孔柱阵列的太阳能电池，包括上、下接触电极，还包括透明导电薄膜、n型III-V族化合物半导体、p型硅纳米孔柱阵列、p型单晶硅层以及金属导电薄膜层，其中p型硅纳米孔柱阵列覆...
- 李新建韩昌报贺川王伶俐常立红
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- CdS//Si-NPA异质结构阵列的光伏特性研究
- 硅纳米孔柱阵列/(Si-NPA/)独特的多孔阵列结构,以及其优异的光吸收性能,使得宽带隙半导体//Si-NPA复合体系在太阳能电池领域具有重要的科学意义和应用价值。本文采用水热腐蚀技术及两步腐蚀法分别在/(111/)晶向...
- 贺川
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- 基于Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体/硅纳米孔柱阵列的太阳能电池及其制备方法
- 本发明公开了一种基于Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体/硅纳米孔柱阵列的太阳能电池，包括上、下接触电极，其特征在于：还包括透明导电薄膜、Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体、p型硅纳米孔柱阵列、p型单晶硅层以及金属导电薄膜层，其中p型硅纳米孔柱阵列覆...
- 李新建贺川韩昌报王伶俐
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- ZnO纳米管阵列/p-Si异质结构的低温控制合成及其光电性能被引量：3
- 2012年
- 通过选择性腐蚀ZnO纳米棒,在p型Si衬底上低温合成了ZnO纳米管阵列,构成ZnO纳米管阵列/p-Si异质结构(n-ZnONT/p-Si).ZnO纳米管阵列光致发光谱显示,在378 nm处出现了很强的紫外发射峰,而在500 nm左右有一个较宽的绿色发光峰,表明ZnO纳米管具有较好的结晶性.电流-电压曲线显示,n-ZnONT/p-Si异质结构在光暗两种条件下都表现出了较好的整流特性.在紫外光照射下,反向偏压区电流出现了较大的变化,反映出n-ZnONT/p-Si异质结构有较强的紫外光响应,有望成为潜在的紫外光探测器件.
- 徐玉睿田永涛王文闯贺川陈文丽赵晓峰王新昌李新建
- 关键词：光致发光
