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李佳莼

作品数:6 被引量:19H指数:2
供职机构:北京工业大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信理学更多>>

文献类型

  • 4篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇专利

领域

  • 4篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 3篇激光
  • 3篇激光器
  • 3篇半导体
  • 3篇半导体激光
  • 3篇半导体激光器
  • 2篇电子束蒸发
  • 2篇功率半导体
  • 2篇波导
  • 2篇大功率半导体
  • 2篇大功率半导体...
  • 1篇应变量子阱
  • 1篇应变量子阱激...
  • 1篇增透
  • 1篇增透膜
  • 1篇折射率
  • 1篇腔面
  • 1篇离子辅助沉积
  • 1篇量子阱激光器
  • 1篇纳米
  • 1篇纳米级

机构

  • 6篇北京工业大学
  • 1篇华侨大学
  • 1篇邓迪大学
  • 1篇集成光电子学...

作者

  • 6篇李佳莼
  • 4篇崔碧峰
  • 4篇张松
  • 3篇李建军
  • 3篇计伟
  • 3篇苏道军
  • 3篇王晓玲
  • 2篇陈京湘
  • 2篇凌小涵
  • 1篇马钰慧
  • 1篇韩军
  • 1篇马凌云
  • 1篇丁颖
  • 1篇刘涛
  • 1篇邓军
  • 1篇刘素娟
  • 1篇王勋

传媒

  • 2篇半导体光电
  • 1篇中国激光
  • 1篇激光与红外

年份

  • 3篇2014
  • 3篇2013
6 条 记 录,以下是 1-6
排序方式:
一种利用纳米级ZnO提高LED光提取效率的方法
一种利用纳米级ZnO提高LED光提取效率的方法,属于LED技术领域。先将氧化锌加入到稀盐酸中,形成饱和溶液,然后将H<Sub>2</Sub>O<Sub>2</Sub>溶液加入到此饱和溶液中,置于40℃的恒温水浴中,将LE...
李建军马凌云李佳莼
文献传递
940nm应变量子阱激光器的热特性研究及工艺改进
光纤激光器作为光通信、传感和加工等领域的重要激光光源,其工作条件需要在高功率光源的激励下形成激光工作物质的能级粒子数反转。半导体激光器作为光纤通讯系统唯一的实用化光源,其泵浦效率受到光纤工作物质中掺杂离子吸收频带匹配的限...
李佳莼
关键词:半导体激光器热特性
980nm大功率半导体激光器增透膜的优化设计与制备
2014年
对于大功率半导体激光器,根据其最佳工作点随着和端面反射率相关的阈值电流等参数的变化规律,选择适合的腔面膜反射率系数进行设计。设计并制备三种腔面膜膜系,它们的增透膜在980 nm处反射率系数分别为8%、5%与2%,高反膜反射率系数均为90%。器件封装后分别测试其发光性能,数据显示与未镀膜的激光器相比,镀膜后的激光器在输入15 A电流时,它们的输出功率提高了35.18%~37.35%;它们在其最佳工作点处转换效率提高了25.33%~27.44%;此外高反膜反射率一定时,它们达到最佳工作点所需的电流值随其增透膜反射率系数减小而增大,结果表明优化选取合适的半导体激光器腔面膜膜系进行镀制,可以使半导体激光器在最佳工作点具有更大的输入电流,从而更适合在大功率工作。
王晓玲崔碧峰苏道军张松李佳莼凌小涵王勋
关键词:增透膜电子束蒸发反射率
非对称超大光腔980nm大功率半导体激光器被引量:17
2013年
为了制备高输出功率的半导体激光器,设计了非对称超大光腔波导结构,其中大光腔结构用以提高器件的灾变性腔面烧毁(COMD)水平,非对称波导则抑制高阶模的激射,并分析了非对称波导层厚度的理论优化值。优化了有源区的金属有机物化学汽相沉积(MOCVD)外延生长条件,结合管芯电极制备及腔面镀膜等工艺条件,制备了腔长为4mm的2μm超大光腔端面发射980nm半导体激光器管芯。在室温、注入电流为30A且未采取任何主动散热措施的条件下,器件输出功率达到23.6W,未出现COMD。非对称波导保证了垂直方向仅有基模激射,且超大光腔的采用使得垂直远场发散角只有24°。研究结果表明,非对称超大光腔结构是制备高功率半导体激光器的有效途径。
李建军崔碧峰邓军韩军刘涛李佳莼计伟张松
关键词:激光器半导体激光器波导
新型大功率LD非注入区窗口结构研究被引量:2
2014年
提出了一种基于腔面非注入区的新型窗口结构,通过腐蚀高掺杂欧姆接触层,在腔面附近引入电流非注入区,限制载流子注入腔面,减少载流子在腔面处的非辐射复合,提高了激光器腔面的光学灾变性损伤(COD)阈值。同时,引入脊型波导结构,降低了光束的水平发散角。采用该结构制作的器件在功率达到22W时仍未出现COD现象,而无腔面非注入区结构的器件输出功率达到18W时腔面发生COD。同时,采用该结构制作的器件在工作电流为12A时其光束的水平发散角约为10°,而常规电流非注入区结构的器件在相同的工作电流下其光束水平发散角约为15°。
张松刘素娟崔碧峰李建军计伟陈京湘王晓玲苏道军李佳莼
关键词:脊型波导发散角
离子辅助沉积电子束蒸发Si基SiO_2薄膜的研究被引量:1
2013年
研究了离子辅助沉积(IBAD)电子束蒸发和传统电子束蒸发两种镀膜方式在Si(100)面基底所镀SiO2光学薄膜的特性。特别是在离子辅助沉积下,分析了不同工艺条件改变对SiO2光学薄膜的光学特性的影响。结果表明,无论表面形貌、折射率均匀性,还是湿度稳定性,离子辅助电子束蒸发都优于传统电子束蒸发的SiO2光学薄膜,在离子辅助沉积条件下,薄膜折射率在40~160℃范围随衬底温度的升高而提高,镀膜时真空度为1.5×10-3 Pa、沉积速率为5nm/s、离子源驱动电压为285.4V、离子源辅助气体分压比PAr∶PO=1∶1时,SiO2光学薄膜的光学特性最好。
陈京湘崔碧峰丁颖计伟王晓玲张松凌小涵李佳莼马钰慧苏道军
关键词:光学薄膜电子束蒸发折射率
共1页<1>
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