您的位置： 专家智库 > >

张俊萍

作品数：3 被引量：2H指数：1
供职机构：天津理工大学电气电子工程学院更多>>
发文基金：天津市自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 3篇导体
  • 3篇稀磁半导体
  • 3篇溅射
  • 3篇半导体
  • 3篇磁控
  • 3篇磁控溅射
  • 2篇射频磁控
  • 2篇射频磁控溅射
  • 2篇溅射法
  • 2篇ZNO基稀磁...
  • 2篇CR
  • 2篇磁控溅射法
  • 1篇射频磁控溅射...
  • 1篇射频磁控溅射...
  • 1篇溅射制备
  • 1篇半导体薄膜
  • 1篇XO
  • 1篇ZN
  • 1篇磁控溅射制备
  • 1篇磁性

机构

  • 3篇天津理工大学

作者

  • 3篇张俊萍
  • 2篇陈希明
  • 2篇李杰
  • 2篇陈霞

传媒

  • 2篇天津理工大学...

年份

  • 3篇2008
共 3 条 记 录，以下是 1-3
全选 清除 导出
排序方式：
射频磁控溅射制备ZnO基稀磁半导体薄膜工艺研究
随着现代信息技术的发展，稀磁半导体因其独特的性质而备受人们关注，它将自旋和电荷两个自由度集于同一基体，同时具备有磁性材料和半导体材料的特性，在自旋电子学以及光电子领域已经展现出非常广阔的应用前景，比如自旋阀、自旋二极管、...
张俊萍
关键词：稀磁半导体半导体薄膜磁控溅射
文献传递
Cr掺杂浓度对ZnO基稀磁半导体生长结构的影响被引量：1
2008年
采用射频磁控溅射设备在本征抛光Si(100)衬底上沉积Cr掺杂ZnO薄膜,分析不同掺杂浓度对薄膜的生长结构的影响.分别用XRD、SEM和XRF来表征薄膜的晶相结构、表观形貌和掺杂浓度.实验结果表明,掺杂浓度为2.10%的Zn1-xCrxO薄膜,出现了更好C轴取向性,衍射峰半高宽较窄,样品表面平滑致密,晶粒较大为3.555 nm.
张俊萍陈希明李杰陈霞
关键词：射频磁控溅射法
Zn_(1-x)Cr_xO稀磁半导体薄膜的制备及磁性研究被引量：1
2008年
采用磁控交替溅射方法和真空退火处理制备了Zn1-xCrxO薄膜,利用全自动X射线衍射仪和物理性质测量仪对样品的结构、晶粒尺寸及磁性等进行了测量和标度,得到了具有室温磁性的掺Cr的氧化锌基稀磁半导体.
陈霞陈希明李杰张俊萍
关键词：稀磁半导体磁控溅射法
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0