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史会芳

作品数：3 被引量：9H指数：1
供职机构：西安电子科技大学技术物理学院更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 2篇ALGAN
  • 1篇原子力显微镜
  • 1篇散射
  • 1篇外量子效率
  • 1篇外延膜
  • 1篇外延片
  • 1篇量子效率
  • 1篇卢瑟福
  • 1篇卢瑟福背散射
  • 1篇绿光
  • 1篇绿光LED
  • 1篇晶格
  • 1篇缓冲层
  • 1篇光提取效率
  • 1篇背散射
  • 1篇ALN缓冲层
  • 1篇AL组分
  • 1篇LED外延片
  • 1篇表面粗化
  • 1篇表面形貌

机构

  • 3篇西安电子科技...

作者

  • 3篇史会芳
  • 2篇李培咸
  • 2篇李慧
  • 1篇赵广才

传媒

  • 2篇电子科技

年份

  • 3篇2010
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
AlN缓冲层对AlGaN表面形貌的影响被引量：1
2010年
使用扫描电子显微镜、高分辨率X射线衍射、Raman散射、原子力显微镜、透射电镜等测试手段,对高铝组分的AlGaN样品表面形貌的形成原因进行研究。结果表明,AlN缓冲层的晶体质量,对后续外延层的结晶质量具有重要的影响,这也解释了AlGaN表面形貌的形成。
史会芳李培咸李慧
关键词：表面形貌ALGANALN缓冲层
高Al组分AlGaN外延膜的测试与表征
高质量的高Al组分AlGaN材料是制备短波长发光二极管、激光器以及光电探测器等光电器件的重要材料，通过测试手段对材料进行表征从而为使用MOCVD方法制备高质量的外延材料提供依据就显得至为重要。　　 本文针对不同样品的特...
史会芳
关键词：外延膜卢瑟福背散射原子力显微镜
文献传递
表面粗化提高绿光LED的光提取效率被引量：7
2010年
介绍了通过出光表面粗化减少全反射的方法。理论计算了以腐蚀坑为三角坑的最优尺寸。实验使用熔融KOH腐蚀绿光LED外延片获得预计的粗糙形貌,再通过常规工艺制成器件,结果给出不同表面做成器件的光强。实验证明经过表面粗化处理的器件,外量子效率提高了约25.7%。
李慧李培咸史会芳赵广才
关键词：LED外延片表面粗化外量子效率
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