何波
- 作品数：30 被引量：43H指数：3
- 供职机构：东华大学理学院物理系更多>>
- 发文基金：上海市教育委员会创新基金国家自然科学基金上海市教育委员会重点学科基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信电气工程机械工程更多>>
- 新型SINP硅蓝紫光电池的研究被引量：2
- 2010年
- 本研究中,采用以下主要步骤:先在p-型Si的绒面上,进行磷扩散形成同质p-n结,再低温热氧化生长超薄SiO2层,然后利用射频磁控溅射沉积ITO减反射/收集电极膜,成功制备了一种新型ITO/SiO2/np晶硅SINP结构蓝紫光电池.通过X-光衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、紫外-可见光透射谱(UV-VIS),以及霍尔效应(Halleffect)测量方法,表征了高质量ITO薄膜的微结构、光学与电学特性.并重点对SINP结构光电池的光谱响应和I-V特性,进行了详细地计算和分析.结果表明,具有蓝紫光以及其它可见光波段的光谱响应和光电转换的增强效果,是该器件的主要特征.其较高的短路电流密度,适合于发展成为新型结构的硅基太阳能电池.
- 何波马忠权徐静赵磊张楠生李凤沈玲沈成周呈悦于征汕殷宴庭
- 关键词：ITO薄膜I-V特性光谱响应
- HgCdTe MIS器件的制备及其界面电学特性的研究(下)被引量：1
- 2007年
- 介绍了用高、低频组合电容法测量HgCdTe MIS器件钝化层界面态密度能量分布的基本原理和步骤．研究表明,自身阳极硫化+单层ZnS对HgCdTe的表面钝化已经达到光伏焦平面器件表面钝化的各项要求．
- 何波史衍丽徐静
- 关键词：HGCDTEMIS器件表面钝化
- C-V法测量pn结杂质浓度分布的基本原理及应用被引量：13
- 2006年
- 全面地介绍了pn结C-V测量法的基本原理、测试设备及条件。利用pn结反向偏压时的电容特性推导了有效杂质浓度随深度分布的计算公式及突变结和线性缓变结的1/(C2)-V和1/(C3)-V关系图。应用该原理计算、分析了IN5401整流二极管pn结的特性及杂质浓度的纵向分布。
- 何波史衍丽徐静
- 关键词：杂质浓度分布PN结势垒电容离子注入
- 新型SINP硅光电池C-V/I-V特性及光谱响应的研究被引量：2
- 2009年
- 在p型绒面晶硅上,采用磷的热扩散形成同质pn结、低温热氧化生长超薄SiO2层、射频磁控溅射沉积ITO减反射/收集电极膜成功制备了一种新型ITO/SiO2/np晶硅SINP结构光电池。高质量ITO薄膜的物相结构、光学及电学特性通过X-光衍射(XRD)、紫外-可见光透射、吸收谱(UV-VIS)以及霍尔效应(Hall effect)测量系统表征。并对新型SINP光电池C-V/I-V特性及光谱响应进行详细地分析、计算。结果表明,该器件在可见光波段具有光电转换增强的响应,适合于发展成为新型结构的太阳电池及光电探测器。
- 何波马忠权赵磊张楠生李凤沈玲沈成周呈悦于征汕吕鹏殷宴庭
- 关键词：氧化铟锡光谱响应
- Bi_(4-x)La_xTi_3O_(12)介电陶瓷的制备及其介电性能的研究被引量：1
- 2006年
- 采用固相烧结法制备了不同掺La量、不同烧结工艺的铋层化合物 Bi4-xLaxTi3O12(x=0,0．25,0．5,0．75,1)介电陶瓷。利用宽频LCR数字电桥和XRD、 SEM分析了Bi4-xLaxTi3O12介电陶瓷的晶相和微观结构对其介电性能的影响。研究表明,1050℃烧结温度保温4h的Bi3.5La0．5Ti3O12介电陶瓷,致密性好、晶粒均匀、具有良好的综合介电性能。
- 何波徐静张鹏翔
- 关键词：固相烧结法介电陶瓷
- 离子束刻蚀HgCdTe成结机制分析被引量：1
- 2009年
- 根据由离子束刻蚀HgCdTepn结C-V曲线,判定其为线性缓变结;由1C3-V曲线斜率可知杂质浓度分布梯度。利用泊松方程(零偏压时耗尽层宽度作为边界条件)积分计算出其电场分布、电势分布等重要结特性。并且进一步从微观理论分析讨论了离子束刻蚀HgCdTe成结机制过程。
- 何波马忠权史衍丽徐静赵磊李凤沈成沈玲
- 关键词：HGCDTE离子束刻蚀泊松方程
- 新型硅基SINP异质面蓝紫光电池及SIS异质结光电器件的研究
- 为了不增加电池制造工艺的复杂性,同时又能有效地提高硅光电池在蓝紫光波段(400～600nm)的量子效率。根据半导体能带工程,我们独创性地设计并采用工艺优化的射频磁控溅射ITO减反射/收集电极膜且结合热扩散磷形成浅结、低温...
- 何波
- 关键词：ITO薄膜AZO薄膜磁控溅射法I-V特性C-V特性光谱响应
- 文献传递
- 离子束刻蚀HgCdTe环孔pn结Ⅰ—Ⅴ、R_D—V特性的研究(下)被引量：1
- 2009年
- 本文推导了一种可简便、准确、直观计算和分析pn结Ⅰ-Ⅴ特性的公式和方法,并应用该方法对两类典型HgCdTe环孔pn结的Ⅰ-Ⅴ、R_D-V特性进行了计算和拟合;得到了表面欧姆(反型沟道)漏电导、二极管理想因子n随电压的分布等反映二极管结特性的重要参数。计算结果表明,对于长波HgCdTe光伏器件而言,表面漏电流在整个暗电流中所占的比重相当大,表面漏电流严重地制约着器件性能。HgCdTe材料的晶体缺陷会使二极管的理想因子n增大,从而使产生-复合电流及陷阱辅助隧穿电流增加。
- 何波徐静马忠权史衍丽赵磊李凤孟夏杰沈玲
- 关键词：HGCDTE环孔PN结Ⅰ-Ⅴ特性动态电阻
- SINP硅蓝紫光电池及其制备方法
- 本发明涉及一种新型SINP结构硅蓝紫光电池及其制备方法。本发明采用热扩散磷形成浅结、低温热氧化生长超薄SiO<Sub>2</Sub>层、射频磁控溅射ITO减反射/收集电极膜制备了一种新型ITO/SiO<Sub>2</Su...
- 马忠权何波赵磊
- 文献传递
- 稀土钇、镧掺杂TiO_2薄膜的拉曼谱分析被引量：2
- 2010年
- 采用溶胶-凝胶法在石英玻璃衬底上用旋涂法制备了未掺杂、掺杂钇和掺杂镧的TiO2薄膜样品,对样品在700—1100℃范围内进行退火处理,并对样品的拉曼光谱进行了分析.分析表明:随着退火温度的升高,未掺杂TiO2薄膜发生了从锐钛矿相经混相最终向金红石相的转换,掺杂钇和掺杂镧对TiO2薄膜的晶相转换起阻碍作用,掺杂镧的阻碍作用更强;稀土掺杂能使TiO2薄膜晶粒细化,并使晶粒内部应力增大从而阻碍晶格振动,掺杂镧比掺杂钇的效果更明显;样品表现出明显的声子局域效应,即随晶粒尺寸减小,特征拉曼峰位蓝移、半高全宽增大和峰形非对称展宽.
- 杨昌虎马忠权徐飞赵磊李凤何波
- 关键词：TIO2薄膜稀土掺杂
