龚国华
- 作品数：13 被引量：13H指数：2
- 供职机构：武汉工程大学材料科学与工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金湖北省教育厅科学技术研究项目更多>>
- 相关领域：金属学及工艺化学工程一般工业技术理学更多>>
- 高取向金刚石薄膜的制备被引量：2
- 2016年
- 目的研究不同甲烷体积分数、不同氮气流量分别对金刚石(111)面、(100)面生长的影响,实现在最佳工艺下制备高取向金刚石薄膜。方法采用微波等离子体增强化学气相沉积法制备高取向(111)面、(100)面金刚石薄膜,实验前一组(1~#—3~#)以CH_4/H_2为气源,后一组(4~#—5~#)以CH_4/H_2/N_2为气源,通过采用SEM、XRD分析不同甲烷体积分数下(111)面和不同氮气流量下(100)面的生长形貌、晶粒尺寸以及金刚石晶面特征峰强弱,同时还使用Raman测试两组分别改变甲烷体积分数、氮气流量工艺下金刚石特征峰、石墨峰的变化趋势。结果前一组随着甲烷体积分数的增加,金刚石(111)面逐渐清晰可见,低甲烷体积分数为2%时,H等离子体对金刚石表面刻蚀严重,形成少量表面粗糙的(111)面,当甲烷体积分数升到4.5%时,(111)面生长非常均匀,金刚石质量较高,继续提高甲烷体积分数,薄膜中非金刚石的含量增加,金刚石质量下降。后一组随着氮气流量的增加,金刚石(100)面的生长非常整齐平滑,在氮气流量为5 cm^3/min时,(100)面比较粗糙,由于有含氮基团的加入,其生长速率加快,进一步升高氮气流量到10 cm^3/min时,含氮基团的择优生长促进(100)面占据整个界面,同时削弱了其他晶面的生长。结论前一组甲烷体积分数为4.5%时,(111)面占据整个生长面,生长非常均匀,同时XRD测试金刚石(111)面特征峰也达到最强。后一组氮气流量为10 cm^3/min时,(100)面表面光洁度和平整度达到最佳。
- 熊礼威彭环洋汪建华崔晓慧龚国华
- 关键词：MPECVD金刚石薄膜表面形貌
- 大体积微波等离子体制备类金刚石薄膜的装置
- 本发明涉及一种大体积微波等离子体制备类金刚石薄膜的装置，包括谐振腔、石英管反应腔、多个微波源和多个微波输入系统，所述微波源产生的微波通过所述微波输送系统送入所述谐振腔内，所述石英管反应腔位于所述谐振腔内，所述谐振腔为空心...
- 熊礼威崔晓慧汪建华翁俊龚国华
- 文献传递
- 磁控溅射TiNC系列可穿戴装饰薄膜及其颜色控制
- 随着可穿戴设备的不断普及,人们对产品表面质量的体验要求越来越高,可穿戴装饰薄膜向着高质量、功能化和彩色化的方向发展。TiNC系列可穿戴装饰薄膜是在纯TiN薄膜沉积的基础上掺杂C元素,可以得到深黄、棕色、咖啡色、紫色、黑色...
- 龚国华
- 关键词：TIN薄膜磁控溅射
- 文献传递
- 甲烷体积分数对纳米金刚石薄膜形貌的影响被引量：1
- 2016年
- 目的研究不同甲烷体积分数对纳米金刚石(NCD)薄膜生长的影响,实现较小晶粒尺寸、高平整度的NCD薄膜的制备。方法采用微波等离子体增强化学气相沉积的方法制备NCD薄膜,以CH4/H2为气源,在生长阶段控制其他条件不变的前提下,探讨不同甲烷体积分数对NCD晶粒尺寸、表面形貌以及表面粗糙度的影响。采用SEM、XRD等观测NCD薄膜的表面形貌和晶粒尺寸大小,并利用Raman对NCD薄膜的不同散射峰进行分析。结果随着甲烷体积分数的增加,薄膜晶粒尺寸有减小的趋势。甲烷体积分数较低时,晶形比较完整,但致密度较小;甲烷体积分数较高时,晶形杂乱无章,但致密度较好。当甲烷体积分数为9%时NCD薄膜平均粒径达到最小,为21.3 nm,表面粗糙度较好,但非晶金刚石成分开始大量生成,NCD薄膜质量开始变差;当甲烷体积分数为8%时其形貌最好,且此时最小表面粗糙度小于20 nm。通过Raman分析可知NCD薄膜中出现了硅峰和石墨烯特征峰。结论甲烷体积分数对NCD薄膜形貌有较大影响,甲烷体积分数为8%时是表面平整度由较差变好再逐渐变差的分界点,且平均晶粒尺寸为23.6 nm,薄膜表面具有较好的平整度。
- 熊礼威彭环洋汪建华崔晓慧龚国华
- 关键词：纳米金刚石薄膜MPCVD晶粒尺寸表面形貌
- 星形微波等离子体化学气相沉积装置上类金刚石薄膜的制备被引量：1
- 2013年
- 以甲烷、氢气和氧气为反应气体,分别在镜面抛光的单晶硅片和石英玻璃基片上制备了类金刚石薄膜,并用扫描电子显微镜、激光拉曼光谱和傅立叶红外透射光谱仪等测试方法对薄膜的表面形貌、质量和光学性能进行了表征;通过对类金刚石(DLC)薄膜制备过程中碳源浓度、基片温度等参数的研究,掌握了工艺参数对薄膜性能的影响规律,并在此基础上成功地对薄膜的沉积工艺进行了优化.结果表明,当反应气体中的流量配比为甲烷∶氢气∶氧气=10∶100∶1,腔体压力和基片温度分别为0.5kPa和400℃,制备出的DLC薄膜表面光滑平整,薄膜中的纳米金刚石特征峰明显,在石英玻璃上沉积的DLC薄膜在3 000～4 000cm-1波数区间透光率超过80%,达到了光学应用要求.
- 熊礼威崔晓慧汪建华翁俊龚国华张林
- 关键词：类金刚石薄膜石英玻璃
- 硼源浓度对纳米金刚石薄膜掺硼的影响被引量：4
- 2014年
- 目的研究纳米金刚石薄膜生长掺硼的内在机理,实现对该过程的精确控制。方法采用微波等离子体化学气相沉积法,以氢气稀释的乙硼烷为硼源,进行纳米金刚石薄膜的生长过程掺硼实验,研究硼源浓度对掺硼纳米金刚石薄膜晶粒尺寸、表面粗糙度、表面电阻和表面硼原子浓度的影响。结果随着硼源浓度的增加,纳米金刚石薄膜的表面粗糙度和晶粒尺寸增大,表面电阻则先下降,而后趋于平衡。结论纳米金刚石薄膜掺硼后,表面电导性能可获得改善,表面粗糙度和晶粒尺寸则会增大。在700℃条件下掺硼15 min,最佳的硼源浓度(以硼烷占总气体流量的百分比计)为0.02%。
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- 关键词：纳米金刚石薄膜掺硼化学气相沉积
- 基片温度对纳米金刚石薄膜掺硼的影响被引量：1
- 2014年
- 采用微波等离子体化学气相沉积法,以氢气稀释的乙硼烷为硼源进行了纳米金刚石(NCD)薄膜的生长过程掺硼,研究了基片温度对掺硼NCD薄膜晶粒尺寸、表面粗糙度、表面电阻和硼原子浓度的影响.利用扫描电子显微镜和原子力显微镜观察NCD薄膜的表面形貌,并通过Imager软件对原子力显微镜数据进行分析获得薄膜的表面粗糙度及平均晶粒尺寸信息;采用四探针测量掺硼NCD薄膜的表面方块电阻,利用二次离子质谱仪对掺杂后NCD薄膜表面区域的硼原子浓度进行测量.实验结果表明,较高的基片温度有利于提高薄膜的导电能力,但随着基片温度的提高,NCD薄膜的平均晶粒尺寸和表面粗糙度逐渐增大;此外,当反应气体中的乙硼烷浓度一定时,掺杂后NCD薄膜的表面硼原子浓度随基片温度升高存在一个饱和值.在所选乙硼烷浓度为0.01%的条件下,基片温度在700℃左右可以在保证薄膜表面电性能的基础上保持较好的表面形貌.
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- 关键词：纳米金刚石薄膜掺硼化学气相沉积
- 单晶硅表面磁控溅射铜栅极
- 2014年
- 晶硅太阳能电池表面的导电栅极主要用于输出电能,若其与基体间的附着力较差,将会极大地降低电池元件的稳定性和使用寿命,而与其他制备方法相比,物理气相沉积法具有可控性好、成本低等优势.为了继承物理气相沉积法的相关优势,同时能够使铜栅极与基片之间具有良好的附着力,利用磁控溅射法在单晶硅上进行铜栅极的制备实验,研究了磁控溅射过程中溅射功率和工作气压等参数对最终制得的铜栅极附着力的影响.采用超声震荡加强实验检测铜栅极的附着力,使用金相显微镜观察铜栅极的整体形貌及断线率,通过扫描电子显微镜观察铜膜的表面形貌.结果表明在溅射功率为180 W,工作气压为0.8 Pa的条件下制备的铜栅极线宽更为均匀,且进行加强实验后断线率为0.
- 熊礼威崔晓慧汪建华翁俊龚国华张林
- 关键词：单晶硅太阳能电池附着力
- 一种制备大面积太阳能电池片硅膜的微波等离子体装置
- 本发明涉及一种制备大面积太阳能电池片硅膜的微波等离子体装置，包括等功率狭缝板、反应腔、多路微波源和多路微波传输系统，所述反应腔的顶部设有石英玻璃板，所述石英玻璃板位于所述等功率狭缝板下方，多路微波源和多路微波传输系统并排...
- 熊礼威龚国华汪建华刘繁翁俊崔晓慧
- 文献传递
- 一种大面积微波等离子体化学气相沉积系统
- 本发明属于微波等离子体化学气相沉积系统的领域，主要是涉及一种用于制备高质量大面积金刚石膜的微波等离子体化学气相沉积系统。本系统主要包括真空部分和微波导入部分，真空部分包括真空腔和真空腔上盖，真空腔上盖的中心侧表面形成不同...
- 熊礼威龚国华汪建华翁俊崔晓慧
- 文献传递
