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金钦华

作品数:8 被引量:3H指数:1
供职机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
发文基金:国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域:一般工业技术机械工程理学更多>>

文献类型

  • 6篇专利
  • 2篇期刊文章

领域

  • 2篇一般工业技术
  • 1篇机械工程
  • 1篇理学

主题

  • 8篇纳米
  • 4篇硅片
  • 4篇硅片表面
  • 3篇墙结构
  • 3篇热学
  • 3篇结构部件
  • 3篇刻蚀
  • 3篇刻蚀工艺
  • 2篇单壁
  • 2篇单壁碳纳米管
  • 2篇电阻
  • 2篇电阻炉
  • 2篇碳纳米管
  • 2篇气相
  • 2篇气相沉积
  • 2篇气相沉积法
  • 2篇气源
  • 2篇纳米管
  • 2篇化学气相
  • 2篇化学气相沉积

机构

  • 8篇中国科学院
  • 2篇上海交通大学

作者

  • 8篇李铁
  • 8篇王跃林
  • 8篇金钦华
  • 4篇俞骁
  • 2篇饶伏波
  • 2篇张志祥
  • 1篇李昕欣
  • 1篇许钫钫

传媒

  • 1篇中国科学(E...
  • 1篇微纳电子技术

年份

  • 1篇2014
  • 3篇2012
  • 1篇2011
  • 2篇2009
  • 1篇2008
8 条 记 录,以下是 1-8
排序方式:
同时制备多方向水平定向单壁碳纳米管阵列的方法
本发明公开了一种同时制备多方向水平定向单壁碳纳米管阵列的方法,属于纳米材料制备技术领域。本发明采用含钠离子的溶液处理表面为Si或SiO<Sub>2</Sub>的衬底,使用铁蛋白作为催化剂源,用于催化制备以含碳原料气和氢气...
饶伏波李铁王跃林张志祥金钦华
文献传递
一种在(111)型硅片表面制备纳米结构的方法
本发明涉及一种在(111)型硅片表面制备纳米结构的方法,属于纳米技术领域。其特征在于利用硅材料的各向异性湿法腐蚀特性在(111)硅片表面制备特征尺寸为纳米量级的单晶硅纳米墙结构或纳米角结构,或者结合自限制氧化工艺进一步制...
金钦华俞骁李铁王跃林
文献传递
一种在(100)型SOI硅片表面自上而下制备纳米结构的方法
本发明涉及一种在(100)型SOI硅片表面自上而下制备纳米结构的方法,属于纳米技术领域。其特征在于利用硅材料的各向异性腐蚀特性在(100)SOI硅片表面设计最小线宽在1μm以上的两个或多个经腐蚀后可在腐蚀槽中间形成特征尺...
金钦华俞骁李铁王跃林
文献传递
一维纳米结构的拉伸力学测试被引量:1
2008年
对一维纳米结构开展轴向拉伸测试时,面临着样品制备、装载、拉伸、样品的轴向应力与应变的高精度测量等难点,解决途径包括改造现代显微仪器、研制MEMS力学测试芯片及发展一维纳米样品的制备与装载技术。从实验使用的测试仪器及拉伸方式出发,将目前发表的一维纳米拉伸实验分为基于探针、MEMS和电子束辐照开展的拉伸实验,并对各种实验方法进行了比较。发现基于MEMS的拉伸实验由于其对测试仪器的改造小、花费少、且通过设计制作不同测试功能的芯片可实现多样测试,是更有发展前景的测试技术。
金钦华王跃林李铁
关键词:一维纳米结构原位测试
同时制备多方向水平定向单壁碳纳米管阵列的方法
本发明公开了一种同时制备多方向水平定向单壁碳纳米管阵列的方法,属于纳米材料制备技术领域。本发明采用含钠离子的溶液处理表面为Si或SiO<Sub>2</Sub>的衬底,使用铁蛋白作为催化剂源,用于催化制备以含碳原料气和氢气...
饶伏波李铁王跃林张志祥金钦华
文献传递
一种在(110)型硅片表面自上而下制备纳米结构的方法
本发明涉及一种在(110)型硅片表面自上而下制备纳米结构的方法,属于纳米技术领域。其特征在于利用硅材料的各向异性湿法腐蚀特性在(110)硅片表面制备特征尺寸为纳米量级的单晶硅纳米墙结构或纳米角结构,或者结合自限制氧化工艺...
金钦华俞骁李铁王跃林
文献传递
一种在(111)型硅片表面制备纳米结构的方法
本发明涉及一种在(111)型硅片表面制备纳米结构的方法,属于纳米技术领域。其特征在于利用硅材料的各向异性湿法腐蚀特性在(111)硅片表面制备特征尺寸为纳米量级的单晶硅纳米墙结构或纳米角结构,或者结合自限制氧化工艺进一步制...
金钦华俞骁李铁王跃林
用于TEM原位拉伸实验的集成单晶硅纳米梁MEMS测试芯片研究被引量:2
2009年
透射电镜内的原位拉伸测试是研究纳米尺度的单晶硅材料的力学性质的一种很有发展前景的研究方法.开展了集成单晶硅纳米梁的微电子机械系统测试芯片的设计、制作,并完成了原位拉伸的测试实验.集成的微电子机械系统芯片由基于静电梳齿结构的驱动器、测力悬梁、单晶硅纳米梁及电子束透射窗等结构构成.利用SOI硅片和普通硅片采用体硅微加工工艺及硅键合工艺加工完成了芯片制造.通过透射电镜样品杆上的电极与微电子机械系统芯片导通,实现了对静电梳齿结构的驱动,完成了与其相连的单晶硅纳米梁的拉伸观测.对此微电子机械系统芯片的测试实验结果表明,随着驱动电压的增加,单晶硅纳米梁逐渐被拉动,原位拉伸实验得到了该纳米梁的应力-应变关系,对实验结果拟合后得到杨氏模量值为161GPa,在误差范围内与体硅一致.
金钦华王跃林李铁李昕欣许钫钫
关键词:微电子机械系统透射电镜
共1页<1>
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