郭燕
- 作品数：4 被引量：1H指数：1
- 供职机构：天津理工大学电子信息工程学院天津市薄膜电子与通信器件重点实验室更多>>
- 发文基金：天津市自然科学基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学建筑科学更多>>
- 温度补偿对氮化铝(AlN)薄膜择优取向的影响
- 2011年
- 氮化铝(AlN)薄膜不同的择优取向直接影响其压电性和声波传递速度.本文通过改变衬底补偿温度对AlN薄膜的择优取向进行了研究.在正常实验溅射完成后继续通入氮气对衬底进行温度补偿.应用XRD和AFM对氮化铝薄膜的取向性和表面形貌进行表征分析,结果表明本实验制备出了较好的(002)面和(100)面取向的AlN薄膜,而且薄膜沉积均匀,比较致密.
- 宋振坤陈希明郭燕孙连婕
- 关键词：氮化铝薄膜温度补偿原子力显微镜
- Si/Al/BN多层膜的制备及研究
- 2012年
- 本文采用磁控溅射系统制备了Si/Al/BN多层膜结构,并通过XRD,AFM,傅立叶红外光谱仪,纳米压痕仪等对Si/Al/BN多层膜结构进行了表征,表征结果表明本实验制备的Si/Al/BN多层膜基片符合高频声表面波器件基片的要求,为金刚石/IDT/BN多层膜超高频声表面波器件的制备奠定了基础.
- 曲长庆孙连婕陈希明郭燕吴小国
- 关键词：原子力显微镜
- 六方氮化硼薄膜制备及其压电响应的研究
- 2012年
- 采用射频(RF)磁控溅射的方法,通过改变工艺参数在n型Si(100)片上制备六方氮化硼(h-BN)薄膜。通过傅立叶红外(FTIR)光谱仪,X射线衍射(XRD)仪进行结构表征,原子力显微镜(AFM)进行表面形貌和压电性能表征。测试结果表明,在射频功率为300 W、衬底温度为500℃、工作压强在0.8Pa、N2与Ar流量比为4∶20和衬底偏压在-200V时制备的六方BN薄膜具有高纯度、高c-轴择优取向,颗粒均匀致密,粗糙度为2.26nm,具有压电性并且压电响应均匀,符合高频声表面波器件基片高声速、优压电性要求。薄膜压电性测试研究表明,AFM的PFM测试方法适用于纳米结构半导体薄膜的压电性及其压电响应分布特性的表征。
- 孙连婕陈希明杨保和郭燕吴小国
- 关键词：压电薄膜
- 高声速(100)择优取向AlN薄膜的制备和性能研究被引量：1
- 2011年
- 采用射频磁控溅射法,通过改变工艺参数在n型(100)Si片上制备了表面粗糙度小、以(100)面择优取向的AlN薄膜。研究了高温退火、N2结尾等工艺对AlN薄膜择优取向的影响。结果表明,增大工作气压有利于薄膜(100)面择优取向,但是随着工作气压升高薄膜沉积不均匀,通过退火可以减少这种缺陷;N2-Ar比低有利于(100)面择优生长,但是容易使薄膜含有Al成分,通过以N2结尾可以减少薄膜中的Al成分,并从分子平均自由程和能量角度探讨了其对AlN压电薄膜择优取向的影响。
- 郭燕陈希明杨保和孙连婕吴晓国
- 关键词：ALN薄膜退火
