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赵湘楠
作品数:
9
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供职机构:
清华大学
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国家自然科学基金
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相关领域:
电子电信
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合作作者
孙长征
清华大学
罗毅
清华大学
熊兵
清华大学
石拓
清华大学
郭丽丽
清华大学
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机构
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作者
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罗毅
9篇
孙长征
9篇
赵湘楠
8篇
熊兵
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李进
2篇
朱军浩
2篇
郭丽丽
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石拓
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韩彦军
传媒
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压电与声光
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2016
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2014
3篇
2012
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耦合波导、其制作方法及应用其的半导体光电子器件
本发明公开了一种耦合波导、其制作方法及应用其的半导体光电子器件。所述耦合波导包括衬底、下波导包层、第一波导芯层、隔离层、第二波导芯层和上波导包层,所述第二波导芯层具有横向宽度沿导光方向逐渐变化的宽度渐变段。其制作方法为:...
熊兵
朱军浩
赵湘楠
孙长征
罗毅
文献传递
耦合波导、其制作方法及应用其的半导体光电子器件
本发明公开了一种耦合波导、其制作方法及应用其的半导体光电子器件。所述耦合波导包括衬底、下波导包层、第一波导芯层、隔离层、第二波导芯层和上波导包层,所述第二波导芯层具有横向宽度沿导光方向逐渐变化的宽度渐变段。其制作方法为:...
熊兵
朱军浩
赵湘楠
孙长征
罗毅
波导型电光调制器及其制作方法
本发明公开了一种波导型电光调制器,包括波导结构和上下电极,所述波导结构包括在衬底上至下而上依次排列的下N型半导体包层、半导体芯层和上N型半导体包层,下电极与下N型半导体包层接触,上电极与上N型半导体包层接触,所述下N型半...
熊兵
李进
赵湘楠
孙长征
罗毅
文献传递
n-i-n型电光调制器
本发明涉及光通信中的光电子器件领域,公开了一种n-i-n型电光调制器,从下至上依次包括:衬底、下欧姆接触层、下限制层、下导波层、有源层、上导波层、上限制层和上欧姆接触层,上、下限制层为N型掺杂结构;所述有源层的禁带宽度为...
孙长征
郭丽丽
熊兵
罗毅
赵湘楠
文献传递
蓝宝石衬底上氮化镓薄膜的声表面波特性研究(英文)
2014年
研究了蓝宝石上非掺杂GaN,p型GaN和p-GaN/n-GaN 3种薄膜材料的声表面波特性。在p型GaN薄膜中观测到中心频率分别为255MHz和460MHz的Rayleigh模和Sezawa模,插入损耗为-42dB。研究了退火工艺的影响。在N2中800K温度下退火,Rayleigh模和Sezawa模的旁带抑制比分别提高了5.5dB和10.2dB。结果表明具有高阻、足够厚度和高表面质量的GaN薄膜在射频单片集成滤波器领域具有广阔的应用前景。
赵湘楠
韩彦军
孙长征
罗毅
关键词:
氮化镓薄膜
声表面波
一种光控微波波束接收系统
本发明公开了一种光控微波波束接收系统,涉及微波光子学技术。所述系统包括:N个天线单元,所述天线单元连接光调制器的第一输入端;所述光调制器的第二输入端连接激光源;所述光调制器的输出端连接光信号处理单元的输入端;所述光信号处...
罗毅
赵湘楠
石拓
熊兵
孙长征
n-i-n型电光调制器
本发明涉及光通信中的光电子器件领域,公开了一种n-i-n型电光调制器,从下至上依次包括:衬底、下欧姆接触层、下限制层、下导波层、有源层、上导波层、上限制层和上欧姆接触层,上、下限制层为N型掺杂结构;所述有源层的禁带宽度为...
孙长征
郭丽丽
熊兵
罗毅
赵湘楠
一种光控微波波束接收系统
本发明公开了一种光控微波波束接收系统,涉及微波光子学技术。所述系统包括:N个天线单元,所述天线单元连接光调制器的第一输入端;所述光调制器的第二输入端连接激光源;所述光调制器的输出端连接光信号处理单元的输入端;所述光信号处...
罗毅
赵湘楠
石拓
熊兵
孙长征
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波导型电光调制器及其制作方法
本发明公开了一种波导型电光调制器,包括波导结构和上下电极,所述波导结构包括在衬底上至下而上依次排列的下N型半导体包层、半导体芯层和上N型半导体包层,下电极与下N型半导体包层接触,上电极与上N型半导体包层接触,所述下N型半...
熊兵
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