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赵湘楠

作品数:9 被引量:0H指数:0
供职机构:清华大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信理学一般工业技术电气工程更多>>

文献类型

  • 8篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 3篇电子电信
  • 1篇电气工程
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 8篇调制器
  • 6篇光调制
  • 6篇光调制器
  • 4篇电光
  • 4篇电光调制
  • 4篇电光调制器
  • 4篇电子器件
  • 4篇光场
  • 4篇光电
  • 4篇光电子
  • 4篇光电子器件
  • 4篇波导
  • 3篇调制
  • 3篇半导体
  • 2篇导波
  • 2篇电吸收
  • 2篇电吸收调制
  • 2篇电吸收调制器
  • 2篇信号
  • 2篇信号处理

机构

  • 9篇清华大学

作者

  • 9篇罗毅
  • 9篇孙长征
  • 9篇赵湘楠
  • 8篇熊兵
  • 2篇李进
  • 2篇朱军浩
  • 2篇郭丽丽
  • 2篇石拓
  • 1篇韩彦军

传媒

  • 1篇压电与声光

年份

  • 1篇2016
  • 5篇2014
  • 3篇2012
9 条 记 录,以下是 1-9
排序方式:
耦合波导、其制作方法及应用其的半导体光电子器件
本发明公开了一种耦合波导、其制作方法及应用其的半导体光电子器件。所述耦合波导包括衬底、下波导包层、第一波导芯层、隔离层、第二波导芯层和上波导包层,所述第二波导芯层具有横向宽度沿导光方向逐渐变化的宽度渐变段。其制作方法为:...
熊兵朱军浩赵湘楠孙长征罗毅
文献传递
耦合波导、其制作方法及应用其的半导体光电子器件
本发明公开了一种耦合波导、其制作方法及应用其的半导体光电子器件。所述耦合波导包括衬底、下波导包层、第一波导芯层、隔离层、第二波导芯层和上波导包层,所述第二波导芯层具有横向宽度沿导光方向逐渐变化的宽度渐变段。其制作方法为:...
熊兵朱军浩赵湘楠孙长征罗毅
波导型电光调制器及其制作方法
本发明公开了一种波导型电光调制器,包括波导结构和上下电极,所述波导结构包括在衬底上至下而上依次排列的下N型半导体包层、半导体芯层和上N型半导体包层,下电极与下N型半导体包层接触,上电极与上N型半导体包层接触,所述下N型半...
熊兵李进赵湘楠孙长征罗毅
文献传递
n-i-n型电光调制器
本发明涉及光通信中的光电子器件领域,公开了一种n-i-n型电光调制器,从下至上依次包括:衬底、下欧姆接触层、下限制层、下导波层、有源层、上导波层、上限制层和上欧姆接触层,上、下限制层为N型掺杂结构;所述有源层的禁带宽度为...
孙长征郭丽丽熊兵罗毅赵湘楠
文献传递
蓝宝石衬底上氮化镓薄膜的声表面波特性研究(英文)
2014年
研究了蓝宝石上非掺杂GaN,p型GaN和p-GaN/n-GaN 3种薄膜材料的声表面波特性。在p型GaN薄膜中观测到中心频率分别为255MHz和460MHz的Rayleigh模和Sezawa模,插入损耗为-42dB。研究了退火工艺的影响。在N2中800K温度下退火,Rayleigh模和Sezawa模的旁带抑制比分别提高了5.5dB和10.2dB。结果表明具有高阻、足够厚度和高表面质量的GaN薄膜在射频单片集成滤波器领域具有广阔的应用前景。
赵湘楠韩彦军孙长征罗毅
关键词:氮化镓薄膜声表面波
一种光控微波波束接收系统
本发明公开了一种光控微波波束接收系统,涉及微波光子学技术。所述系统包括:N个天线单元,所述天线单元连接光调制器的第一输入端;所述光调制器的第二输入端连接激光源;所述光调制器的输出端连接光信号处理单元的输入端;所述光信号处...
罗毅赵湘楠石拓熊兵孙长征
n-i-n型电光调制器
本发明涉及光通信中的光电子器件领域,公开了一种n-i-n型电光调制器,从下至上依次包括:衬底、下欧姆接触层、下限制层、下导波层、有源层、上导波层、上限制层和上欧姆接触层,上、下限制层为N型掺杂结构;所述有源层的禁带宽度为...
孙长征郭丽丽熊兵罗毅赵湘楠
一种光控微波波束接收系统
本发明公开了一种光控微波波束接收系统,涉及微波光子学技术。所述系统包括:N个天线单元,所述天线单元连接光调制器的第一输入端;所述光调制器的第二输入端连接激光源;所述光调制器的输出端连接光信号处理单元的输入端;所述光信号处...
罗毅赵湘楠石拓熊兵孙长征
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波导型电光调制器及其制作方法
本发明公开了一种波导型电光调制器,包括波导结构和上下电极,所述波导结构包括在衬底上至下而上依次排列的下N型半导体包层、半导体芯层和上N型半导体包层,下电极与下N型半导体包层接触,上电极与上N型半导体包层接触,所述下N型半...
熊兵李进赵湘楠孙长征罗毅
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共1页<1>
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