您的位置： 专家智库 > >

王会

作品数：1 被引量：3H指数：1
供职机构：浙江大学信息与电子工程学系更多>>
发文基金：中央高校基本科研业务费专项资金国家自然科学基金更多>>
相关领域：一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇一般工业技术

主题

  • 1篇电性能
  • 1篇双层膜
  • 1篇耦合腔
  • 1篇溅射
  • 1篇铜
  • 1篇银
  • 1篇磁控
  • 1篇磁控溅射

机构

  • 1篇浙江大学
  • 1篇昆山万丰电子...

作者

  • 1篇王德苗
  • 1篇王会
  • 1篇冯斌

传媒

  • 1篇机械工程材料

年份

  • 1篇2015
共 1 条 记 录，以下是 1-1
全选 清除 导出
排序方式：
磁控溅射银/铜双层膜的电性能和结合强度被引量：3
2015年
采用磁控溅射工艺在微波腔体耦合器内壁沉积了银/铜双层膜,并对该膜的电性能以及膜基结合强度等进行了研究。结果表明：采用磁控溅射法沉积的银/铜双层膜和基体的结合强度可达5.0 MPa;其中,内壁沉积有2μm银/2μm铜双层膜的耦合器的电性能最佳,耦合度为5.75~6.20dB,隔离度为31.02dB,端口驻波值为24.43dB,均达到了电镀的指标,插入损耗小于1.70dB,优于电镀的;该工艺用银量少,无污染,可替代电镀在微波器件表面沉积功能镀层。
王会徐晓冯斌王德苗
关键词：磁控溅射耦合腔双层膜电性能
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0