王万晶
- 作品数:8 被引量:10H指数:2
- 供职机构:上海大学更多>>
- 发文基金:国家自然科学基金国家重点实验室开放基金更多>>
- 相关领域:电子电信理学更多>>
- Ag/ITO/氧化锌基复合透明电极的发光二极管及其制备方法
- 本发明涉及一种Ag/ITO/氧化锌基复合透明电极发光二极管及其制作工艺。本发光二极管包括:在蓝宝石衬底上依次有缓冲层、本征层、n型氮化镓、量子阱、p型氮化镓和Ag/ITO/氧化锌基复合电流扩展层、并有n型金属电极连接n型...
- 张建华王万晶李喜峰
- 文献传递
- ITO界面调制层对GZO电极LED器件性能的影响被引量:8
- 2012年
- 采用磁控溅射制备GZO和具有ITO界面调控层的GZO(ITO/GZO)透明导电薄膜作为大功率LED的电流扩散层,对比研究界面调控层对LED器件性能的影响。研究结果表明,ITO/GZO薄膜的透过率在可见光区达80%以上,退火后的ITO/GZO薄膜有较低的电阻率(1.15×10-3Ω.cm)。ITO调控层的介入能够调制GZO表面粗糙度,有利于改善LED外量子效率,降低GZO/p-GaN界面的接触势垒,提高LED器件的光电性能。通过ITO界面调控后,LED器件20 mA驱动电流下的工作电压从9.5 V降低为6.8 V,发光强度从245 mcd升到297 mcd,提高了20%;驱动电流为35 mA时,其发光强度从340.5 mcd升到511 mcd,提高了50%。
- 王万晶李喜峰石继峰张建华
- 关键词:LED
- ZnO:Ga透明导电薄膜LED器件的研究
- 王万晶
- 关键词:LED器件ZNO磁控溅射
- Ag/ITO/氧化锌基复合透明电极的发光二极管及其制备方法
- 本发明涉及一种Ag/ITO/氧化锌基复合透明电极发光二极管及其制作工艺。本发光二极管包括:在蓝宝石衬底上依次有缓冲层、本征层、n型氮化镓、量子阱、p型氮化镓和Ag/ITO/氧化锌基复合电流扩展层、并有n型金属电极连接n型...
- 张建华王万晶李喜峰
- 一种薄膜型LED制备的方法
- 本发明公开了一种薄膜型LED制备的方法。本方法是在蓝宝石衬底上采用传统的金属有机相气相外延法沉积本征GaN层,n型GaN层,多量子阱层以及p型GaN层。但是制备透明电流扩散层GZO薄膜时,采用了具有设备简单,生产成本低的...
- 李喜峰李倩王万晶张建华
- 文献传递
- 溶胶凝胶法制备ZnO:Ga作为电流扩散层的LED光电性能研究被引量:2
- 2012年
- 采用溶胶凝胶法制备了ZnO:Ga(GZO)透明导电薄膜,并用做GaN基LED的电流扩散层。研究表明,GZO薄膜为多晶薄膜,透光率大于80%,粗糙度为Ra 4.6nm,制备的LED的开启电压为2.4V,并成功的点亮LED芯片。
- 李倩王万晶李喜峰张建华吕建国
- 关键词:溶胶凝胶LEDGZO
- Ag/氧化锌基复合透明电极的发光二极管及其制备方法
- 本发明涉及一种Ag/氧化锌基复合透明电极发光二极管及其制备工艺。本发光二极管包括:在蓝宝石衬底上依次有缓冲层、本征层、n型氮化镓、量子阱、p型氮化镓和Ag/氧化锌基复合电流扩展层、并有n型金属电极(PAD)连接n型氮化镓...
- 李喜峰王万晶张建华
- 文献传递
- ITO/氧化锌基复合透明电极发光二极管及其制备方法
- 本发明涉及一种ITO/氧化锌基复合透明电极发光二极管及其制作工艺。本发光二极管包括:在蓝宝石衬底上依次有缓冲层、本征层、n型氮化镓、量子阱、p型氮化镓和ITO/氧化锌基复合电流扩展层、n型金属电极(PAD)连接n型氮化镓...
- 王万晶张建华李喜峰
- 文献传递