张滨
- 作品数：7 被引量：10H指数：2
- 供职机构：西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家部委预研基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- SOI SiGe HBT电学性能研究被引量：1
- 2012年
- 研究了SOI衬底上SiGe npn异质结晶体管的设计优化.给出了器件基本直流交流特性曲线,分析了与常规SiGeHBT的不同.由于SOI衬底的引入使SOI SiGe HBT成为四端器件,重点研究了衬底偏压对Gummel曲线、输出特性曲线以及雪崩电流的影响.最后仿真实现材料物理参数和几何物理参数对频率特性的改变.结果表明SOI SiGeHBT与常规器件相比具有更大的设计自由度.SOI SiGe HBT的系统分析为毫米波SOI SiGe BiCMOS电路的设计提供了有价值的参考.
- 张滨杨银堂李跃进徐小波
- 关键词：SIGE电学性能
- 电容性耦合谐振器微波带通滤波器的仿真研究被引量：1
- 2009年
- 提出了一种以电感为变量的电容性耦合并联谐振器微波带通滤波器的设计方法,能够引入传输零点,解决了集总元件微波带通滤波器电磁仿真耗时较长的问题。按照所给方法,通过HFSS软件设计了适用于802.11a频段的中心频率为5.2GHZ,带宽为500MHZ的带通滤波器。结果表明该滤波器通带内插损小于3dB,回波损耗大于13dB,尺寸小于3.8mm,在未来小型化无线通信系统中有广泛的应用前景。
- 郭云胜李跃进邓攀博邢孟江张滨
- 关键词：集总元件带通滤波器低温共烧陶瓷
- SiGe HBT超宽带低噪声放大器设计被引量：1
- 2012年
- 采用ADS软件设计并仿真了一种应用于UWB标准的低噪声放大器。该低噪声放大器基于JAZZ 0.35μmSiGe工艺,工作带宽为3.1～10.6GHz。电路的输入极采用共发射极结构,利用反馈电感来进行输入匹配,第二级采用达林顿结构对信号提供合适的增益。使用ADS2006软件进行设计、优化和仿真。仿真结果显示,在3.1～10.6GHz带宽内,放大器的电源电压在3.3V时,噪声系数低于2.5dB,增益大于24dB,功耗为28mV,输出三阶交调为17dBm。
- 张滨杨银堂李跃进
- 关键词：低噪声放大器增益噪声系数
- SiGe HBT器件及其在LNA电路中的应用研究
- 低噪声放大器(Low Noise Amplifier，LNA)作为接收机前端的重要组成部分， 其增益、噪声系数和线性度等指标直接影响着接收机的接收性能和灵敏度。随着 现代无线通信技术的发展，对数据传输速率和频带的要求也越...
- 张滨
- 关键词：锗硅异质结双极晶体管超宽带低噪声放大器
- C波段低噪声放大器设计
- 低噪声放大器作为微波接收系统的重要组件之一，它对整个接收系统的接收灵敏度和噪声性能起着决定性作用。高电子迁移率晶体管是一种新型的场效应晶体管，具有高频率、低噪声、大功率等一系列的优点。用HEMT制作的多级低噪声放大器已广...
- 张滨
- 关键词：微波接收低噪放大器反馈控制
- 文献传递
- 一种3．1-10．6GHz超宽带低噪声放大器设计被引量：2
- 2012年
- 设计了一种基于TSMC 0.13μm CMOS工艺,用于3.1～10.6GHz带宽的CMOS低噪声放大器。输入级采用共栅极结构,在宽频带内能较好地完成输入匹配。放大级采用共源共栅结构,为整个电路提供合适的增益。输出则采用源极输出器来进行输出匹配。使用ADS2006软件进行设计、优化和仿真。仿真结果显示,在3.1GHz～10.6GHz带宽内,放大器的电源电压在1.2V时,噪声系数低于2.5dB,增益为20.5dB,整个电路功耗为8mW。
- 张滨杨银堂李跃进
- 关键词：低噪声放大器超宽带增益噪声系数共源共栅
- 利用噪声抵消技术设计低噪声放大器被引量：2
- 2013年
- 采用ADS软件设计并仿真了一种应用于WiMax2标准的低噪声放大器。该低噪声放大器基于TSMC 0.13μmCMOS工艺,工作带宽为2.3 GHz^2.7GHz。在电路设计中采用噪声抵消技术降低CMOS管的电流噪声。使用共栅极结构进行输入匹配,使用电容进行输出匹配。偏置电路采用电流镜原理。使用ADS2006软件进行设计、优化和仿真。仿真结果显示,在2.3 GHz^2.7GHz带宽内,放大器的电源电压在1.2V时,噪声系数低于1.96dB,增益大于21.8dB,整个电路功耗为9mW。
- 张滨杨银堂李跃进
- 关键词：低噪声放大器噪声抵消增益噪声系数
