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脉冲压缩光栅光路调节新方法研究被引量：2: 2006年; 介绍了一种简单而实用的大口径脉冲压缩光栅光路调节方法,有效解决了普通光路调节方法中轴向调节精度不高的问题。首先由全息透镜(光栅)成像公式出发,推导出了该光路调节的基本原理。并从光栅记录系统与光栅衍射波像差的关系,结合初级像差理论推导得出叠栅条纹像差为0.4786λ,大约是光栅衍射波像差(0.25λ)的两倍,利用此关系也可对光栅衍射波像差进行实时监测。从数值模拟结果可知,利用叠栅条纹法调节光路可将光栅波像差减至0.06λ,相应的轴向误差量为0.007 mm,可有效提高了轴向调节精度。; 张伟吴建宏朱健强李朝明; 关键词：叠栅条纹波像差数值模拟

InGaAs/AlGaAs量子阱红外探测器中势垒生长温度的研究被引量：2: 2017年; InGaAs/AlGaAs量子阱是中波量子阱红外探测器件最常用的材料体系,本文以结构为2.4 nm In_(0.35)Ga_(0.65)As/40 nm Al_(0.34)Ga_(0.66)As的多量子阱材料为研究对象,利用分子束外延生长,固定InGaAs势阱的生长温度(465°C),然后依次升高分别选取465,500,545,580°C生长AlGaAs势垒层,从而获得四个不同的多量子阱样品.通过荧光光谱以及X射线衍射测试系统分析了势垒层生长温度对InGaAs量子阱发光和质量的影响,并较准确地给出了量子阱大致的温致弛豫轨迹:465—500°C,开始出现相分离,但缺陷水平较低,属弹性弛豫阶段;500—545°C,相分离加剧并伴随缺陷水平的上升,属弹性弛豫向塑性弛豫过渡阶段;545—580°C,相分离以及缺陷水平急剧上升,迅速进入塑性弛豫阶段,尤其是580°C时,量子阱的材料质量被严重破坏.; 霍大云石震武张伟唐沈立彭长四

镀膜元件面形变化的时间效应和湿度效应被引量：1: 2009年; 对镀制强激光薄膜的光学元件在外界环境中时,表面面形发生的变化进行了研究。理论分析了表面面形的变化机制,明确水致应力具有物理和化学两种形成机制,是改变镀膜元件面形的主要因素;实验研究了镀制激光高反膜的K9材料元件存放过程中面形变化趋势,发现这种趋势变化具有时间效应和湿度效应。; 祝沛沈卫星陈卫华张伟; 关键词：面形

多光束激光干涉光刻图样被引量：5: 2011年; 利用电磁理论,研究了多光束激光干涉图样的产生原理,结合计算机数值模拟和相关实验结果,分析了干涉图样的影响因素。研究结果表明:多光束激光干涉图样可以看成是多组余弦分布的平行线条纹的叠加;相干光束的偏振方向、入射方向、光束间相位差是干涉图样的重要影响因素,改变这些因素,余弦分布的平行线条纹的振幅、位置、周期和方向发生变化,图样也随之变化。; 张伟刘维萍顾小勇谈春雷彭长四; 关键词：激光干涉光刻

脉冲激光原位辐照对InAs/GaAs(001)量子点生长的影响: 2016年; 在InAs/GaAs(001)量子点生长过程中,当In As沉积量为0.9 ML时,利用紫外纳秒脉冲激光辐照浸润层表面,由于高温下In原子的不稳定性,激光诱导的原子脱附效应被放大,样品表面出现了原子层移除和纳米孔.原子力显微镜测试表明纳米孔呈现以[110]方向为长轴(尺寸:20—50 nm)、[110]方向为短轴(尺寸:15—40 nm)的表面椭圆开口形状,孔的深度为0.5—3 nm.纳米孔的密度与脉冲激光的能量密度正相关.脉冲激光的辐照对量子点生长产生了显著的影响:一方面由于纳米孔的表面自由能低,沉积的In As优先迁移到孔内,纳米孔成为量子点优先成核的位置;另一方面,孔外的区域因为In原子的脱附,量子点的成核被抑制.由于带有纳米孔的浸润层表面具有类似于传统微纳加工技术制备的图形衬底对量子点选择性生长的功能,该研究为量子点的可控生长提供了一种新的思路.; 张伟石震武霍大云郭小祥彭长四; 关键词：INAS/GAAS量子点脉冲激光

固着磨料加工工艺对磷酸盐钕玻璃亚表面缺陷的影响被引量：12: 2008年; 散粒磨料研磨与固着磨料研磨是光学研磨加工过程中的两种主要手段,但两者材料去除的机制不同。目前针对高功率固体激光装置中的主要工作物质——磷酸盐激光钕玻璃的亚表面缺陷(SSD)研究相对较少,因此在实验的基础上,通过系统地研究固着磨料对磷酸盐激光钕玻璃的研磨工艺过程,分析了多种因素,如磨料粒径、载荷大小、机床转速,以及结合剂材料与冷却液等对钕玻璃亚表面缺陷形成的影响,并与散粒磨料研磨工艺所产生的亚表面缺陷进行了比较,对关键工艺参数进行定量,为高质量钕玻璃制造工艺的选型以及进一步优化亚表面缺陷提供了重要的参考数据。; 张伟朱健强; 关键词：光学加工激光玻璃激光损伤阈值

光栅波像差对脉冲压缩的影响被引量：4: 2005年; 采用光线追迹的方法,对脉冲压缩光栅系统波像差进行理论研究,构建了有像差脉冲压缩光栅对分析模型,使用该模型通过模拟计算得出了波像差对脉冲压缩效果的影响。理论分析结果表明:脉冲压缩光栅系统最大波像差不大于λ/4时,脉冲压缩比的最大变化率约为2%。脉冲压缩光栅对系统达到衍射极限时,在选择适当的入射角度时,光栅波像差所引起的脉冲压缩比变化并不大。; 张伟吴建宏李朝明; 关键词：衍射光学元件波像差光线追迹脉冲压缩压缩比

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张伟