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刘海滨

作品数：4 被引量：1H指数：1
供职机构：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：一般工业技术电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 2篇有源
  • 2篇缓冲层
  • 2篇极化
  • 2篇光效
  • 2篇光效率
  • 2篇掺杂
  • 2篇出光
  • 2篇出光效率
  • 2篇INGAN
  • 1篇氧化物
  • 1篇氧化物半导体
  • 1篇氧化物纳米材...
  • 1篇液固
  • 1篇生物传感
  • 1篇生物传感器
  • 1篇生物分子
  • 1篇准一维
  • 1篇纳米
  • 1篇纳米材料
  • 1篇金属

机构

  • 4篇中国科学院
  • 1篇中国科学院研...

作者

  • 4篇刘海滨
  • 4篇程国胜
  • 1篇苏瑞巩
  • 1篇李宁
  • 1篇解思深
  • 1篇张蓓蓓

传媒

  • 1篇功能材料

年份

  • 2篇2013
  • 1篇2011
  • 1篇2010
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
InGaN纳米柱阵列有源区LED及其制备方法
本发明涉及一种InGaN纳米柱阵列有源区LED及其制备方法。该LED包括依次生长在衬底上的低温GaN缓冲层、n型GaN层、有源区、p型AlGaN层和p型GaN层，所述有源区是由垂直于衬底的InGaN纳米柱阵列组成的。其制...
程国胜刘海滨
文献传递
基于气液固机理的大批量InN纳米线生长被引量：1
2010年
采用气液固机理生长了大批量均匀的InN纳米线,扫描电镜图像显示出这些光滑纳米线的平均直径和长度分别为65nm和15μm。高分辨透射电镜、选区电子衍射、微区拉曼散射光谱结合EDS能谱说明了纳米线为六方纤锌矿结构单晶,并证实了纳米线的生长遵循气液固生长机理。纳米线的光致发光光谱在1.89eV附近有一发光峰。改变NH3的流量可以调控纳米线的形貌和生长方向,我们从能量角度对此进行了解释。
刘海滨程国胜解思深
InGaN纳米柱阵列有源区LED及其制备方法
本发明涉及一种InGaN纳米柱阵列有源区LED及其制备方法。该LED包括依次生长在衬底上的低温GaN缓冲层、n型GaN层、有源区、p型AlGaN层和p型GaN层，所述有源区是由垂直于衬底的InGaN纳米柱阵列组成的。其制...
程国胜刘海滨
准一维金属氧化物纳米材料生物传感器及其制作方法
本发明涉及准一维金属氧化物纳米材料生物传感器及制作方法，传感器包括硅片、生长于硅片上的二氧化硅氧化层、栅极、源极、漏极和微流体通道，由准一维金属氧化物半导体纳米材料连接源极和漏极，构成导电沟道。其工艺是：先合成准一维金属...
张蓓蓓苏瑞巩刘海滨李宁程国胜
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