王丰
- 作品数：14 被引量：5H指数：2
- 供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重大科学仪器设备开发专项中国科学院知识创新工程重要方向项目更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术理学更多>>
- 半导体太赫兹量子器件研究
- 兹(THz,1 THz=1012 Hz)波段是指频率从100GHz到10THz,相应的波长从3mm到30μm,介于毫米波与红外光之间频谱范围相当宽的电磁波谱区域.THz波也被称为T-射线.从频域上看,THz波频带宽,其能...
- 王长韩英军尹嵘张戎王丰郭旭光曹俊诚
- 关键词：太赫兹量子级联激光器量子阱探测器超晶格
- 一种表面等离子体共振的太赫兹传感器
- 本发明提供一种表面等离子体共振的太赫兹传感器，所述太赫兹传感器至少包括：重掺杂半导体薄膜，包括第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；光波导耦合层，形成于所述重掺杂半导体薄膜的第一表面；传感片，形成于所述重掺杂半导体薄膜...
- 王丰曹俊诚
- 文献传递
- 一种太赫兹光电探测器
- 本发明提供一种太赫兹光电探测器，所述太赫兹光电探测器至少包括：表面覆盖有介质层的衬底、形成于所述介质层表面的单层石墨烯、设置于所述单层石墨烯两端的第一金属电极以及形成于所述衬底背面的第二金属电极；所述第一金属电极之间设置...
- 王丰曹俊诚
- 文献传递
- 2.9 THz束缚态向连续态跃迁量子级联激光器研制被引量：2
- 2013年
- 采用气源分子束外延技术生长了GaAs/AlGaAs束缚态向连续态跃迁的太赫兹量子级联激光器材料,基于半绝缘等离子体波导工艺制作了太赫兹量子级联激光器.测量了激光器的发射光谱和功率-电流-电压关系曲线,研究了器件的激光特性.器件激射频率约2.95 THz,脉冲模式下,最高工作温度为67 K.连续波模式下,阈值电流密度最低为230 A/cm2,最大光输出功率1.2 mW,最高工作温度为30 K.
- 万文坚尹嵘谭智勇王丰韩英军曹俊诚
- 关键词：太赫兹量子级联激光器分子束外延
- 低温InGaAs/InAlAs多量子阱的分子束外延生长与表征
- 2013年
- 采用气源分子束外延(GSMBE)生长了低温InGaAs材料,研究了生长温度及As压对InGaAs材料性质的影响,得到优化的生长条件为:生长温度为300℃、As压为77.3kPa。通过Be掺杂,并采用In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As多量子阱结构,将材料的方块电阻提高到1.632×106Ω/Sq,载流子数密度降低至1.058×1014 cm-3。X射线衍射结果表明:InGaAs多量子阱材料具有较高的晶体质量。这种Be掺杂InGaAs多量子阱材料缺陷密度大且电阻率高,是制作太赫兹光电导天线较理想的基质材料。
- 万文坚尹嵘韩英军王丰郭旭光曹俊诚
- 关键词：INGAASINALAS多量子阱分子束外延
- 太赫兹量子级联激光器的电子输运研究
- 目前太赫兹量子级联激光器(THzQCL)有源区普遍采用GaAs/AlGaAs多量子阱的结构设计。有源区的结构极大地影响了器件的光功率和工作温度等，其设计依赖于电子输运模拟，是THzQCL的研究热点之一。
- 王丰郭旭光曹俊诚
- 关键词：太赫兹量子级联激光器
- 太赫兹量子级联激光器中的能量弛豫
- 王丰曹俊诚
- 多体效应对太赫兹量子阱探测器的影响被引量：2
- 2017年
- 设计了一种太赫兹量子阱光电探测器(THz-QWP),并利用该器件研究了多体效应。通过表征和分析器件的光电流谱,发现多体效应改变了器件的峰值响应频率,并且引起了双响应峰现象,从而验证了多体效应能加深有效势阱深度并增大基带与第一激发能级态之间的间距。因此,在THz-QWP的结构设计中,考虑多体效应具有重要意义。
- 邵棣祥郭旭光张戎王丰符张龙王海霞姚辰周涛曹俊诚庄松林
- 关键词：探测器太赫兹光电探测器
- 太赫兹量子级联激光器注入效应的研究
- 王丰郭旭光曹俊诚
- 一种太赫兹光电探测器
- 本发明提供一种太赫兹光电探测器，所述太赫兹光电探测器至少包括：表面覆盖有介质层的衬底、形成于所述介质层表面的单层石墨烯、设置于所述单层石墨烯两端的第一金属电极以及形成于所述衬底背面的第二金属电极；所述第一金属电极之间设置...
- 王丰曹俊诚
- 文献传递
