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夏好广

作品数：22 被引量：2H指数：1
供职机构：南京大学更多>>
相关领域：电子电信理学机械工程自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 20篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇机械工程
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇理学

主题

  • 14篇介质
  • 14篇复合介质
  • 12篇介质栅
  • 10篇光电
  • 8篇光电子
  • 7篇绝缘
  • 6篇晶体管
  • 6篇绝缘介质
  • 6篇MOSFET
  • 6篇成像
  • 4篇探测器
  • 4篇量子效率
  • 4篇成像方法
  • 3篇动态范围
  • 3篇光探测
  • 3篇编程
  • 3篇编程方法
  • 3篇编程过程
  • 2篇电子导体
  • 2篇栅极

机构

  • 22篇南京大学

作者

  • 22篇夏好广
  • 21篇闫锋
  • 20篇卜晓峰
  • 20篇马浩文
  • 20篇吴福伟
  • 7篇胡悦
  • 6篇司向东
  • 5篇张佳辰
  • 3篇徐跃
  • 2篇沈忱
  • 1篇曹汛
  • 1篇吴春波
  • 1篇纪晓丽

传媒

  • 1篇中国激光

年份

  • 1篇2017
  • 7篇2015
  • 3篇2014
  • 8篇2013
  • 3篇2012
共 22 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
分裂栅型MOSFET成像探测器及其操作方法
本发明提出一种分裂栅型MOSFET成像探测器及其操作方法，分裂栅型MOSFET结构为在P型衬底正上发设有两层绝缘介质层和控制栅极，两层绝缘介质层之间设有光电子存储层；控制栅极的两侧设有选择栅极，将控制栅极所控制的衬底与探...
卜晓峰闫锋夏好广吴福伟马浩文司向东张佳辰
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基于光敏复合介质栅MOSFET探测器的彩色成像方法
基于光敏复合介质栅MOSFET探测器的彩色成像方法，在栅极上加不同的电压脉冲，使MOSFET工作在深耗尽状态，根据所加栅极电压不同使耗尽区的深度不同，以此结合不同波长的光在硅中的穿透深度不同的原理，将入射光中的红、绿、蓝...
闫锋卜晓峰胡悦吴福伟夏好广马浩文
文献传递
PN结薄膜晶体管非挥发光电探测器
PN结薄膜晶体管非挥发光电探测器，探测器结构包括硅(Si)衬底(1)，衬底正上方为一层绝缘介质称为体绝缘层(2)，体绝缘层正上方为掺杂不同的半导体薄膜层形成P型源极(3)和N型漏极(4)，在源极漏极分界处源极一侧正上方从...
闫锋夏好广卜晓峰徐跃吴福伟马浩文
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基于复合介质栅MOSFET光敏探测器源漏浮空编程方法
基于复合介质栅MOSFET光敏探测器源漏浮空编程方法，复合介质栅MOSFET光敏探测器单元结构包括：P型半导体衬底（<B>1</B><B>），</B>半导体衬底正上方依次设有底层绝缘介质（<B>5</B><B>）</B>...
闫锋马浩文吴福伟夏好广卜晓峰
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基于内插与外推的数字全息分辨率增强方法被引量：2
2014年
为了提高数字全息再现图像的分辨率,分析了增强图像分辨率的典型方法,提出了同时采用图像内插与外推的数字全息分辨率改进方法。对采集的全息图运用图像算法进行向内插值与向外填充,在全息面和物面之间采用角谱方法进行双向衍射迭代。通过该方法可以实现全息图的内插与外推,内插过程可以增加全息图空间采样频率而外推过程扩大了全息图数值孔径。同时,讨论了内插与外推的限制因素,并将新的改进方法与单独采用外推或内插进行了比较,模拟和实验结果证明,运用该方法可以明显改善再现图像分辨质量。
夏好广张佳辰纪晓丽闫锋曹汛
关键词：全息分辨率增强迭代图像再现
基于复合介质栅结构像素单元的成像阵列及其曝光操作方法
本发明提出了一种基于复合介质栅结构的像素单元的成像阵列及其曝光操作方法，像素单元采用复合介质栅结构的光敏探测器，每个像素单元的源区和漏区是对称的，通过注入形成的P型衬底（1），相邻像素单元之间为N型注入区形成像素共用的漏...
闫锋夏好广卜晓峰吴福伟马浩文司向东
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基于复合介质栅MOSFET光敏探测器的多功能曝光成像方法
基于复合介质栅MOSFET光敏探测器的多功能曝光成像方法，曝光成像的步骤是:在衬底加一负偏压脉冲Vb，源极或漏极的一端加一正向电压脉冲Vp且另一端浮空、或源极漏极同时加一电压压脉冲Vp，源极和漏极加上了一个大于衬底偏压的...
闫锋马浩文胡悦吴福伟夏好广卜晓峰
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复合介质栅MOSFET光敏探测器的复位方法
本发明公开了一种复合介质栅MOSFET光敏探测器的复位方法，具体过程如下：通过FN隧穿的方法将阵列中所有像元的阈值电压先注入提高到3V左右，再用FN方式使电压降低到0.5V左右，最后再通过FN隧穿注入的方式把成像阵列中所...
司向东闫锋吴福伟夏好广马浩文卜晓峰刘佰清
基于复合介质栅MOSFET的双晶体管光敏探测器及其信号读取办法
基于复合介质栅MOSFET的双晶体管光敏探测器，每个单元探测器都是由两个晶体管构成，利用两个晶体管分别实现感光和读取功能即感光晶体管和读取晶体管：两个晶体管都是形成在复合介质栅MOSFET基底P型半导体材料（1）上方，两...
闫锋马浩文沈忱卜晓峰吴福伟夏好广张佳辰
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基于复合介质栅MOSFET光敏探测器的多功能曝光成像方法
基于复合介质栅MOSFET光敏探测器的多功能曝光成像方法，曝光成像的步骤是:在衬底加一负偏压脉冲Vb，源极或漏极的一端加一正向电压脉冲Vp且另一端浮空、或源极漏极同时加一电压压脉冲Vp，源极和漏极加上了一个大于衬底偏压的...
闫锋马浩文胡悦吴福伟夏好广卜晓峰
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