吴洪军
- 作品数：3 被引量：11H指数：2
- 供职机构：云南大学物理科学技术学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点实验室开放基金教育部科学技术研究重点项目更多>>
- 相关领域：电子电信金属学及工艺更多>>
- 太阳电池用多晶硅及其吸杂研究现状被引量：7
- 2010年
- 综述了几类主要的太阳电池用多晶硅及其吸杂研究现状。评述了当前太阳电池领域涉及到的几类多晶硅如铸造多晶硅、冶金法多晶硅、西门子法多晶硅等的优缺点。详细描述了多晶硅的吸杂类型、吸杂过程、吸杂影响因素等。给出了本课题组关于冶金法多晶硅吸杂实验的一些初步研究结果。展望了多晶硅及其吸杂技术的发展。
- 吴洪军陈秀华马文会梅向阳蒋咏
- 关键词：多晶硅太阳电池吸杂
- 热退火对超冶金级硅中缺陷的影响(英文)被引量：3
- 2011年
- 对超冶金级硅进行不同条件下的热退火实验研究。利用金相显微镜、电子背散射衍射和X射线衍射仪分别对退火前后多晶硅不同部位的位错、晶界和择优生长取向进行表征。结果表明:退火前后多晶硅中的位错密度大小分布顺序始终是中部<底部<顶部。随着退火温度的升高,位错密度逐渐减小;小角度晶界不断减少,直至消失;CSL晶界比例先增加后减小。在1200℃下退火3h后,多晶硅中的孪晶晶界∑3达到28%;多晶硅上、中、下部的晶粒分别获得最佳择优生长取向,这将对后续硅材料的加工及多晶硅太阳能电池转化效率的提高起到促进作用。
- 吴洪军马文会陈秀华蒋咏梅向阳张聪吴兴惠
- 关键词：退火位错密度晶界
- 退火对冶金法太阳能级多晶硅中缺陷影响的研究被引量：2
- 2012年
- 研究了不同条件下退火对冶金法太阳能级多晶硅锭不同部位的位错、晶界及择优生长取向的影响。利用金相显微镜,电子背散射衍射和X射线衍射仪分别对退火前后多晶硅锭的位错、晶界和择优生长取向的变化规律进行表征,结果表明:退火前后多晶硅中的位错密度大小始终是中部<底部<顶部。1100℃下随着保温时间的延长,多晶硅中的位错密度逐渐减小,到5.0h后达到回复的极限程度;小角度晶界比例不断减小,直至消失;大角度晶界中R型晶界比例先增加后减小,CSL晶界比例缓慢增加,孪晶晶界Σ3比例呈稳定地增加,到退火5.0h后,其比例约占30%;主峰〈111〉织构峰强一直增加,〈311〉织构峰强则是逐渐减小至零,而〈511〉、〈531〉、〈620〉织构强度则是先减小、后增大、最后再减小,退火保温5.0h后择优生长取向达到高度一致。另外,还得到了不同温度下的极限回复程度。
- 吴洪军陈秀华马文会蒋咏梅向阳张聪吴兴惠
- 关键词：多晶硅退火位错密度晶界
