蒋东铭
- 作品数：10 被引量：13H指数：2
- 供职机构：南京电子器件研究所更多>>
- 发文基金：江苏省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程更多>>
- 0.18μm CMOS工艺双模分频器和5.8GHz低噪声放大器设计
- 当前无线通信的快速增长为射频集成电路带来了巨大的市场需求。随着CMOS 工艺特征尺寸的不断减小，MOS场效应管的截止频率已经超过100 GHz，这使得CMOS 工艺成为射频集成电路设计的一个重要选择。为了提高市场竞争力，...
- 蒋东铭
- 关键词：CMOS工艺双模分频器低噪声放大器电路设计
- 文献传递
- 5.8GHz WLAN CMOS双平衡混频器的设计
- 2007年
- 介绍了基于0.18μmCMOS工艺的802.11a无线局域网(WLAN)有源双平衡混频器的设计方法。该混频器射频(RF),本振(LO)和中频(IF)信号频率分别为5.8 GHz,4.6 GHz和1.2GHz。仿真结果显示:在1.8V电压下,变频增益为4.27dB,单边带噪声系数为10.73dB,l dB压缩点为-13.18dB,三阶输入截点为-3.04dB,功耗为32.4mW,芯片面积为1.8mm×1mm。
- 赵亮黄风义蒋东铭朱玉峰沈懿
- 关键词：双平衡混频器CMOS
- 基于CMOS SOI工艺的射频开关设计被引量：7
- 2014年
- 采用0.18μm CMOS SOI工艺技术研制加工的单刀双掷射频开关,集成了开关电路、驱动器和静电保护电路。在DC^6GHz频带内,测得插入损耗0.7dB@2GHz、1dB@4GHz、1.5dB@6GHz,隔离度37dB@2GHz、31dB@4GHz、27dB@6GHz,在5GHz以内端口输入输出驻波比≤1.5:1,输入功率1dB压缩点达到33dBm,IP3达到42dBm。可应用于移动通信系统。
- 蒋东铭陈新宇许正荣张有涛
- 关键词：互补金属氧化物半导体射频开关
- 一种双通道射频接收前端被引量：2
- 2017年
- 本文研究采用SOI(绝缘体上硅)工艺设计开关芯片,砷化镓(Ga As)工艺单片LNA,MCM(多芯片组装工艺)技术设计的双通道接收前端,在1~4GHz频带内插入损耗小于0.4d B,可通过CW功率5W,NF小于1.2d B,增益大于30d B,P-1d B大于10d Bm,尺寸为5mm×5mm的QFN封装。双通道射频接收前端可广泛应用于TDD通信系统。
- 黄贞松蒋东铭匡珩
- 关键词：砷化镓
- 基于GaAs PIN工艺的非反射型毫米波单刀单掷开关单片
- 采用3英寸圆片GaAs PIN工艺设计和制作了非反射型毫米波单刀单掷开关单片。GaAs PIN二极管SPST开关具有低插损、高隔离度、高功率的优点,工作频段25～40GHz,输入端在关断态下采用非反射设计。在片测试表明,...
- 蒋东铭陈新宇蒋幼泉黄子乾冯欧
- 关键词：毫米波GAASPIN二极管单刀单掷开关单片
- 文献传递
- 一款用于5 G功率放大器的分段线性温度补偿偏置电路被引量：1
- 2019年
- 实现了一款用于功率放大器的具有温度补偿特性的偏置电路,首先通过正温度系数(PTAT)电流与负温度系数(NTAT)电流对功率放大器所需的偏置电流进行线性温度补偿,然后在线性补偿的基础上引入分段设计,实现分段线性温度补偿,保证全温范围内功率放大器增益线性化。同时通过分段电流舵型DAC灵活调整偏置电流的大小,将功率放大器偏置在合适工作点的同时降低开关噪声。该偏置电路采用Jazz 0.18μm SOI工艺实现。测试结果表明:在-30~30℃温度区间内,电流补偿斜率为14.9%;在30~90℃温度区间内,电流补偿斜率为29.6%,电流斜率的精度均在1.5%以内;室温下偏置电流的线性调整率为1.4%,输出偏置电流在20.2~1 022.0μA范围内可调。采用该偏置电路的一款功率放大器输出功率典型值为28dBm,误差矢量幅度(EVM)在-30~90℃温度区间内小于3%。
- 李亚军李晓鹏李晓鹏蒋东铭张有涛杨磊
- 关键词：偏置电路功率放大器温度补偿电流舵
- 0.18μm CMOS工艺高速双模分频器设计
- 基于0.18μm CMOS工艺设计了10/11双模分频器的电路,用源耦合场效应管逻辑实现静态D触发器单元设计,利用H-spice对设计电路进行仿真.电路完成了芯片版图,后仿真结果表明输入时钟在3.33GHz时,10分频和...
- 蒋东铭黄风义严菲陆静学
- 关键词：分频器CMOSD触发器
- 文献传递
- GaAs PIN二极管大功率毫米波单刀双掷开关单片被引量：3
- 2013年
- 采用76.2mm(3英寸)GaAs PIN二极管工艺设计和制作了大功率毫米波单刀双掷开关单片。采用并联结构的单刀双掷开关以获得较高的功率特性。在片测试表明,在30～36GHz工作频段,开关导通支路插损1.0dB,驻波优于1.5,开关关断端口隔离度大于34dB。开关在导通态下输入功率0.5dB压缩点P-0.5 dB大于5W。
- 蒋东铭陈新宇杨立杰黄子乾
- 关键词：毫米波砷化镓PIN二极管单刀双掷开关微波单片集成电路
- 0.18um CMOS工艺双模分频器和5.8GHz低噪声放大器研究
- 蒋东铭
- 关键词：双模分频器低噪声放大器
- 用于802.11a系统的5.8GHz 0.18μm CMOS全集成低噪声放大器设计
- 2007年
- 通过对输入匹配、噪声和线性度的分析,给出了改进低噪声放大器综合性能的方法.利用软件对电路进行噪声优化,设计出了一个0.18μm CMOS工艺的5.8GHz全集成低噪声放大器.采用工艺厂家提供的电感测试数据进行参数提取,得到精准的电感模型并用于电路仿真.设计结果是整个电路功耗13mW,功率增益为14dBm,噪声系数为2.05dB,线性度指标IIP3为-1dBm.
- 蒋东铭黄风义陆静学赵亮
- 关键词：低噪声放大器CMOS工艺电感模型
