胡明雨
- 作品数：12 被引量：9H指数：2
- 供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所更多>>
- 相关领域：自动化与计算机技术电子电信更多>>
- 谐振型压力传感器芯片的局部真空封装方法
- 本发明涉及一种谐振型压力传感器芯片的局部真空封装方法。该方法在所要局部真空封装区域围成一个厚度为10－20μm、环宽为100－200μm的钛钨/金环，同时进行深槽腐蚀及释放可动部件，利用金属在共晶烧结中的回流来调整表面的...
- 张正元刘玉奎罗驰胡明雨冯志成郑纯刘建华
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- 正温度系数随温度线性变化的P型电阻的制造方法
- 本发明公开了一种正温度系数随温度线性变化的P型电阻的制造方法。本发明方法的主要工艺步骤为：1)在低掺杂的N<Sup>－</Sup>型硅片上制作Ar埋层；2)在形成Ar埋层后的所述硅片上制作P<Sup>－</Sup>电阻层...
- 税国华欧宏旗胡明雨
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- 低压大变容比二极管的制造方法
- 本发明涉及一种低压大变容比二极管的制造方法。本发明采用双离子注入技术形成PN结二极管，通过调节PN结P型区域和N型区域的注入剂量和退火时间，形成陡峭的PN结，确保在低的反向电压下保证二极管的变容比，使其满足低压便携式接收...
- 胡明雨欧红旗税国华
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- 一种PN结隔离互补双极工艺被引量：3
- 2007年
- 介绍了几种互补双极工艺的结构和特点,详细阐述了一种基于N型外延的PN结隔离互补双极工艺;着重探讨了隔离制作技术和PNP管设计要点,并对实际流片结果进行了讨论。
- 欧宏旗刘伦才胡明雨税国华
- 关键词：互补双极工艺PNP晶体管高速放大器
- 全介质隔离互补双极工艺技术研究
- 本文综合运用硅硅键合、深槽刻蚀、多晶硅回填、化学机械抛光和离子注入技术,进行了介质隔离互补双极工艺技术研究,实现了纵向PNP、NPN以及横向PNP双极晶体管的SOI单片集成,其中纵向PNP、纵向NPN和横向PNP的耐压分...
- 张正元胡明雨税国华刘玉奎
- 关键词：集成电路SOI互补双极工艺
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- 低压大变容比二极管的制造方法
- 本发明涉及一种低压大变容比二极管的制造方法。本发明采用双离子注入技术形成PN结二极管，通过调节PN结P型区域和N型区域的注入剂量和退火时间，形成陡峭的PN结，确保在低的反向电压下保证二极管的变容比，使其满足低压便携式接收...
- 胡明雨欧红旗税国华
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- 热激励硅基谐振型压力传感器技术研究被引量：2
- 2006年
- 提出一种以电阻发热实现梁激励的单梁硅基谐振型压力传感器结构。利用硅/硅键合、减薄抛光和IC工艺技术,开展硅基谐振型压力传感器技术的研究,解决了三维体加工与IC工艺兼容的关键技术问题,成功地研制出热激励硅基谐振型压力传感器样品。该器件在常压下测试,其品质因子Q值达到1362.5,证实了该谐振型压力传感器结构是可行的。这为研制硅基谐振型压力传感器提供了一种新的方法。
- 张正元徐世六税国华胡明雨刘玉奎
- 关键词：MEMS
- 基于带图形的硅衬底上制备硅薄膜的技术被引量：4
- 2006年
- 对硅基MEMS的可动部件很多都是采用在带图形的硅衬底上制备的硅薄膜通过深槽腐蚀释放获得的特点,开展在带图形的硅衬底上制备硅薄膜技术研究,得到一种通过两次硅硅键合、减薄抛光、一次湿法腐蚀硅相结合的在带图形的硅衬底上制备硅薄膜的有效方法,该方法制备出了的薄膜厚度为10μm,均匀性为±0.5μm,达到了厚膜SOI材料制备的指标要求,硅薄膜完好率达到70%以上,为硅基MEMS的可动部件的制备打下了坚实的基础.
- 张正元徐世六冯建胡明雨
- 关键词：硅薄膜MEMS
- 基于带图形的硅衬底上制备硅薄膜的技术
- 本文对硅基MEMS的可动部件很多都是采用在带图形的硅衬底上制备的硅薄膜通过深槽腐蚀释放获得的特点,开展在带图形的硅衬底上制备硅薄膜技术研究,得到一种通过两次硅硅键合、减薄抛光、一次湿法腐蚀硅相结合的在带图形的硅衬底上制备...
- 张正元徐世六冯建胡明雨
- 关键词：硅薄膜MEMS
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- 低导通电阻功率VDMOS晶体管的制造方法
- 本发明涉及一种低导通电阻功率VDMOS晶体管的制造方法。该方法是从降低两个VDMOS元胞之间正对漏端通道的导通电阻入手，在满足VDMOS管耐压的情况下，在N<Sup>+</Sup>硅片上的第一层N<Sup>－</Sup>...
- 张正元冯志成刘玉奎胡明雨郑纯
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