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禹争光

作品数:28 被引量:79H指数:5
供职机构:中国科学院电工研究所更多>>
发文基金:国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:一般工业技术理学电子电信化学工程更多>>

文献类型

  • 14篇期刊文章
  • 8篇专利
  • 3篇会议论文
  • 2篇学位论文

领域

  • 7篇一般工业技术
  • 5篇电子电信
  • 5篇理学
  • 4篇化学工程
  • 3篇电气工程
  • 1篇冶金工程
  • 1篇金属学及工艺

主题

  • 13篇超导
  • 11篇导线
  • 11篇超导线
  • 9篇压敏
  • 8篇压敏电阻
  • 6篇氧化锌压敏电...
  • 6篇硼化镁
  • 6篇二硼化镁
  • 5篇临界电流
  • 5篇临界电流密度
  • 4篇氧化铋
  • 4篇陶瓷
  • 4篇纳米
  • 4篇孔型
  • 4篇孔型轧制
  • 4篇MGB
  • 4篇超导线材
  • 4篇MGB_2
  • 3篇电阻
  • 3篇压敏陶瓷

机构

  • 16篇中国科学院
  • 12篇电子科技大学
  • 3篇日本东北大学
  • 1篇北京大学
  • 1篇西北有色金属...

作者

  • 27篇禹争光
  • 14篇张现平
  • 14篇高召顺
  • 13篇马衍伟
  • 9篇王栋樑
  • 8篇杨邦朝
  • 3篇王栋梁
  • 2篇王雷
  • 2篇扬邦朝
  • 2篇王军红
  • 1篇卢亚锋
  • 1篇闫果
  • 1篇卢云
  • 1篇黄伟文
  • 1篇闻海虎
  • 1篇郭建栋

传媒

  • 3篇硅酸盐学报
  • 2篇科学通报
  • 2篇物理学报
  • 1篇低温与超导
  • 1篇功能材料
  • 1篇过程工程学报
  • 1篇现代技术陶瓷
  • 1篇压电与声光
  • 1篇电子元件与材...
  • 1篇无损检测
  • 1篇第五届全国微...
  • 1篇全国无机非金...
  • 1篇中国电子学会...

年份

  • 3篇2010
  • 3篇2008
  • 6篇2007
  • 4篇2006
  • 1篇2005
  • 4篇2004
  • 3篇2003
  • 2篇2002
  • 1篇2001
28 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
利用光电子能谱研究氧化锌压敏电阻界面电输运特性被引量:2
2004年
采用X射线光电子能谱(XPS)对比分析纯氧化锌陶瓷和氧化锌压敏电阻的界面特性.结果表明,纯氧化锌陶瓷晶粒平均尺寸小于10 μm,掺杂材料有利于ZnO晶粒均匀生长.界面上O/Zn原子数量比值等于2.58,但界面势垒不到10 mV,其体电阻率在2.36~47.97Ω·cm.价电子谱发现:室温下仅纯ZnO费米能级附近有载流子分布,这表明:压敏电阻界面有陷阱态,氧化锌压敏电阻界面电输运特性需用载流子陷阱对双肖特基势垒进行补充.
禹争光杨邦朝
关键词:半导体技术氧化锌压敏电阻光电子能谱
纳米SiC掺杂MgB2超导带材的制备及其性能研究被引量:3
2006年
采用粉末装管法制备了SiC掺杂的MgB2带材系列样品.通过X射线衍射仪、扫描电子显微镜和超导量子干涉仪等仪器对样品进行了表征.实验结果表明,SiC掺杂对于提高MgB2带材的超导性能具有十分有效的作用.掺杂量为5%时,在4.2K和10T条件下,掺杂样品的临界电流密度高达9024A/cm2,是未掺杂样品的32倍多.掺杂样品在高磁场下具有良好的临界电流性能主要归因于C对B的替代所产生的晶格畸变、位错等缺陷和局部成分变化而导致的有效晶内钉扎作用,同时由于掺杂而提高的晶粒连接性也对临界电流密度的提高起到一定作用.
张现平马衍伟高召顺王栋梁禹争光Watanabe Kazuo郭建栋
关键词:SIC掺杂
一种MgB<Sub>2</Sub>超导材料的制备方法
一种MgB<Sub>2</Sub>超导材料的制备方法,按照摩尔比Mg∶B=1∶2称量Mg粉和B粉,同时称量一种质量为Mg粉和B粉总质量5%-30%的有机酸或有机酸盐,溶于5-50mL丙酮或乙醇中,将所得溶液与Mg粉和B粉...
王栋樑马衍伟高召顺张现平禹争光王雷王军红
文献传递
纳米氧化铋粉体的制备及对ZnO压敏电阻性能的影响被引量:25
2003年
采用直流电弧等离子法可以制备出包含有a和β相,尺寸约为70 nm的纳米氧化铋粉体,收率可达30%。利用制备的纳米氧化铋粉体替代微米级材料制备氧化锌压敏陶瓷后,研究了其对器件电学性能和陶瓷微观结构的影响。实验发现:纳米氧化铋使用量为1.6%摩尔分数时其压敏电压梯度和通流值分别为185 V/mm和4 700 A/cm2,而达到相同值所需微米氧化铋用量则分别为1.9%和1.85%。可见,如采用纳米氧化铋替代微米氧化铋可以减少用量10%~20%,而达到相同的电性能。
禹争光杨邦朝敬履伟
关键词:氧化锌压敏陶瓷纳米氧化铋
氧化锌压敏电阻电输运特性及大通流器件设计研究
本文研究了ZnO压敏电阻界面态、界面电输运机理和大通流下压敏电阻的蜕化现象。对纳米材料、微波等离子烧结和烧结过程氧的影响关系等方面,取得了以下理论和实际应用方面的研究结果。   首先,阐述了三种材料制备或掺杂工艺:(1...
禹争光
关键词:氧化锌压敏电阻通流能力
一种高性能Fe/Cu包套结构二硼化镁多芯超导线的制备方法
一种高性能Fe/Cu包套结构二硼化镁多芯超导线的制备方法。具体步骤如下:将原料配方分别是1)摩尔比为1∶2的Mg粉和B粉,和2)摩尔比为1∶2∶0.5的Mg粉,B粉和掺杂材料的二种原料粉装入铁/铜复合管内,压紧,密封端口...
禹争光马衍伟王栋樑张现平高召顺
文献传递
原位粉末套管法制备实用化19芯Fe/Cu包套MgB_2超导线
2007年
采用原位粉末套管法,以工业级无定形B粉(92%)和镁粉(99%)为原料,分别以初始配比为MgB2和Mg1.05B2原料制备了外径φ1.9mmFe/Cu复合包套结构的19芯MgB2超导线,700℃热处理1h后,通过扫描电子显微镜、X射线衍射、超导量子干涉仪和标准四引线法对样品进行测试和表征.实验结果表明,MgB2相中仅含有少量MgO和Fe2B杂相,Tc(onset)=34.5K,△Tc=4.8K,而Mg过量5%后,Tc(onset)下降0.5K和?Tc增宽0.4K,在4.2K和4T条件下,临界电流密度值为1.07×104A·cm-2,提高1.4倍,同时在高磁场下具有更好临界电流性能,这归因于过量Mg有利于减小超导芯中微小空隙和裂纹从而提高超导连接性,同时细小晶粒比例提高,增大晶界面积导致钉扎能力提高.
禹争光马衍伟王栋樑张现平高召顺
铁/铜复合包套二硼化镁超导长线的制备方法
一种铁/铜复合包套二硼化镁超导长线的制备方法。具体步骤如下:首先加工一定规格的铁管和铜管,清洗干净后,将铁管套入铜管内,将Mg粉、B粉和掺杂材料加入球磨罐,然后加丙酮试剂浸没物料和磨球后进行球磨,球磨后样品采用常温真空干...
禹争光马衍伟王栋梁张现平高召顺
文献传递
一种铁基二硼化镁超导线带材的热处理方法
一种铁基二硼化镁超导线带材的热处理方法。其特征是通过流经样品的电流产生焦耳热量来热处理其中芯体超导材料。按化学计量比例混合均匀镁粉和硼粉,球磨后填入铁管中,经过旋锻、拉拔、轧制等系列冷加工手段得到中心填有镁粉和硼粉的铁基...
禹争光马衍伟张现平高召顺
文献传递
高性能MgB_2长线材制备及性能表征被引量:3
2007年
采用原位粉末装管工艺,分别以Mg粉(99.5%),无定形B粉(99.9%)为原料,以纳米SiC(10—30nm)作为掺杂材料制备铁基MgB2线.首先将已混合的原料在丙酮介质中球磨,真空干燥后,将粉末填入铁管内,然后通过孔型轧制、旋锻和拉拔等冷加工工艺得到11m长外径Ф1.75mm铁基MgB2超导线.用扫描电镜,电子能谱,X射线衍射仪和超导量子干涉仪测试发现,样品微观结构整齐,晶粒大小均匀,内部仅含微量MgO,TC(onset)=35.1K,ΔTC=5.3K.纳米SiC掺杂后,其中C造成MgB2晶格畸变,形成有效磁通钉扎中心,C元素在MgB2中分布均匀.标准四引线测试结果表明,11m线均分10段后,各点的Jc(4.2K,10T)均超过1.0×104A/cm2,最高值达到1.2×104A/cm2.在10—18T范围各点临界电流值分布均匀,变化率小于10%.
禹争光马衍伟王栋樑张现平高召顺K.Watanabe黄伟文
关键词:强磁场
共3页<123>
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