王书方
- 作品数：7 被引量：7H指数：2
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- 相关领域：理学电子电信更多>>
- 一种氧化锌基透明电极发光二极管及其制作方法
- 本发明涉及一种氧化锌基透明电发光二极管及其制作方法。本发光二极管包括：蓝宝石衬底、缓冲层、本征层、n型氮化镓、量子阱、p型氮化镓、氧化锌基透明电流扩展层、n型金属电极(PAD)、p型金属电极(PAD)，其中缓冲层、本征层...
- 王书方张建华
- 文献传递
- 表面化学处理和退火对p-GaN/ZnO:Ga接触特性的影响被引量：5
- 2010年
- ZnO∶Ga(GZO)透明电极沉积在p-GaN表面,用作透明电流扩展层。直接沉积在p-GaN上的p-GaN/GZO存在较大的势垒,容易形成肖特基接触,而良好的欧姆接触对功率LED器件至关重要。为了降低接触势垒,采用盐酸和氢氧化钠溶液对GaN表面进行去氧化层处理,并对p-GaN/GZO进行退火处理,研究表面处理和退火对p-GaN/GZO接触特性的影响。研究表明:碱性溶液处理有利于降低接触势垒;退火处理后,接触势垒略有增加。
- 王书方李喜峰张建华
- 关键词：P-GAN接触特性
- 透明电极发光二极管及其制作方法
- 本发明涉及一种透明电发光二极管及其制作方法。本发光二极管包括：蓝宝石衬底、缓冲层、本征层、n型氮化镓、量子阱、p型氮化镓、氧化锌基透明电流扩展层、n型金属电极(PAD)、p型金属电极(PAD)，其中缓冲层、本征层、n型氮...
- 王书方张建华
- 文献传递
- 氧化锌基透明电极发光二极管及其制作方法
- 本发明涉及一种氧化锌基透明电极发光二极管及其制作工艺。本发光二极管包括：在蓝宝石衬底上依次有缓冲层、本征层、n型氮化镓、量子阱、p型氮化镓和氧化锌基透明电流扩展层、并有n型金属电极(PAD)连接n型氮化镓，p型金属电极(...
- 张建华王书方
- 文献传递
- ZnO∶Ga透明电极LED的制备及性能分析被引量：2
- 2010年
- 基于本实验室的实验条件,采用射频磁控溅射、等离子干法刻蚀等技术成功制备出具有ZnO∶Ga(GZO)透明电极的LED芯片。实验研究了相同工艺条件制备的ITO透明电极LED芯片和GZO透明电极LED芯片,对比实验结果表明GZO薄膜沉积工艺简单,其器件性能与ITO电极LED相当。相同条件下制备的GZO薄膜可见光波段透过率约90%,而ITO仅为75%。实验室制备的LED器件均具有较高的阈值电压,一方面p-GaN与ZnO的禁带宽度相差4.13 eV,接触势垒大,另一方面器件制备过程中的等离子体损伤薄膜表面和器件性能。
- 王书方张建华李喜峰
- 关键词：射频磁控溅射透过率阈值电压
- 一种氧化锌基透明电极发光二极管及其制作方法
- 本发明涉及一种氧化锌基透明电发光二极管及其制作方法。本发光二极管包括：蓝宝石衬底、缓冲层、本征层、n型氮化镓、量子阱、p型氮化镓、氧化锌基透明电流扩展层、n型金属电极(PAD)、p型金属电极(PAD)，其中缓冲层、本征层...
- 王书方张建华
- ZnO:Ga 透明导电薄膜及其LED 器件研究
- 王书方
- 关键词：磁控溅射发光二极管
