您的位置： 专家智库 > >

曹琳

作品数：9 被引量：8H指数：2
供职机构：西安理工大学自动化与信息工程学院电子工程系更多>>
发文基金：陕西省教育厅自然科学基金国家自然科学基金陕西省自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇期刊文章
  • 3篇会议论文
  • 2篇学位论文

领域

  • 8篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 5篇势垒
  • 5篇肖特基
  • 5篇二极管
  • 4篇肖特基势垒
  • 3篇英文
  • 3篇碳化硅
  • 3篇肖特基势垒二...
  • 3篇结型
  • 3篇4H-SIC
  • 2篇优化设计
  • 2篇6H-SIC
  • 1篇导通
  • 1篇导通压降
  • 1篇第一性原理
  • 1篇电荷
  • 1篇电特性
  • 1篇性能指标
  • 1篇数值模拟
  • 1篇碳化硅材料
  • 1篇铁磁

机构

  • 9篇西安理工大学
  • 1篇西安工程大学
  • 1篇国网智能电网...

作者

  • 9篇曹琳
  • 5篇蒲红斌
  • 3篇李连碧
  • 3篇臧源
  • 3篇陈治明
  • 1篇周少将
  • 1篇林涛
  • 1篇任杰
  • 1篇胡永涛
  • 1篇林生晃

传媒

  • 3篇固体电子学研...
  • 1篇激光与光电子...
  • 1篇第十五届全国...
  • 1篇中国电工技术...
  • 1篇第十七届全国...

年份

  • 1篇2015
  • 2篇2013
  • 2篇2012
  • 1篇2011
  • 1篇2010
  • 1篇2009
  • 1篇2008
共 9 条 记 录，以下是 1-9
全选 清除 导出
排序方式：
Ge掺杂SiC电学和光学特性的理论研究被引量：2
2015年
基于第一性原理的密度泛函理论(DFT)赝势平面波方法,对Ge掺杂(GexSi1-xC)的6H-Si C电学、光学特性进行了理论计算和分析。杂质形成能的计算结果表明,Ge原子占据Si位后能量更低,更加稳定。通过对电子结构、态密度和光学性质的比较发现,6H-Si C的价带顶主要由C的2 p态占据,而导带底由Si的3 p态占据。随着更多的Ge掺入,导带底位置逐渐由Si的3 p态电子决定转变为Ge的4 p态电子决定,同时导带底向低能方向移动,带隙变窄。比较介电常数发现,对Ge掺入最多的Ge0.333Si0.667C,其电子跃迁机理比6H-Si C简单,吸收边及最大吸收峰分别向低能方向红移了0.9 e V及3.5 e V。
臧源曹琳李连碧林涛杨霏
关键词：6H-SIC第一性原理密度泛函理论
超结与浮结型肖特基势垒二极管的比较研究(英文)被引量：2
2011年
对浮结型及超结型肖特基势垒二极管静态及动态特性进行了解析及模拟。静态特性通过解析击穿电压与导通电阻之间的关系得到。反向恢复特性通过二极管电容随反向电压变化关系解释,商用混合模拟器MEDICI模拟结果表明浮结结构具有软恢复特性,软度因子为0.949。超结结构恢复特性较硬,软度因子为0.780 7。当考虑这两种耐压结构时,必须权衡静态及动态之间的关系。
曹琳蒲红斌陈治明
关键词：肖特基势垒二极管
Al掺杂6H-SiC铁磁性研究(英文)被引量：1
2013年
使用物理气象沉积法生长了轻Al掺杂6H-SiC样品,并使用超导量子干涉磁强计(SQUID)对无腐蚀及腐蚀后的样品进行了测试,发现了腐蚀后的样品在室温下表现出铁磁性。经过计算,样品磁信号并非来源于腐蚀剂KOH及K2CO3。同时腐蚀后的样品形貌表明杂质聚集在腐蚀后的缺陷附近从而形成了一定的铁磁性,因此缺陷被腐蚀放大是样品形成铁磁性的主要原因。
臧源李连碧林生晃曹琳
关键词：6H-SICAL掺杂铁磁性
浮结型碳化硅肖特基势垒功率二极管的优化设计
本文采用软件模拟的方法,在对浮结型碳化硅肖特基势垒功率二极管的正反向电学特性模拟的基础上,完成了器件结构的优化设计。与常规肖特基势垒功率二极管相比,该器件具有高掺杂的漂移区及其嵌入式浮结结构的特点。在保证高的反向耐压的同...
蒲红斌曹琳陈治明任杰
关键词：肖特基势垒
文献传递
4H-SiC浮结结势垒肖特基二极管终端设计
本文采用数值模拟方法对4H-SiC浮结结势垒肖特基二极管终端结构进行优化设计。表面终端采用场板、结终端扩展及场限环复合结构，克服了单一终端结构的弊端。浮结终端区采用图形及连续两种结构。正向时，两种结构导通电阻随浮结掺杂浓...
曹琳蒲红斌陈治明
关键词：碳化硅材料终端设计
文献传递
700V 4H-SiC晶闸管开通特性的模拟研究(英文)
2012年
通过商用半导体模拟器MEDICI对700 V 4H-SiC晶闸管开通特性进行了模拟研究。模拟结果表明阳极电压小于100 V时,开通过程符合扩散模型,电压更高时,开通时间随阳极电压升高而迅速下降,符合场开通机制。不同于Si及GaAs晶闸管,SiC晶闸管p型耐压层中浅能级杂质Al使得其开通时间随温度的升高而降低。较厚的基区使得电导调制效应只发生在发射区与基区边界一个范围之内,随着温度的升高,其余部分的载流子数目指数增加,压降指数减小。开通时间随着门极触发电流的加大而逐渐缩短,减小到一定程度时,减小速度明显变缓。
臧源蒲红斌曹琳李连碧
关键词：开通特性
带有电荷补偿结构的SiC功率器件研究
电荷补偿概念在Si基功率器件中的成功应用有效地提高了反向击穿电压的同时降低了正向导通电阻,很大程度上打破了击穿电压和导通电阻之间的“硅极限”,具有划时代意义。随着第三代宽禁带半导体SiC材料商品化,越来越引起人们对SiC...
曹琳
关键词：优化设计光电特性
文献传递
4H-SiC浮结型肖特基势垒二极管的数值模拟
本文采用数值模拟的方法对4H-SiC 浮结肖特基势垒二极管的静态及动态特性进行了研究。该器件可以在保证高的反向耐压的同时使正向导通电阻最小化,较好的解决了常规器件正向导通电阻和反向耐压间的矛盾。模拟结果表明,相同条件下增...
曹琳蒲红斌周少将胡永涛
关键词：肖特基势垒二极管数值模拟
文献传递
碳化硅超结肖特基势垒二极管的研究
提高功率器件在耐压，正向导通电阻和开关速度等方面的性能是长期以来功率电子学研究的一个重要方向。但是，这三个主要的性能指标是相互制约的，并不能同时的提高。肖特基势垒二极管作为一种多子器件具有很高的开关速度，但是要做到耐压很...
曹琳
关键词：参数优化性能指标
文献传递
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0