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文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 2篇电子封装
  • 2篇无压浸渗
  • 2篇浸渗
  • 2篇封装
  • 1篇制备SIC
  • 1篇无压浸渗法
  • 1篇模压
  • 1篇模压成型
  • 1篇浸渗法
  • 1篇Β-SIC
  • 1篇SICP/A...
  • 1篇A1
  • 1篇AL
  • 1篇P

机构

  • 2篇西安科技大学

作者

  • 2篇任怀艳
  • 1篇王晓刚
  • 1篇黄俊
  • 1篇朱明
  • 1篇王明静

传媒

  • 1篇宇航材料工艺

年份

  • 1篇2012
  • 1篇2011
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
电子封装用β-SiC/_p//Al的无压浸渗工艺优化与定型
随着集成电路的高速发展,高的密封密度对与其匹配的电子封装材料提出了更高的要求。由于铝具有密度低,热导率高,价格低廉且易于加工的特点,选为制备电子封装用复合材料的基体,与SiC颗粒复合,克服了各自的缺点且表现出高导热、低膨...
任怀艳
关键词:电子封装无压浸渗模压成型
文献传递
无压浸渗法制备SiC_p/Al电子封装基板及其性能被引量:2
2011年
采用无压浸渗法制备出电子封装用高体积分数SiCp/A l复合材料基板,研究了主要合金元素对浸渗过程的影响和SiC体积分数对复合材料热物理性能的影响。结果表明:合金中Mg元素能促进界面润湿,Si元素能减小有害界面反应的发生;随着SiC体积分数的增加,复合材料的热导率和线胀系数都呈下降趋势,当SiC体积分数为65%左右,热导率下降幅度减缓;当SiC体积分数为68%左右时,线胀系数显著降低。
黄俊王晓刚朱明王明静任怀艳
关键词:SICP/AL电子封装无压浸渗
共1页<1>
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