黄海超
- 作品数：4 被引量：1H指数：1
- 供职机构：上海交通大学更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 一种用于时钟树的反相器电路
- 本发明公开了一种用于时钟树的反相器电路，该反相器电路包括一对串联的PMOS管与NMOS管，该PMOS管与该NMOS管的栅极相连，漏极相连，该反相器电路的输入接在该PMOS管与该NMOS管的栅极，输出接在该PMOS管与该N...
- 金威刘毅超黄海超张桂迪何卫锋杨立吾毛志刚
- 文献传递
- 一种解决半选择问题的亚阈值9T SRAM存储单元被引量：1
- 2015年
- 超低电压SRAM(静态随机存储器)是SRAM设计的一个重要研究方向。传统SRAM一方面由于静态噪声容限的下降,难以在低电压下正常工作,另一方面存在着严重的半选择问题。文章提出了一种9T(9管)结构的SRAM存储单元结构,该结构可以适应亚阈值电压的工作条件,同时可以避免读操作过程中的半选择问题。仿真实验显示,与传统8T SRAM结构相比,文章的9T存储单元可以节省至少68%的来自阵列的功耗。
- 黄海超
- 关键词：SRAM亚阈值低功耗
- 一种用于时钟树的反相器电路
- 本发明公开了一种用于时钟树的反相器电路，该反相器电路包括一对串联的PMOS管与NMOS管，该PMOS管与该NMOS管的栅极相连，漏极相连，该反相器电路的输入接在该PMOS管与该NMOS管的栅极，输出接在该PMOS管与该N...
- 金威刘毅超黄海超张桂迪何卫锋杨立吾毛志刚
- 文献传递
- 一种改进型Data-aware结构的亚阈值SRAM电路
- 2015年
- 针对传统Data-aware结构SRAM读操作过程中出现的行半选择带来的功耗浪费问题,提出了一种改进型data-aware 9T结构的SRAM电路.与传统SRAM相比,该结构通过Cross-Point读的访问方式解决了读过程中被选中行中,由于半选择单元存在读通路引起的位线功耗浪费问题.实验数据表明,提出的SRAM电路,至多可以降低514%位线上消耗的功耗.测试电路采用0.13μm工艺,设计了一个16kb SRAM电路,工作电压为420mV,平均功耗为5.37μW.
- 黄海超陈昕金威何卫锋
- 关键词：亚阈值低功耗
