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蒋佩兰

作品数：3 被引量：0H指数：0
供职机构：温州大学物理与电子信息学院更多>>
发文基金：浙江省大学生科技创新活动计划(新苗人才计划)项目国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 3篇二极管
  • 2篇电压
  • 2篇脉冲
  • 2篇脉冲发生器
  • 2篇晶体管
  • 2篇开关晶体管
  • 2篇恢复电压
  • 2篇发生器
  • 1篇反向恢复
  • 1篇N+
  • 1篇N^+
  • 1篇SIC材料
  • 1篇P

机构

  • 3篇温州大学

作者

  • 3篇韦文生
  • 3篇蒋佩兰
  • 2篇夏鹏
  • 2篇罗飞
  • 1篇赵少云
  • 1篇刘路路

传媒

  • 1篇温州大学学报...

年份

  • 1篇2016
  • 1篇2015
  • 1篇2014
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
二极管正向恢复参数综合测试分析平台
本发明公开了一种二极管正向恢复参数综合测试平台，其特征在于包括有单元：脉冲发生器、脉冲电流幅度调节电路、脉冲边沿加速电路、脉冲上升时间处理电路、脉冲上升时间信号的脉宽——电压转换电路、被测二极管、正向恢复电压测试及峰值检...
韦文生夏鹏蒋佩兰罗飞
文献传递
不同SiC材料p^+(p^-/n^-)n^+型二极管反向恢复过程的仿真
2016年
讨论了Si C材料p^+/p^-(n^-)/n^+型二极管的集总电荷模型,利用Matlab编程数值仿真了p^-(n^-)型基区器件的反向恢复过程.分析了器件的反向恢复时间、反向恢复最大电流与基区的少子寿命、载流子浓度、载流子迁移率、宽度、温度等参数的关系.结果表明,用4H-Si C设计的p^-型基区二极管的反向恢复性能最优.若基区的少子寿命越短、载流子浓度越高、温度越低,则器件的反向恢复时间越短,反向恢复最大电流越小.本文可作为Si C功率二极管优化设计及其反向恢复特性仿真的教学案例.
蒋佩兰韦文生赵少云刘路路
关键词：反向恢复
二极管正向恢复参数综合测试分析平台
本发明公开了一种二极管正向恢复参数综合测试平台，其特征在于包括有单元：脉冲发生器、脉冲电流幅度调节电路、脉冲边沿加速电路、脉冲上升时间处理电路、脉冲上升时间信号的脉宽——电压转换电路、被测二极管、正向恢复电压测试及峰值检...
韦文生夏鹏蒋佩兰罗飞
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