王伟
- 作品数：2 被引量：10H指数：1
- 供职机构：重庆大学数理学院物理系更多>>
- 相关领域：一般工业技术电子电信理学更多>>
- ZnO纳米材料及掺杂ZnO材料的最新研究进展被引量：10
- 2007年
- 作为一种新型的Ⅱ-Ⅵ族半导体材料,ZnO具有优良的光学和电学性能。目前国际上除纳米线外,ZnO纳米带、纳米棒、纳米阵列、纳米弹簧、纳米环已合成出来,并有广泛的应用前景。在ZnO中掺入Mg、Co等元素可以实现带隙调节,有望开发出紫外、绿光、特别是蓝光等多种发光器件。稀磁半导体材料更是当今研究的热点。结合国内外的研究现状,分别介绍了有关ZnO纳米新材料、掺杂非磁性元素和磁性元素的ZnO材料的最新研究进展。
- 赵铧李韦刘高斌熊稳王伟郭富胜
- 关键词：氧化锌纳米材料
- 空间周期磁场中单电子量子点的能谱和磁化强度
- 2008年
- 研究了在空间周期磁场下,单电子量子点中电子的能谱和基态磁化强度,并对它们随周期磁场的各个参数(B、β、φ)的变化作了分析.在计算中使用GaAs量子点模型,同时把二维各向同性谐振子的本征态作为基矢.计算发现,β对量子点的影响最大,β较小时,能谱和基态磁化强度与均匀磁场中的结果相似,反之则差别很大.在随β变化的能谱图中,大B较之小B表现出更丰富的谱线信息.当β足够大时,周期磁场对量子点的影响几乎为零.在计算中β越大,则所需的基的最少个数越多,否则计算结果不准确.
- 王伟赵铧
- 关键词：量子点能谱磁化强度
