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李丽霞

作品数:3 被引量:4H指数:1
供职机构:西华大学材料科学与工程学院更多>>
发文基金:四川省教育厅资助科研项目四川省教育厅重点项目更多>>
相关领域:理学核科学技术更多>>

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇理学
  • 1篇核科学技术

主题

  • 3篇坩埚
  • 2篇单晶
  • 2篇单晶生长
  • 1篇碘化
  • 1篇碘化铅
  • 1篇熔体
  • 1篇气泡

机构

  • 3篇西华大学
  • 1篇成都信息工程...
  • 1篇四川大学

作者

  • 3篇李丽霞
  • 2篇贺毅
  • 2篇金应荣
  • 1篇赵欣
  • 1篇朱兴华

传媒

  • 2篇西华大学学报...

年份

  • 2篇2008
  • 1篇2007
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
U型坩埚上升法生长碘化铅单晶体
碘化铅晶体禁带宽度大,平均原子序数高,密度大,是一种新型的室温核辐射探测器材料。Pbl2晶体探测器可用于1keV~1MeV能量范围的Y和旺射线探测,并具有较高的能量分辨率,国外关于PbI:的研究报道较多,主要集中在晶体生...
李丽霞
关键词:单晶生长
文献传递
U型坩埚上升法生长碘化铅单晶体被引量:4
2007年
碘化铅(PbI2)晶体是一种性能优异的室温核辐射探测器材料。由于铅、碘化铅和碘三种物质的蒸汽压差很大,很难生长出优质的碘化铅单晶体。本文根据碘化铅熔体容易分解及Pb-I系统中熔体分层的特性,设计制作了新型的生长坩埚,并采用U型坩埚上升法生长出了橘黄色、半透明状的碘化铅晶体,初步测得其电阻率为1.7×1012Ω.cm,红外透过率为45%。
金应荣李丽霞贺毅朱兴华
关键词:单晶生长
U型坩埚内碘化铅熔体中的气泡分析
2008年
U型坩埚上升法是生长碘化铅单晶体的一种新方法,它不能自动排除熔体中可能产生的气泡。本文结合已有的实验数据,分析了熔体温度、熔体富碘量对气泡形核临界半径的影响。结果表明:随着熔体温度升高或熔体富碘量增加,气泡长大的临界半径减小。熔体温度低于773K时,气泡长大的临界半径在0.11μm以上,且晶锭中没有气泡。这为优化晶体生长工艺奠定了理论基础。
李丽霞金应荣贺毅赵欣
关键词:气泡
共1页<1>
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