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斯瑞珺
作品数:
9
被引量:1
H指数:1
供职机构:
浙江大学
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发文基金:
浙江省科技厅新苗人才计划
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相关领域:
电子电信
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合作作者
韩雁
浙江大学信息与电子工程学系微电...
董树荣
浙江大学信息与电子工程学系微电...
陈茗
浙江大学
黄大海
浙江大学
霍明旭
浙江大学
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二次击穿
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浙江大学
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中佛罗里达大...
作者
9篇
董树荣
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韩雁
9篇
斯瑞珺
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崔强
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杜宇禅
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杜晓阳
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洪慧
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张吉皓
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曾才赋
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霍明旭
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黄大海
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陈茗
1篇
崔强
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刘俊杰
传媒
1篇
传感技术学报
年份
2篇
2009
4篇
2008
3篇
2007
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9
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一种静电放电防护电路
本发明涉及一种利用多晶硅版图层次构造静电电流泄放通道的静电放电防护电路。目前多采用可控硅SCR达成保护芯片抵御静电袭击的目的,但是结构比较复杂,加工难度较大,同时该可控硅SCR触发点电压值不能够灵活地调整。本发明的静电放...
杜晓阳
韩雁
崔强
董树荣
霍明旭
黄大海
杜宇禅
曾才赋
洪慧
陈茗
斯瑞珺
张吉皓
文献传递
一种增大静电电流有效流通面积的ESD防护器件
本实用新型涉及一种静电放电防护器件。现有的可控硅SCR防静电的效果不理想。本实用新型的阱区上方设置有多晶硅层和SiO<Sub>2</Sub>氧化层。多晶硅层和SiO<Sub>2</Sub>氧化层的长度大于或等于N阱的P+...
曾才赋
韩雁
崔强
董树荣
霍明旭
黄大海
杜宇禅
杜晓阳
洪慧
陈茗
斯瑞珺
张吉皓
文献传递
MOS器件二次击穿行为的电路级宏模块建模
被引量:1
2008年
采用一种利用TCAD仿真提取MOS器件在静电放电现象瞬间大电流情况下的电学参数,对MOS器件二次击穿行为进行电路级宏模块建模。MOS器件是一种重要的静电放电防护器件,被广泛地应用为集成电路输入输出口的静电保护器件。用TCAD仿真工具对MOS器件的二次击穿进行宏模块建模,该模型能够正确反映MOS器件二次击穿的深刻机理,具有良好的精确性和收敛性,这对在电路级以及系统级层面上仿真静电放电防护网络的抗静电冲击能力有重要意义。
崔强
韩雁
董树荣
刘俊杰
斯瑞珺
关键词:
MOS
二次击穿
一种利用多晶硅构建ESD泄放通道的防护电路
本发明涉及一种静电放电防护电路。现有的可控硅SCR防静电的效果不理想,触发点电压值不能够灵活调整。本发明在现有的可控硅SCR上设置有多晶硅层,多晶硅层与阱区之间设置SiO<Sub>2</Sub>氧化层,多晶硅层两边为P+...
韩雁
崔强
董树荣
霍明旭
黄大海
杜宇禅
曾才赋
洪慧
陈茗
杜晓阳
斯瑞珺
张吉皓
文献传递
一种利用多晶硅构建ESD泄放通道的防护电路
本发明涉及一种静电放电防护电路。现有的可控硅SCR防静电的效果不理想,触发点电压值不能够灵活调整。本发明在现有的可控硅SCR上设置有多晶硅层,多晶硅层与阱区之间设置SiO<Sub>2</Sub>氧化层,多晶硅层两边为P+...
韩雁
崔强
董树荣
霍明旭
黄大海
杜宇禅
曾才赋
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杜晓阳
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张吉皓
文献传递
一种增大静电电流有效流通面积的ESD防护电路
本发明涉及一种静电放电防护电路。现有的可控硅SCR防静电的效果不理想。本发明的阱区上方设置有多晶硅层和SiO<Sub>2</Sub>氧化层。多晶硅层和SiO<Sub>2</Sub>氧化层的长度大于或等于N阱的P+注入区靠...
崔强
韩雁
董树荣
霍明旭
黄大海
杜宇禅
曾才赋
洪慧
陈茗
杜晓阳
斯瑞珺
张吉皓
文献传递
一种静电放电防护器件
本实用新型涉及一种利用多晶硅版图层次构造静电电流泄放通道的静电放电防护器件。目前多采用可控硅SCR达成保护芯片抵御静电袭击的目的,但是结构比较复杂,加工难度较大,同时触发点电压值不能够灵活地调整。本实用新型的静电放电防护...
韩雁
崔强
董树荣
霍明旭
杜宇禅
黄大海
曾才赋
洪慧
陈茗
杜晓阳
斯瑞珺
张吉皓
文献传递
一种利用多晶硅构建ESD泄放通道的防护器件
本实用新型涉及一种静电放电防护器件。现有的可控硅SCR防静电的效果不理想,触发点电压值不能够灵活调整。本实用新型在现有的可控硅SCR上设置有SiO<Sub>2</Sub>氧化层和多晶硅层,多晶硅层两边为P+多晶硅注入区和...
崔强
韩雁
董树荣
霍明旭
杜宇禅
黄大海
曾才赋
洪慧
陈茗
杜晓阳
斯瑞珺
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一种增大静电电流有效流通面积的ESD防护电路
本发明涉及一种静电放电防护电路。现有的可控硅SCR防静电的效果不理想。本发明的阱区上方设置有多晶硅层和SiO<Sub>2</Sub>氧化层。多晶硅层和SiO<Sub>2</Sub>氧化层的长度大于或等于N阱的P+注入区靠...
崔强
韩雁
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