刘洪
- 作品数：6 被引量：6H指数：2
- 供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 杂质分凝对FZ-Si单晶电阻率均匀性影响的研究被引量：4
- 2009年
- 对区熔Si单晶样品的轴向、径向以及生长界面的电阻率进行了测试,分析了影响电阻率均匀性的主要因素。结果表明,通常认为的影响电阻率均匀性的因素,并不是决定性因素。本文从FZ单晶在生长过程中,杂质在轴向和侧向分凝的角度进行分析,认为由于晶体原子的侧向生长,产生的杂质侧向分凝,是电阻率分布不均匀的主要原因。大量生产实验表明,生长过程中改变常规生长参数对提高均匀性的作用并不明显,要想从本质上提高电阻率径向均匀性,只能尝试非常规的技术。
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- 关键词：电阻率均匀性
- 真空提纯对n型高阻区熔硅单晶研制的影响被引量：1
- 2015年
- 采用真空提纯工艺对棒状多晶硅原料进行了区熔(FZ)提纯,之后对提纯后的多晶硅进行单晶生长。通过检测每次提纯后的多晶硅和最终生长成的硅单晶的电阻率变化,得到了真空提纯工艺对电阻率变化的影响规律。之后,通过计算得到了原料中主要杂质磷杂质在每次真空提纯后的去除量,并讨论了磷杂质去除量对材料导电类型的影响。分析认为真空提纯工艺具有较高的提纯效率,通过真空提纯工艺可大幅提高材料的纯度和电阻率。提出要研制n型高纯高阻硅单晶,还需通过真空提纯工艺精确地控制硼、磷杂质的相对含量,并充分考虑杂质在径向上的分布规律。
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- 关键词：N型高阻硅单晶
- 影响区熔硅单晶电阻率均匀性的主要因素被引量：2
- 2012年
- 通过对弯曲的结晶界面的研究,分析其对分凝系数、分凝方向及界面杂质分布的影响;通过改变拉晶参数以改变结晶界面的弯曲程度,减小分凝系数的变化及径向分凝的强度。分析影响电阻率均匀性的主要因素,改变其生产工艺。
- 刘洪
- 旋转工艺对高阻区熔硅单晶研制的影响
- 2016年
- 采用区熔工艺对多次真空提纯后的多晶硅进行了n型高阻硅单晶生长。真空提纯时,通过对工艺参数的精确控制,稳步提升了晶体的纯度和电阻率。单晶生长时,对比分析了常规旋转工艺和正反转旋转工艺两种生长方式对单晶径向电阻率分布的影响,并通过计算得到了杂质在单晶径向上的分布规律。分析认为正反转旋转工艺可以精确地控制杂质在单晶径向上的分布情况,进而确保了单晶径向上的磷杂质含量略大于硼杂质含量。最终,通过采用正反转旋转工艺,成功研制了电阻率为8 000Ω·cm以上的n型高均匀性区熔硅单晶。
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- 关键词：硅单晶高阻
- 区熔单晶生长过程中高频线圈形变的原因分析及理论计算
- 2012年
- 主要针对高频线圈于单晶生长过程中,在高频电流及棒体的高温作用下,产生的附加扭矩,改变线圈的设计外形,进行了原因研究、理论计算,并对单晶生长的影响进行了分析。通过采取适当的措施,降低由于线圈的形变对单晶的影响,提高单晶的成晶率。
- 刘洪
- 关键词：附加扭矩
- 直拉区熔联合法硅单晶生长技术研究
- 2014年
- 通过直拉工艺生长直径60 mm的N型〈100〉单晶,之后以该单晶作为原料,采用区熔工艺生长成50mm（2英寸）N型〈111〉单晶,单晶的电阻率为2.71～5.35Ω·cm,少子寿命为500～750 μs,氧碳含量均低于1×16 cm-3.实验表明,通过直拉工艺和区熔工艺联合方式研制的低阻硅单晶具有电阻率控制准确、氧碳含量低、工艺易于实施等特点.同时,对直拉区熔联合法生长单晶的技术特点进行了探讨.
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- 关键词：区熔硅单晶电阻率
