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孙健

作品数：3 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
发文基金：中国科学院战略性先导科技专项国家科技重大专项更多>>
相关领域：自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 3篇损耗
  • 3篇能量损耗
  • 3篇存储器
  • 2篇预处理
  • 2篇源数据
  • 2篇数据写入
  • 2篇自然数
  • 2篇相变存储
  • 2篇相变存储器
  • 1篇相变
  • 1篇RAM

机构

  • 3篇中国科学院微...

作者

  • 3篇陈岚
  • 3篇孙健
  • 3篇郝晓冉

传媒

  • 1篇微电子学与计...

年份

  • 1篇2016
  • 1篇2014
  • 1篇2013
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
相变存储器的数据写入方法及装置
本发明公开了一种相变存储器的数据写入方法及装置，包括：将将要写入相变存储器的目标地址中的一组数据作为源数据，采用多种不同的预处理方式对源数据进行预处理，获得多组备选数据，其中，每一组备选数据的位数与源数据的位数N相等，N...
孙健陈岚郝晓冉
文献传递
基于PCRAM主存系统的访问机制
2014年
随着基于DRAM主存系统功耗的不断上升,相变随机访问存储器(PCRAM)凭借其高密度、低功耗、非易失等优点,将成为下一代最有潜力的主存技术.然而,PCRAM的写操作具有寿命有限和写入能耗、延时较大的特点,限制了其在主存系统中的应用.为了延长主存系统的使用寿命并减少写入能耗,采用写前读技术设计了一种基于异或的数据并行机制.实验结果表明,经过该机制处理,与传统的Data Comparison Write和Flip-N-Write机制相比,写寿命分别延长38%和19%,写入能耗分别减少28%和17%.
孙健陈岚郝晓冉
关键词：能量损耗
相变存储器的数据写入方法及装置
本发明公开了一种相变存储器的数据写入方法及装置，包括：将将要写入相变存储器的目标地址中的一组数据作为源数据，采用多种不同的预处理方式对源数据进行预处理，获得多组备选数据，其中，每一组备选数据的位数与源数据的位数N相等，N...
孙健陈岚郝晓冉
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