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吴开拓

作品数:14 被引量:33H指数:3
供职机构:电子科技大学更多>>
发文基金:中央高校基本科研业务费专项资金更多>>
相关领域:一般工业技术电子电信自动化与计算机技术文化科学更多>>

文献类型

  • 9篇专利
  • 5篇期刊文章

领域

  • 3篇一般工业技术
  • 2篇电子电信
  • 1篇化学工程
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇文化科学

主题

  • 4篇感器
  • 4篇传感
  • 4篇传感器
  • 3篇乙烯
  • 3篇四氟乙烯
  • 3篇聚四氟乙烯
  • 3篇基板
  • 3篇氟乙烯
  • 3篇复合材料
  • 3篇复合材
  • 2篇单轴
  • 2篇低损耗
  • 2篇电极
  • 2篇电阻
  • 2篇应力
  • 2篇应力传感
  • 2篇应力传感器
  • 2篇应力分量
  • 2篇陶瓷
  • 2篇频率可调

机构

  • 14篇电子科技大学
  • 1篇成都振芯科技...

作者

  • 14篇吴开拓
  • 5篇闫裔超
  • 4篇张万里
  • 4篇袁颖
  • 3篇王韬
  • 3篇张继华
  • 3篇崔毓仁
  • 3篇张树人
  • 3篇闫翔宇
  • 2篇陈宏伟
  • 1篇周晓华
  • 1篇夏宇
  • 1篇孙成礼

传媒

  • 2篇复合材料学报
  • 1篇微电子学
  • 1篇压电与声光
  • 1篇科技资讯

年份

  • 1篇2025
  • 4篇2024
  • 1篇2023
  • 1篇2019
  • 1篇2018
  • 1篇2017
  • 1篇2016
  • 1篇2014
  • 3篇2013
14 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
基于Si基集成技术的智能传感器应用被引量:1
2018年
随着传感器向小型化、集成化、智能化方向发展,以微机电系统(MEMS)和集成电路(IC)工艺技术为基础制备智能传感器,已成为传感器领域的研究热点。本文介绍了传感器发展的历程,详述了智能传感器中Si基集成技术的单片集成(异质生长和离子注入剥离)和混合集成技术两类三种实现方法,并结合国内外现状,介绍了其在磁性、红外、热敏传感器的典型应用。
吴开拓张继华张万里
关键词:智能传感器MEMSIC
超宽可调谐振器
超宽可调谐振器,涉及微波器件,本发明包括自上向下顺次设置的低阻硅电极、SOI执行器和金属化消逝模腔体部分,SOI执行器包括高阻硅底板和高阻硅环,高阻硅环的底面与高阻硅底板通过埋氧层隔离,高阻硅环的顶面通过绝缘材料层与低阻...
张继华郑懿陈宏伟吴开拓
一种单轴敏感的集成应力传感器及其设计方法
本发明公开了一种单轴敏感的集成应力传感器及其设计方法,属于半导体传感器以及集成电路封装技术领域,通过在SOI晶圆的(100)晶面上制备惠斯通电桥实现,惠斯通电桥包括首尾依次通过传输接口连接的第一线形电阻R1、第一L形电阻...
吴开拓王韬张万里闫裔超邬春阳
一种超宽带正交调制器片上巴伦的设计被引量:1
2016年
采用0.18μm GeSi BiCMOS工艺,通过调节中心抽头位置、设计八边形螺旋电感、添加屏蔽层、优化线圈外径与金属线宽等方法,设计了一种平衡性好、插入损耗小的片上巴伦。创新性地在HFSS模型中引入GSG焊盘,避免了去嵌入处理的复杂计算与计算误差。仿真结果表明:在500 MHz频率处,电路的插入损耗为3.5dB,幅度不平衡度为0.13dB,相位不平衡度为0.38°;在4GHz频率处,插入损耗为1.8dB,幅度不平衡度为1.62dB,相位不平衡度为2.85°。对样品的S参数幅度及相位进行测试,实测结果与仿真值吻合。该巴伦可应用于500 MHz^4GHz的超宽带正交调制器中,具有较好的应用前景。
廖奎旭范超吴开拓闫翔宇
关键词:超宽带仿真HFSSS参数
超宽可调谐振器
超宽可调谐振器,涉及微波器件,本发明包括自上向下顺次设置的低阻硅电极、SOI执行器和金属化消逝模腔体部分,SOI执行器包括高阻硅底板和高阻硅环,高阻硅环的底面与高阻硅底板通过埋氧层隔离,高阻硅环的顶面通过绝缘材料层与低阻...
张继华郑懿陈宏伟吴开拓
文献传递
一种单轴敏感的集成应力传感器及其设计方法
本发明公开了一种单轴敏感的集成应力传感器及其设计方法,属于半导体传感器以及集成电路封装技术领域,通过在SOI晶圆的(100)晶面上制备惠斯通电桥实现,惠斯通电桥包括首尾依次通过传输接口连接的第一线形电阻R1、第一L形电阻...
吴开拓王韬张万里闫裔超邬春阳
SiO_2-TiO_2/聚四氟乙烯复合材料的制备及热膨胀性能被引量:27
2013年
为了使微波基板材料与Cu金属衬底的热膨胀性能匹配,对陶瓷/聚四氟乙烯(PTFE)微波复合基板材料的热膨胀性能进行了研究。采用湿法工艺制备了以SiO2和TiO2为填料的SiO2-TiO2/PTFE复合材料,研究了复合材料密度、填料粒度和填料体积分数对SiO2-TiO2/PTFE复合材料热膨胀性能的影响。结果表明,当SiO2的体积分数由0增至40%(TiO2 :34%~26%)时,SiO2-TiO2/PTFE复合材料的线膨胀系数(CTE)由50.13×10-6 K-1减小至10.03×10-6K-1。陶瓷粉体粒径和复合材料密度减小会导致CTE减小。通过ROM、Turner和Kerner模型计算CTE发现,ROM和Kerner模型与实验数据较相符,而实验值与Turner模型预测值之间的差异随PTFE含量的升高而逐渐增大。
闫翔宇袁颖张树人吴开拓崔毓仁
关键词:复合材料聚四氟乙烯TIO2SIO2线膨胀系数
烧结工艺对SiO_2-TiO_2/PTFE复合材料性能的影响被引量:3
2014年
采用湿法工艺,并通过马弗炉烧结与热压烧结,制备了SiO2与TiO2共同填充的聚四氟乙烯(PTFE)复合材料。系统研究了两种填料不同掺杂比及不同烧结工艺对复合材料密度、显微结构、介电性能和热膨胀性能的影响。结果表明,与马弗炉烧结相比,热压烧结工艺制备的复合材料具有更稳定的密度和较小的吸水率,但介电损耗较高;ROM和Kerner模型能较好地对线膨胀系数进行预测,其理论值与实验值的变化规律一致。对于用2种烧结方法制备的复合材料,通过Lichtenecker对数法则计算所得介电常数与实验值均较吻合。
闫翔宇袁颖吴开拓崔毓仁
关键词:复合材料TIO2SIO2热压烧结
一种聚四氟乙烯复合微波陶瓷基板的制备方法
本发明公开了一种聚四氟乙烯复合微波陶瓷基板的制备方法,属于材料技术领域。本发明采用(1-x)ZrTi<Sub>2</Sub>O<Sub>6</Sub>-xZnNb<Sub>2</Sub>O<Sub>6</Sub>的Zr-...
袁颖吴开拓周晓华张树人
文献传递
低损耗ZrTi_2O_6填充PTFE复合基板性能被引量:7
2013年
采用热压成型工艺,制备了一种低损耗ZrTi2O6陶瓷填充聚四氟乙烯(PTFE)的新型微波复合基板材料。采用介质谐振器法研究了ZrTi2O6/PTFE复合材料的微波介电性能(8~12 GHz)。结果表明,ZrTi2O6/PTFE复合材料的相对介电常数(ε r)和介电损耗(tanδ)随着ZrTi2O6陶瓷体积分数(0~46%)的增加而增大,介电常数实验值与Lichtenecker模型预测值最吻合。ZrTi2O6/PTFE复合材料的热膨胀系数和介电常数温度系数随着ZrTi2O6陶瓷体积分数的增加而减小。46%的ZrTi2O6为较优填料比例,ZrTi2O6/PTFE的相对介电常数为7.42,介电损耗为0.0022(10 GHz)。
吴开拓袁颖张树人闫翔宇崔毓仁
关键词:复合材料聚四氟乙烯介电特性基板
共2页<12>
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