冯仕华
- 作品数：9 被引量：47H指数：5
- 供职机构：河北大学化学与环境科学学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金河北省教育厅博士基金河北大学研究基金资助更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术机械工程电子电信更多>>
- 新型黄绿色发光材料Sr_2MgSi_3O_9:Ce^(3+),Tb^(3+)的合成及光谱分析被引量：5
- 2009年
- 采用凝胶-燃烧法在活性炭弱还原气氛下成功合成了新型荧光粉Sr2MgSi3O9:Tb3+、Sr2MgSi3O9:Ce3+,Tb3+,用X射线粉末衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)、荧光分光光度计等对合成产物进行了分析和表征。结果表明,所合成的发光材料与Sr2MgSi2O7具有相似的晶体结构,同属四方晶系。样品一次颗粒近似球形,粒径在100nm左右。Sr2MgSi3O9:Tb3+的激发光谱为一位于249nm的宽带,发射光谱主要由473、491、547、585nm等一系列发射峰组成,其中473nm(5D3→7F3)为主发射峰,547nm(5D4→7F5)为次发射峰;样品Sr1.955MgSi3O9:Tb30.+04,Ce03.+005的激发光谱由峰值分别位于249和335nm的双激发带组成,其中后者为主激发带。在335nm激发下,其发射光谱由两部分组成,其中400nm附近的带状发射对应于Ce3+的发射,而491、547、588nm处的发射峰归属为Tb3+的5D4→7FJ(J=6,5,4)跃迁发射,最强峰位于547nm,对应Tb3+的5D4→7F5跃迁。此外,探讨了Ce3+掺杂量对样品发光亮度的影响,发现Ce3+可以把能量传递给Tb3+,对Tb3+起到敏化作用。
- 翟永清冯仕华李艳威安然
- 关键词：CE^3+
- 新型稀土发光材料Sr_(3-x)MgSi_3O_(10)∶Tb_x^(3+)的合成及性质被引量：14
- 2010年
- 采用凝胶-燃烧法,在活性炭弱还原气氛下合成了新型荧光粉Sr3-xMgSi3O10∶Tb3x+,通过热分析仪、红外光谱、X射线粉末衍射、X射线能量色散谱仪及荧光分光光度计等对产物的形成过程、结构、组成及发光性质进行了分析和表征。结果表明:干凝胶起火燃烧得前驱物,经900℃还原热处理即可得目标产物,其晶体结构与Sr2MgSi2O7相似,同属四方晶系。Sr3-xMgSi3O10∶Tb3x+的激发光谱为一位于200～300nm的宽带,主激发峰在249nm左右;发射光谱由491nm,544nm,586nm,624nm等一系列窄带发射峰组成,归属于Tb3+的5D4到7FJ(J=6,5,4,3)的跃迁。主发射峰位于544nm,对应于Tb3+的5D4→7F5的能级跃迁,导致一种黄绿光发射。研究发现:还原温度及Tb3+掺杂浓度对发光强度有着重要的影响,并对浓度猝灭机制进行了探讨。
- 翟永清王欣冯仕华张张刘亚红
- 关键词：稀土
- 白光LED用硅酸盐荧光粉的研究进展被引量：8
- 2009年
- 综述了近几年来半导体白色发光二极管(WLED)用硅酸盐荧光粉的研究进展。重点介绍了蓝光芯片激发和近紫外光芯片激发用的黄粉、三基色荧光粉以及单基质白色荧光粉的研究概况,对性能较好的荧光粉做了重点推介,同时指出了目前该领域中硅酸盐荧光粉所存在的问题并对其发展趋势做了展望。
- 翟永清冯仕华王欣
- 关键词：白光LED
- 白光LED用新型红色荧光粉Li_2SrSiO_4:Eu^(3+)的合成及性质被引量：10
- 2011年
- 以金属硝酸盐为原料,正硅酸乙酯为硅源,采用凝胶-燃烧法合成了新型红色荧光粉Li2SrSiO4:Eu3+,用红外分光光度计、X射线粉末衍射仪、荧光分光光度计等手段研究了该荧光粉的形成过程、结构及发光性能。结果表明:凝胶燃烧所得前驱物在700℃焙烧3h即得目标产物Li2SrSiO4:Eu3+,其晶体结构属六方晶系,空间群为P3121,晶胞参数:a=0.5012nm,c=1.2360nm;激发光谱为一宽带,最大激发峰位于396nm处;最强的发射峰位于618nm处,是典型的Eu3+的5D0→7F2跃迁导致的;当Eu3+掺杂摩尔分数x在0.04~0.24的范围内时,随Eu3+浓度的增加,发光强度逐渐增强,无浓度猝灭现象发生。由于该荧光粉能够有效吸收396nm附近的近紫外光,因此适合做350~410nm InGaN管芯激发的白光发光二极管用高亮度红色荧光粉。
- 翟永清王欣冯仕华刘毅兰游志江
- 关键词：红色荧光粉白光发光二极管
- 白光LED用橙红色荧光体Sr_2MgSi_3O_9:Eu^(3+)的制备和光谱性质
- 2009年
- 采用凝胶-燃烧法在活性炭弱还原气氛下成功合成了新型橙红色发光材料Sr2MgSi3O9:Eu3+.用X射线粉末衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)、荧光分光光度计等对合成产物进行了分析和表征.结果表明:此发光材料与Sr2MgSi2O7具有相似的晶体结构,同属四方晶系.样品的一次颗粒近似球形,粒径在100 nm左右.样品Sr2MgSi3O9:Eu3+的激发光谱在220~300 nm内出现一宽带吸收,归属于Eu3+-O2-之间的电荷迁移带,300 nm以后出现的锐线峰为Eu3+的f→f跃迁吸收峰,其最强锐线峰位于400 nm,对应于Eu3+的基态到5L6激发态跃迁吸收,因而,可以被InGaN管芯产生的紫外辐射有效激发.发射光谱由2个强发射峰组成,位于592 nm和618 nm处,分别属于典型的Eu3+的5D0→7F1和5D0→7F2跃迁.此外,研究还发现共掺杂适量Ti使得发光颜色由橙红色向红色转变,发光强度明显增强.
- 翟永清冯仕华张张牛强
- 关键词：白光LED
- 新型超细蓝色荧光粉Sr_2MgSi_3O_9∶Eu^(2+)的合成及发光性质被引量：6
- 2009年
- 采用凝胶-燃烧法在活性炭弱还原气氛下成功合成了新型蓝色发光材料Sr2MgSi3O9∶Eu2+。用X射线粉末衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)、荧光分光光度计等对样品的物相结构、微观形貌及发光性质进行了分析和表征。结果表明:Sr2-xMgSi3O9∶Eu2x+系列样品的衍射峰数据与Sr2MgSi2O7的JCPDS卡片(卡号:75-1736)衍射峰数据基本一致,属四方晶系。其一次颗粒近似球形,粒径在100nm左右。激发光谱分布在250～450nm的波长范围,主激发峰位于424nm处,次激发峰位于400nm处,可以被InGaN管芯产生的紫外辐射有效激发。发射光谱也为一宽带,最大发射峰位于470nm附近,是典型的Eu2+的4f5d-4f跃迁导致的。Sr2MgSi3O9∶Eu2+是一种很有前途用于白光LED的蓝色荧光粉。
- 翟永清冯仕华孔令帅殷天亮郝洁
- 关键词：发光白光LED
- 凝胶-燃烧法合成新型宽激发带蓝色发光材料Sr_3MgSi_3O_(10):Eu^(2+)被引量：5
- 2010年
- 采用凝胶–燃烧法在活性炭弱还原气氛中成功合成新型宽激发带蓝色发光材料Sr3MgSi3O10:Eu2+。用X射线粉末衍射仪及荧光分光光度计等分析和表征合成样品的物相结构和发光性质。结果表明:所合成的Sr3MgSi3O10:Eu2+的晶体结构与Sr2MgSi2O7的相似,同属四方晶系;激发光谱分布在250～450nm的宽带范围,主激发峰位于366nm处,次激发峰位于394nm处,可以被InGaN管芯产生的350～410nm辐射有效激发;在366nm近紫外光的激发下,发射光谱为一宽带,最大发射峰位于466nm附近,是典型Eu2+的4f5d–4f跃迁导致的。研究发现:Sr3MgSi3O10:Eu2+蓝色荧光粉的发光强度随还原温度的升高而增强;随Eu2+摩尔(下同)浓度的增加逐渐加强,当Eu2+为10%时,发光强度达到最大值,而后随Eu2+浓度的增加而减小,发生浓度猝灭。根据Dexter能量共振理论,该浓度猝灭系Eu2+的电偶极–电四极相互作用所致。
- 翟永清王欣冯仕华仇满德马小舟
- 关键词：发光白光发光二极管
- 白光LED用碱土金属硅酸盐荧光粉的制备及光谱性质
- 白光LED 因其具有体积小、节能、环保、寿命长等优点而引起人们的广泛关注，被称为第四代照明光源。实现白光LED 最成熟方式是荧光粉转换法，因此白光LED 用荧光粉的制备和性能越来越受到人们的重视。
稀土硅酸盐体系发...
- 冯仕华
- 关键词：白光LED碱土金属光谱性质
- 文献传递
- 新型长余辉发光材料SrMgSi_2O_6:Eu^(2+),Ln^(3+)的制备及性质被引量：1
- 2009年
- 采用凝胶-燃烧法合成了系列稀土离子掺杂的Sr0.94MgSi2O6:Eu20.+02,Ln03.+04(Ln=La,Ce,Nd,Sm,Gd,Dy)蓝色长余辉发光材料,用X射线粉末衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、荧光分光光度计等对合成产物进行了分析和表征。结果表明:掺杂了不同稀土离子的SrMgSi2O6:Eu2+,Ln3+的晶体结构均为四方晶系结构;其激发、发射光谱的峰形、峰位基本无变化,激发光谱为一宽带,最大激发峰位于400nm处,次激发峰位于415nm处,发射光谱也为一宽带,最大发射峰位于470nm附近,是典型的Eu2+的4f5d-4f跃迁导致的,不同之处在于其激发光谱、发射光谱强度及余辉性质有所差别,其中Dy3+是最理想的共掺杂稀土离子,Sr0.94MgSi2O6:Eu20.+02,Dy30.+04的余辉时间最长,可达4h;而Sm3+最差,Sr0.94MgSi2O6:Eu02.+02,Sm03.+04的余辉亮度最低,余辉时间最短。
- 翟永清焦芳芳郭冰冯仕华
- 关键词：发光长余辉稀土
