贾晓娟
- 作品数：10 被引量：4H指数：1
- 供职机构：中北大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术机械工程更多>>
- GaAs基共振遂穿二极管的材料结构研究被引量：1
- 2011年
- 用分子束外延技术在半绝缘GaAs衬底上生长了三种不同材料结构的RTD。主要针对阱结构进行了对比设计,然后对设计结构进行了常温下的I-V特性测试,测试结果中器件的PVCR值最高达到了6,VP降低到了0.41V。同时常温下测试了其中一种设计结构的敏感单元在四种不同发射极面积下的I-V特性曲线。最后对器件阱结构和发射极面积大小与器件直流特性的关系进行了分析总结,为设计性能更好的RTD结构提供了参考依据。
- 王杰张斌珍刘君唐建军谭振新贾晓娟高杰
- 关键词：共振隧穿二极管I-V特性砷化镓发射极
- 基于高电子迁移率晶体管HEMT的微加速度计
- 本发明涉及微加速度计领域，具体是一种基于高电子迁移率晶体管HEMT的微加速度计。适应了微加速度计应用领域对高灵敏度微加速度计的需要，实现高电子迁移率晶体管HEMT力电转换机理在微加速度计上的应用，所述微加速度计采用以下步...
- 刘俊薛晨阳张斌珍张文栋熊继军侯婷婷刘国文崔競贾晓娟谭振新
- 共振隧穿压阻式微加速度传感器的信号提取方法
- 本发明涉及MEMS微加速度传感器的信号提取，具体是一种共振隧穿压阻式微加速度传感器的信号提取方法。进一步优化了共振隧穿压阻式微加速度传感器，提取步骤如下：①在无外界压力作用下，检测与共振隧穿压阻式微加速度传感器的共振隧穿...
- 张斌珍张文栋薛晨阳贾晓娟崔競
- 文献传递
- 基于MESFET的GaAs基微加速度计的设计与性能测试
- 利用金属-半导体结型场效应晶体管(MESFET)作为微加速度计的敏感单元,设计一种4梁-质量块微加速度计结构.通过ANSYS分析软件进行仿真,敏感单位放置于悬臂梁根部的应力最大处,以获得最大的灵敏度.将封装好的微加速度计...
- 谭振新薛晨阳侯婷婷贾晓娟史伟莉刘俊张文栋
- 关键词：场效应晶体管灵敏度线性度微加速度计
- 基于GaAs-PHEMT结构的微加速度计特性测试
- 高电子迁移率晶体管（HEMT）作为场效应晶体管中的一种，以其高频、高速、低噪声、大功率等优势,在通信等领域广泛应用。HEMT结构的力电耦合特性及以此为敏感单元的微纳机械传感器的相关研究已经引起国际上相关研究人员的关注，并...
- 贾晓娟
- 关键词：微加速度计电子迁移率力学特性压阻效应
- 共振隧穿压阻式微加速度传感器的信号提取方法
- 本发明涉及MEMS微加速度传感器的信号提取，具体是一种共振隧穿压阻式微加速度传感器的信号提取方法。进一步优化了共振隧穿压阻式微加速度传感器，提取步骤如下：①在无外界压力作用下，检测与共振隧穿压阻式微加速度传感器的共振隧穿...
- 张斌珍张文栋薛晨阳贾晓娟崔競
- 文献传递
- 基于高电子迁移率晶体管HEMT的微加速度计
- 本发明涉及微加速度计领域，具体是一种基于高电子迁移率晶体管HEMT的微加速度计。适应了微加速度计应用领域对高灵敏度微加速度计的需要，实现高电子迁移率晶体管HEMT力电转换机理在微加速度计上的应用，所述微加速度计采用以下步...
- 唐军马游春刘俊张文栋苏淑靖薛晨阳张斌珍熊继军侯婷婷刘国文崔兢贾晓娟谭振新
- 文献传递
- 基于MESFET的GaAs基微加速度计的设计与性能测试
- 2010年
- 利用金属-半导体结型场效应晶体管(MESFET)作为微加速度计的敏感单元,设计一种4梁-质量块微加速度计结构.通过ANSYS分析软件进行仿真,敏感单位放置于悬臂梁根部的应力最大处,以获得最大的灵敏度.将封装好的微加速度计结构,利用惠斯通电桥测试电路,检测不同载荷下的输出特性,验证了微加速度计的力电耦合效应.测试结果表明,该微加速度计的线性度较好,其最大加载范围可达到24 g,且饱和区的灵敏度可达到4.5 mV/g,为高灵敏微传感器的研究奠定了一定的基础.
- 谭振新薛晨阳侯婷婷贾晓娟史伟莉刘俊张文栋
- 关键词：MESFETGAAS灵敏度线性度微加速度计
- GaAs基PHEMT加速度传感器的研究被引量：2
- 2010年
- PHEMT结构一种高电子迁移率晶体管,以其高频和低噪声等方面的优越性,成为当今微电子领域中最活跃的研究主题之一。将其良好的力敏特性应用在加速度计方面更是成为前沿的研究方向。基于GaAs基PHEMT结构压阻效应,设计加工出一种悬臂梁式微加速度传感器,通过力作用在加速度计上,改变PHEMT结构漏极电流的输出,并通过外围测试电路来检测该电流变化,从而实现力电转换。文中,对其基本原理和结构设计进行阐述,并进行力学特性的研究。结果表明,在动态测试下,PHEMT结构的漏极输出电流与栅压、漏压之间的关系与静态测试I-V特性曲线保持一致。该加速度计具有良好的线性特性,经过测试在饱和区灵敏度为0.177 mV/gn。
- 贾晓娟张斌珍刘俊薛晨阳侯婷婷谭振新王杰
- 关键词：微加速度计PHEMT灵敏度GAAS
- 一种基于微结构的GaAs HEMT的压阻系数被引量：1
- 2010年
- GaAs HEMT(高电子迁移率晶体管)位于微结构悬臂梁根部附近的最大应力处。介绍了GaAs HEMT和微结构的设计加工,并通过实验研究了GaAs HEMT在平行于HEMT生长方向(Z方向)单轴应力作用下的力电耦合特性。测试结果表明:GaAs HEMT不同偏压下压阻系数不同,且它的最大压阻系数为(1.72±0.33)×10-7Pa-1,比Si高出三个数量级。
- 侯婷婷薛晨阳刘国文贾晓娟谭振新张斌珍刘俊
- 关键词：力电耦合
